MO／PVA薄膜材料在Ar^＋激光488.0nm线预辐照下的红光多重全息存贮

报道了甲基橙偶氮染料掺杂的聚乙烯醇薄膜材料在Ａｒ＾＋激光４８８．０ｎｍ线辐照下，用正交线偏振的６３２．８ｎｍ光作为写入光，通过旋转样品，在同一光斑内形成多个取向不同的相位光栅，实现了多重全息存贮的实验结果。在三重图象的存贮中，通过控制每次的写入时间、得到了三个均匀明亮的衍射图像，其平均衍射效率为０．１％。     

甲基橙掺杂聚乙烯醇薄膜光致双折射的特性研究

介绍了在近代物理实验中开设偶氮染料甲基橙掺杂PVA薄膜的光致双折射特性实验.实验结果表明样品的光致双折射反应程度和激发光功率成正比例关系;在激发光功率一定的情况下,当激发光偏振方向与探测光偏振方向夹角为45°时样品的光致双折射反应程度达到最大.     

系统振动对甲基红掺杂聚乙烯醇薄膜衍射效率的影响

从实验和理论分别获得甲基红掺杂聚乙烯醇薄膜的衍射效率η随两P偏振写入光夹角2θ的变化曲线η-2θ，发现实验曲线的峰值相对理论曲线向小角度偏移。将实验系统振动作为影响两曲线峰值偏移的重要因素，引入振动调制因子对样品衍射效率的理论公式进行了修正，缩小了理论曲线相对实验曲线的峰值偏移。     

甲基橙偶氮染料掺杂聚乙烯醇薄膜的光存储特性研究

研究了甲基橙(MO)偶氮染料掺杂聚乙烯醇(PVA)薄膜的光致双折射和全息光存储特性.利用YAG激光二倍频(532nm)作为写入光,He-Ne激光(632.8nm)作为读出光,考察了不同染料浓度薄膜的光致双折射,探讨了光致双折射和泵浦光功率的关系,并实现了全息光存储.阐明了MO/PVA光存储的物理机制.     

光折变晶体多重全息存储衍射效率均匀性的研究

推导出了全息多重存储时间递减曝光法各幅图象写入时间的解析表达式,研究了时间递减法和循环曝光法单次曝光时间、总曝光时间以及循环次数随存储图象的幅数之间的变化关系,结果表明时间递减法不但对记录系统的要求较低,而且也可获得相当均匀的衍射效率.     

利用菌紫质薄膜进行角度复用和偏振复用全息存储实验研究

全息光存储以其高密度、大容量、高速并行数据存取而成为光存储领域的一个重要研究方向。生物光致变色材料———菌紫质是一种新型可擦重写全息记录介质。实验证明了使用菌紫质薄膜进行角度复用和偏振复用全息存储的可行性。利用菌紫质的光致变色特性,采用90°角度复用全息存储光路,在BR-D96N薄膜样品同一位置上实现了6幅全息图存储,并分别读出了无串扰的再现像。利用菌紫质薄膜的光致各向异性进行了偏振复用全息存储,在BR-D96N薄膜样品的同一位置上存储了两幅正交偏振光记录的图像,用原参考光再现和偏振片选择,可分别读出这两幅图像。     

双掺杂LiNbO3:Fe:Mn全息存储动力学

建立了包括扩散、漂移和光伏打效应三种输运机制,小信号光强、小调制度近似下描述双掺杂LiNbO₃:Fe:Mn晶体用双色光进行全息存储的动力学的耦合微分方程组,数值求解并解释了晶体光存储的时间动态发展过程.在此基础上,分析了晶体的氧化还原程度对全息存储过程的影响,只有在晶体总的受主数密度N_a(即Fe³⁺和Mn³⁺的数密度之和)大于铁离子数密度N_{2的条件下,双掺杂LiNbO3:Fe:Mn晶体全 关键词：}     

甲基红染料掺杂的聚乙烯醇薄膜光存储特性的实验研究

用2倍频小型YAG激光(532nm)作为写入光和擦除光,用He-Ne激光器623.8nm线作为读出光,用CCD作为探测器,研究了不同写入光功率下,甲基红/聚乙烯醇(MR/PVA)薄膜光栅生长的动力学过程和不同擦除光功率下,光栅擦除的动力学过程.结合光栅生长曲线的波动现象,对光存储机制进行了新的探讨.实验发现,两写入光和读出光的功率配比为1:1:1时,可获得最大衍射效率,提出读出光对写入过程具有双重作用的物理模型,对此实验结果给出了合理的解释.     

掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外-红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5 mol.%的晶体中可达到11 cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的. 关键词： 掺杂 铌酸锂晶体 非挥发 全息存储     

番红花红T敏化的新型光致聚合物全息存储材料

制备了一种以番红花红T为光敏剂的新型全息存储材料,实验结果表明,该材料具有较高的衍射效率、曝光灵敏度和较大的折射率调制度等,最大衍射效率约38.5%,折射率调制度为0.547×10－3,在存储介质膜中存储了模拟全息图像,再现图像有较好的保真度,说明该材料适合用作高密度体全息存储介质。     

甲基橙掺杂聚乙烯醇薄膜简并四波混频特性的实验教学研究

介绍了在近代物理实验课中开设甲基橙掺杂聚乙烯醇薄膜的简并四波混频特性的实验设计，论述了实验原理和实验中采用的非线性介质的结构与性能．研究了泵浦光与探测光之间的夹角等实验条件对实验结果的影响，得到了相位共轭光强度与探测光和泵浦光的关系．分析了实验中产生的信号光强度和反射系数的变化及产生这种变化的机制．     

Structural, optical and electronic properties of P doped p-type ZnO thin film

P doped ZnO films were grown on quartz by radio frequency-magnetron sputtering method using a ZnO target mixed with 1.5 at% P₂O₅ in the atmosphere of Ar and O₂ mixing gas. The as-grown P doped ZnO film showed n-type conductivity, which was converted to p-type after 800 °C annealing in Ar gas. The P doped ZnO has a resistivity of 20.5 Ω cm (p∼2.0×10¹⁷ cm⁻³) and a Hall mobility of 2.1 cm² V⁻¹ s⁻¹. XRD measurement indicated that both the as-grown and the annealed P doped ZnO films had a preferred (0 0 2) orientation. XPS study agreed with the model that the P_Zn-2V_Zn acceptor complex was responsible for the p-type conductivity as found in the annealed P-doped ZnO. Temperature-dependent photoluminescence (PL) spectrum showed that the dominant band is located at 3.312 eV, which was attributed to the free electronic radiative transition to neutral acceptor level (FA) in ZnO. The P_Zn-2V_Zn acceptor complex level was estimated to be at E_V=122 meV.     

碳氢烧蚀层的厚度对聚乙烯醇薄膜阻气性能的影响

以ICF实验塑料靶丸保气的需求为背景,研究了水蒸气在低压等离子体聚合碳氢（CH）膜、聚乙烯醇（PVA）膜、聚苯乙烯（PS）膜中的扩散渗透行为。根据实验数据,算出在40℃ 90%相对湿度下,水蒸气在三种样品膜中的渗透系数分别为1.906×10-13,5.950×10-15,.432×10-14mol·m/(m2·s·Pa),并借助多层复合膜模型的近似算法,算出在40 ℃ 90%相对湿度的外界环境下,类似多层塑料微球结构的三层复合膜中,PVA阻气层所处环境的相对湿度为53.06%,推导出PVA所处环境的相对湿度与外层CH层厚度的关系式。研究表明：CH烧蚀层越厚,PVA所处环境的相对湿度越小,保气性能越好。     

碳氢烧蚀层的厚度对聚乙烯醇薄膜阻气性能的影响

 以ICF实验塑料靶丸保气的需求为背景,研究了水蒸气在低压等离子体聚合碳氢（CH）膜、聚乙烯醇（PVA）膜、聚苯乙烯（PS）膜中的扩散渗透行为。根据实验数据,算出在40℃ 90%相对湿度下,水蒸气在三种样品膜中的渗透系数分别为1.906×10^-13,5.950×10^-15,.432×10 ^-14mol·m/(m²·s·Pa),并借助多层复合膜模型的近似算法,算出在40 ℃ 90%相对湿度的外界环境下,类似多层塑料微球结构的三层复合膜中,PVA阻气层所处环境的相对湿度为53.06%,推导出PVA所处环境的相对湿度与外层CH层厚度的关系式。研究表明：CH烧蚀层越厚,PVA所处环境的相对湿度越小,保气性能越好。     

N掺杂SiO2纳米薄膜的制备及其磁性

利用射频磁控反应溅射技术,制备了氮掺杂的SiO₂纳米薄膜.发现N掺杂SiO₂体系纳米薄膜具有铁磁性.较小的氮化硅颗粒均匀分布在氧化硅基质中有利于磁有序的形成.基底温度为400℃时,样品薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽力,分别为35 emu/cm³和75 Oe.薄膜的磁性可能产生于氮化硅和氧化硅的界面.理论计算表明,N掺杂SiO₂体系具有净自旋.同时,由氮化硅和氧化硅界面之间的电荷转移导致的轨道磁矩也会对样品的磁性有贡献 关键词： 2薄膜')" href="#">N掺杂SiO₂薄膜 射频磁控反应溅射 界面磁性 基底温度     

可擦除光存储教学实验的开设

研究了在聚甲基丙稀酸甲脂（PMMA）中掺杂羚羟基亚甲基苯胺N-salicylideneaniline(SA)样品的可擦除光存储特性，依据相干光调制光强分布诱导光异构形成相位光栅和光异构产生压力梯度引起质量输运形成表面光栅机理，分析了两光栅的相位关系，合理解释了写入过程和擦除过程中衍射信号强度随时间的变化关系，通过阐述上述复杂的分析过程，培养和提高学生分析问题与解决问题的能力。     

Mg掺杂PST薄膜的溶胶-凝胶法制备及晶相形成研究

利用溶胶-凝胶法成功制备了Mg掺杂Pb_0.4Sr_0.6Mg_xTi< sub>1-xO_3-x薄膜，利用x射线衍射仪对薄膜的物相和结构进行了分析， 用扫描电子显微镜对薄膜的形貌和断面等进行了观察.研究结果表明，薄膜以立方钙钛矿为 晶相，薄膜中晶相以团聚状颗粒存在，晶相含量受热处理条件和Mg的掺杂量所控制.Mg掺杂 对Pb_0.4Sr_0.6Mg_xTi_1-xO_3-x 薄膜晶相含量的影响与钙钛矿中的氧空位缺陷相关.在一定的掺杂范围内，由掺杂引起晶相 的晶格畸变较小时，体系掺Mg平衡了晶体内本征氧空位引入的电荷不平衡，使晶相更为稳定 ，析晶能力提高，晶体形成量随掺杂浓度的提高而提高.当掺杂浓度达到一定量时， 随着Mg 掺杂浓度增加，一方面使形成晶体时杂质浓度增加造成参与形成晶相的组成含量下降，另一 方面使进入钙钛矿结构的Mg增加，氧空位大量增加使畸变程度提高，形成的晶相不稳定，析 晶能力下降，晶体含量随掺杂Mg浓度的增加而不增反降.在相同条件下制备的Pb_{0.4Sr0.6MgxTi1-xO3-x薄膜中Mg掺量约为 x=0.01时，得到的钙钛矿相含量最高，本征氧缺陷所带入的正电荷和Mg引入时带入的负电荷 间达到平衡.此外，Mg的掺入还影响到析晶与热处理过程之间的关系.在高Mg掺量范围，Mg含 量越高，形成的晶相越不稳定，热处理时间越长，使热处理过程中分解的晶相量越多，随Mg 掺量越高和热处理时间越长，薄膜中晶相含量越低. 关键词： 溶胶-凝胶法 PST薄膜 Mg掺杂 晶相形成}     

Correlation between the structural and optical properties of Co doped ZnO thin films prepared at different film thickness

Cobalt doped zinc oxide (ZnO:Co) thin films were deposited on glass substrates by ultrasonic spray technique decomposition of Zinc acetate dihydrate and cobalt acetate tetrahydrate in an ethanol solution with film thickness. All films are polycrystalline with a hexagonal wurtzite-type structure with a preferential orientation according to the direction (0 0 2), with the maximum crystallite size was found of 59.42 nm at 569 nm. The average transmittance of all films is about 65–95% measured by UV–vis analyzer. The band gap energy increased from 3.08 to 3.32 eV with increasing the film thickness from 192 to 569 nm. The increase of the electrical conductivity with increases in the film thickness to maximum value of 9.27 (Ω cm)⁻¹ can be explained by the increase in carrier concentration and displacement of the electrons of the films. The correlation between the band gap and crystal structure suggests that the band gap energy of Co doped ZnO is influenced by the crystallite size and the mean strain.     

Study on typical behavior of transient nature (I-t) and hysterisis nature of I–V characteristics of dye doped solid state thin film photoelectrochemical cell

In this present investigation, we describe the steady state current voltage (I–V) characteristic of Crystal violet dye dispersed solid state photoelectrochemical cell (PEC). Typical behavior of dark current-voltage characteristic by increasing and decreasing external bias voltage has a similar form like hysterisis in nature. Although we have already observed this hysterisis nature in case of both forward and reverse bias condition, yet it is clear that the reverse hysterisis curve is more prominent than forward hysterisis. In this paper, we are getting double values of current (I) for a single value voltage, which is also helpful to understand the charge transport process through disordered materials. As the bias increases, the distribution of traps depth, which is exponential in nature, changes toward order state (resulting increase in disordered parameter α) This means that as α increases, it tends to reach the most order state of material. When external bias voltage is at 3.5 V, the value of disorder parameter becomes 1, and when bias voltage is beyond 3.5 V, the diffusion comes enhanced in nature.