晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面光学(SO)声子强耦合和电子-体纵光学(LO)声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用.并且发现CdF2半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子-声子耦合.     

晶格热振动对极性半导体膜中电子—表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振劝对极性半导体膜中电子－表面光学（SO）声子强耦合和电子－体纵光学（LO）声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用。并且发现CdF2半导体膜小的中不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子－声子耦合。     

极性晶体膜中电子—表面声子强耦合极化子的自陷能

采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子与体纵光学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＫＣｌ晶体进行了数值计算,结果表明,不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献大不相同     

量子阱中强耦合极化子自陷能的温度依赖性

采用Huybrechts的线性组合算符法和改进的LLP变分法,研究了晶格热振动对无限势垒量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合极化子性质的影响．推导出作为阱宽和温度函数的极化子自陷能的表达式．对KI／AgCl／KI量子阱进行了数值计算,结果表明,极化子的自陷能随阱宽增加而减小、随温度升高而减小,但不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献以及它们随阱宽和温度的变化情况大不相同．     

CdF2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响

采用改进的Huybrechts线性组合算符和变分方法,研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质的影响,得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律.对CdF2半导体,计算了不同支声子与电子的相互作用对极化子有效质量和自陷能的贡献.     

CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响

采用改进的 Huybrechts线性组合算符和变分方法 ,研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质的影响 ,得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律 .对 Cd F2 半导体 ,计算了不同支声子与电子的相互作用对极化子有效质量和自陷能的贡献     

晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .     

磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合对磁极化子自陷能的影响

本文采用线性组合算符法和变分法,研究了磁场中极性晶体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态能量,得到了磁极化子自陷能随膜厚和磁场强度变化的规律,计算了不同支声子与电子相互作用对磁极化子自陷能的贡献以及随磁场的变化。     

自旋对强耦合表面磁极化子自陷能的影响

应用么正变换和线性组合算符法研究了半无限极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率λ0和自陷能Etr的性质。讨论了电子自旋和磁场对它们的影响。对RbCI晶体给出的数值计算结果表明：λ0随磁场B的增加而增加;当ms＝－1／2时,Etr随B的增加而增加;当ms=1/2时,Etr随B的增加而减少;电子自旋能与自陷能之比P随B的增加而增加。     

准二维强耦合激子能量的温度依赖性

采用线性组合算符法和LLP变分法研究了晶格热振动和极化子效应对量子阱中激子与界面光学(IO)声子强耦合又与体纵光学(LO)声子弱、中耦合体系的基态和激发态的影响,推导出作为量子阱宽和温度函数的激子基态能量的移动和第一内部激发态能量的移动的表达式,以AgCl/AgBr/AgCl量子阱为例进行了数值计算.结果表明,由激子IO声子强耦合所产生的激子基态能量移动和第一内部激发态能量移动随温度的升高而增大,而由激子-LO声子弱、中耦合所产生的激子基态能量移动和第一内部激发态能量移动随温度的升高而减小.     

SiC半导体二维自旋磁极化子能量的磁场效应

在考虑声子之间相互作用和电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC半导体弱耦合二维自旋磁极化子能量磁场效应的影响。数值计算给出了下列结果:电子自旋使自陷能分裂为二,且随磁场B增加其分裂间距增大;电子自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比恒为0.23;电子自旋能量与自能之比小于电子自旋能量与自陷能之比,但非常接近,它们随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,它们分别为0和0.008;电子自旋能量与声子之间相互作用能量之比也随B增加而线性增大,当B为0和7.949T时,其比值分别为0和1。该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。     

声子之间相互作用和库仑势对量子点中束缚极化子性质的影响

研究了库仑场中抛物量子点中束缚极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了量子点中束缚极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用下,研究了其对量子点中束缚极化子的基态能量的影响.数值计算表明:当考虑声子之间的相互作用时,量子点中束缚极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大.当l0＞1.0时,必须考虑声子之间的相互作用对基态能量的影响.     

声学形变势表面极化子中的平均声子数

利用线性组合算符方法，计算了声学形变势表面极化子中的平均声子数，结果表明，光学声子平均数（Na）和声学声子平均数（Nb）均是电子运动速度和电子距离晶体表面的深度的函数。对AgCl晶体进行数值计算，结果表明：Na和Nb均随深度Z的增加而减少；Na随振动频率λ的增加而选减后增；Nb随η的增加而减少；并且，对慢速运动的电子，电子运动速度对Na、Nb的影响可以忽略。     

声子之间相互作用和库仑势对量子点中束缚极化子性质的影响

研究了库仑场中抛物量子点中束缚极化子的性质，采用线性组合算符和微扰法,导出了量子点中束缚极化子的基态能量，在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用下,研究了其对量子点中束缚极化子的基态能量的影响。数值计算表明：当考虑声子之间的相互作用时,量子点中束缚极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大，当l0〉1.0时,必须考虑声子之间的相互作用对基态能量的影响。