半导体Q-开关激发器

本文全面论述了近十几年来半导体Q-开关激光器的研究工作,对Q-开关过程的作用机理作了定性的或定量的分析,指出了它们所依据的四种基本效应,即饱和吸收效应,电光效应,声光效应和Franz-Keldysh效应,并阐明了利用这些效应所设计的种各Q-开关激光器的结构特点和工艺过程,详细地介绍和推导了描述Q-开关动力学过程的两种模型及其相应的速率方程,给出了某些重要的理论结果和实验数据。     

Q开关半导体激光器

GaInAsP-InP系统中已制出了带集成内腔电吸收损耗调制器的半导体激光器。该激光器由普通的锌扩散放大器部份、反偏压的注铍(Be)的p-n结电吸收调制器部份以及无源波导部份组成。这些器件是第一批带有源Q开关足够内脏损耗的半导体激光器。早期的测量受1GHz的测试仪器限制。最近的测量用微波合成器、分频器、检测器和取样示波器来实现,表明Q开关激光器具有3     

Q开关半导体激光器

本文提出并分析了Q开关半导体激光器的设想,其方法是以光栅反射器内布拉格反射的电光开关为基础,该反射构成半导体激光器的谐振腔。本文并描述这类激光器的基本构造、工作原理和动态特性。虽然这种激光器的最大转换被限制在较低的数值,但是我们发现其峰值输出率比一般CWGaAs双(?)质转(DH)激光器得出的峰值输出功率要大些,输出的脉冲宽度小于100PS。     

增益开关半导体激光器最佳工作状态研究

研究了不同调制速率下的增益开关半导体激光器的最佳工作状态。理论分析表明 ,在不同的调制速率下 ,激光器的最佳工作状态有较大的差异。在低速调制下 ,激光器应该工作在较小的直流偏置下 ,以避免输出脉冲拖尾的产生。在高速调制下 ,激光器应该工作在较高的直流偏置下 ,以提高输出脉冲的消光比。理论结果同实验结果相吻合。     

量子保密通信用增益开关半导体脉冲激光器

近30年来,量子信息科技是令人激动的研究领域之一。其中,量子保密通信技术,已逐渐开始从实验研究迈向工程应用,有望率先实现商用化发展。面向量子保密通信系统的全面普及和推广,基于半导体激光器的增益开关效应和商品电子学芯片,设计和实现了皮秒脉冲激光器模块。其特点包括:工作波长位于光纤量子信道的低损窗口,即1.5μm波段;输出光频的波动小于20 MHz;光脉冲的时域宽度为10个皮秒量级;输出光脉冲间不具有确定的相位关系。进一步地,结合"弱相干"单光子源在量子保密通信技术中的应用,对上述特点进行检验和讨论。     

AlGaInP红光半导体激光器的增益光开关

通过计算机求解单模耦合速率方程,理论模拟了红光半导体激光器的增益开关特性,得出了光脉冲宽度随调制信号振幅、偏置电流以及调制频率的变化规律.在此基础上进行了实验验证,实验结果与理论符合得很好.     

AlGaInP红光半导体激光器的增益光开关

通过计算机求解单模耦合速率方程,理论模拟了红光半导体激光器的增益开关特性,得出了光脉冲宽度随调制信号振幅、偏置电流以及调制频率的变化规律.在此基础上进行了实验验证,实验结果与理论符合得很好.     

增益开关半导体激光器的三级脉冲整形方案

增益开关半导体激光器产生的光脉冲宽度往往较宽,且具有一定大小的脉冲基座。为了提高增益开关半导体激光器的脉冲质量,提出了一种三级脉冲整形方案。首先,利用色散补偿光纤将增益开关半导体激光器输出的光脉冲宽度从39.381 ps压缩到26.681 ps,随后利用掺铒光纤放大器和色散位移光纤的高阶孤子效应进一步将光脉冲的宽度压缩到20.916 ps,最后利用半导体光放大器的自相位调制效应区分开脉冲基座与脉冲中心的光谱,并利用光滤波器滤除脉冲基座对应的光谱部分,从而消减脉冲基座,并将脉冲宽度压缩到18.497 ps。实验结果表明,该三级脉冲整形方案可以有效地压缩脉冲宽度以及减小脉冲基座,从而提高增益开关半导体激光器输出光脉冲的质量。     

半导体激光泵浦固体激光器的增益开关效应

用功率大于100mW的二极管激光器列阵泵浦Nd:YAG固体激光器,实现了DPL的增益开关作用。研究了增益开关的动态特性,得到峰值功率大于80mW的1.06μm激光输出,与计算结果一致。提出了三阶梯泵浦的高增益开关新方法,得到峰值功率大于150mW、脉冲宽度小于0.2μs的固体激光输出。     

半导体激光器

QPC公司生产的Ultra-500型半导体激光器，能提供425W的输出功率。其基本波长包括792nm，808nm，976nm，1470nm和1532nm，光纤芯径从200-800μm，常规波长精度能超过要求。     

半导体激光器

QPC公司的Ultra-500型半导体激光器．能提供425W的输出功率。其基本波长包括792nm．808nm，976nm，1470nm和1532nm，光纤芯径从200-800μm，常规波长精度能超过要求。     

半导体激光器

本文评论半导体激光器的工作,讨论运转的原理。重点放在1964年以后。对GaAs结型激光器的工艺现况作了描述。     

半导体激光器

中国科学院长春光机所吉林省半导体激光工程技术研究中心主要从事半导体激光器的研究、开发及生产。中心的半导体激光产品主要有半导体激光单管、CS封装半导体激光列阵、半导体激光叠阵、半导体激光线阵、光纤耦合半导体激光器模块等。中心的激光产品功率高、寿命长、波长全、样式多,在国内外用户中享有良好的声誉。     

半导体激光器

Surface-emitting semiconductor lasers can make use of external cavities and optical pumping techniques to achieve a combination of high continuous-wave output power and near-diffraction-limited beam quality that is not matched by any other type of semiconductor source. The ready access to the laser mode that the external cavity provides has been exploited for applications such as intra-cavity frequency doubling and passive mode-locking.     

半导体激光器

提要本文评述了半导体激光嚣的新近发展。重点放在已获得广泛发展的GaAs激光嚣上。对GaAs双异质結激光器的性质有了相当好的了解,它们的性能正在遂步适应评多应用的需要。     

半导体激光器

我们利用普通的液相外延(LPE)技术在n~+-GaAs衬底上制得均匀性良好的高质量四层外延片:第一层n-GaAlAs,厚25μm,载流子浓度为～1×10~(18)cm~(-3),第二层GaAs,有     

小功率半导体激光器泵浦Nd:YAG激光器的增益开关效应

采用标称功率仅5mW的半导体激光器,端面泵浦Nd:YAG激光器,利用增益开关效应,使固体激光输出功率提高数十倍。     

用半导体激光器的增益开关特性产生光脉冲

本文从理论上研究了用半导体激光器的增益开关特性产生光脉冲的机理,得出产生光脉冲的最佳条件并解释了以前的实验结果。