水热条件下钛酸钡晶粒生长基元模型研究(Ⅱ)——生长基元稳定能计算及晶粒的成核与生长

报道了BaTiO₃晶粒生长基元稳定能计算的结果，并以此说明了水热条件下BaTiO₃晶粒成核及生长过程 关键词：     

水热条件下钛酸钡晶粒生长基元模型研究

以水热法制备钛酸钡微粉（晶粒）实验为基础，通过建立钛酸钡晶粒生长基元的数学模型和基元稳定能计算，对水热条件下钛酸钡晶粒成核和生长过程作了研究 关键词：     

电场条件下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究

在室温、10Pa氩气环境氛围中,引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加直流电场,采用脉冲激光烧蚀技术制备了一系列纳米硅晶薄膜,衬底分布于以烧蚀点为圆心的弧形支架上.扫描电子显微镜、喇曼散射谱和X射线衍射谱检测结果表明:晶粒平均尺寸随着电压的增加逐渐变大,且靠近接地极板处的晶粒尺寸比与之对称角度处的略大;薄膜中晶粒面密度随着电压的增加先减小后增大而后再减小.     

氮气氛下(100)织构金刚石薄膜的成核与生长研究

利用热丝化学气相沉积法研究了氮气浓度对金刚石薄膜成核和生长的影响.实验发现氮气的 加入对金刚石成核密度影响不大,但促进了已形成的金刚石核的长大.适量的氮气不仅使金 刚石生长速率得到很大的提高,而且稳定了金刚石薄膜(100)面的生长,使金刚石薄膜具有 更好的(100)织构.利用原位光发射谱对衬底附近的化学基团进行了研究.研究表明,氮气的 引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化.含氮基团的萃取作用提高 了金刚石表面氢原子的脱附速率,从而提高了金刚石膜的生长速率.而含氮基团的选择吸附 使金刚石 关键词： 氮气 金刚石薄膜 织构 原位光发射谱     

水热条件下生长FeS_2-Fe_(1-x)S异质结构的光吸收特征研究

铁硫系列矿物是重要的金属硫化物,FeS2和Fe1-xS分别是铁硫系列矿物的重要成员。其中黄铁矿(FeS2)具有较大的吸收系数及合适的禁带宽度,适用于做太阳能电池材料,具有较好的应用前景。前人对不同条件下的铁硫系列矿物光伏特性进行了一定的研究,但对于FeS2和Fe1-xS共存情况下光吸收性能研究较少。FeS2和Fe1-xS分别是铁硫系列矿物的重要成员,由于形成条件较为接近,常共生出现。因此,对FeS2和Fe1-xS光吸收性能的研究具有重要意义。以水热条件下合成微米粒状FeS2-Fe1-xS为样本,分别使用SSX-550扫描电子显微镜、多晶X射线衍射仪(XRD)观测表征粉末晶体的形态、成分和结构。结果表明:所测样品主要为FeS2中立方晶系黄铁矿,含有一定量的斜方晶系磁黄铁矿(Fe1-xS),样品平均粒度在5~10μm左右。用Cary500型紫外-可见近红外分光光度计在200~2 000nm范围内测出了样品的吸收谱介于1 860~1 889nm之间,吸收峰值为1 879nm。根据带隙(eV)公式计算样品的禁带宽度为0.657 8eV,对应的"极限转换效率"可达到15%左右,利用第一性原理分析样品禁带宽度变化的原因,并与前人研究结果进行对比。分析认为:矿物内部结构是影响光电转化的重要原因,所合成具有FeS2-Fe1-xS异质结构材料的光吸收特性,较天然地质体中含Co和Ni缺陷的黄铁矿光吸收特性好,光电转换效率有所提高,为深入研究Fe-S系列材料的光伏性能提供了科学依据。     

原子核的配对壳模型数值计算(Ⅱ)

在配对壳模型内做SD子空间截断,选BCS对为S对,D对通过D=[S,Q]获得. 通过计算Z,Nε[50,82]区域的几个核,研究了单粒子能量和反常宇称态对于低能集体态的影响.     

FeOOH生成条件的研究(Ⅱ)

本文研究了在碱性溶液中α-FeOOH的生成条件,以及影响生成物的条件。 关键词：     

基于表观传递函数的象质评价及计算(Ⅱ)

首先讨论了表观传递函数的近似计算,然后用e指数近似公式进行了象差平衡并求得容限,为利用表观传递函数评价部分相干光学系统的成象质量提供了方法和依据。     

相变与临界现象(Ⅱ)——Ising模型

Ising模型是磁性系统的一个粗糙模拟。在正规晶格的每个格点位置上放一个“经典”的自旋,自旋方向可以向上或向下,习惯上我们用一个变量σ来表示自旋,σ可取±1。两个自旋σ_1和σ_2之间的相互作用能为-Jσ_1σ_2。当J>0时,所有自旋都指向同一方向的位形,在能量上最低,我们称这个系统为铁磁性的。一维模型是Ising于1925年解决的,二维模型首先是Onsager于1944年所解,而三维模型至今未解出。 为了说明问题的复杂性,我们先自一维系统着手,然后再推导二维模型的解。     

阿莫西林与锌(Ⅱ)、镉(Ⅱ)、汞(Ⅱ)配合物的合成及配位位置的研究

阿莫西林是一种广谱抗生素,本文通过共沉淀法合成了阿莫西林与d¹⁰组态金属离子的固体配合物,并对其进行了光谱及波谱研究,确定了配合物的配合机理及配位点.     

阿莫西林与锌(Ⅱ)、镉(Ⅱ)、汞(Ⅱ)配合物的合成及配位位置的研究

阿莫西林是一种广谱抗生素,本文通过共沉淀法合成了阿莫西林与d¹⁰组态金属离子的固体配合物,并对其进行了光谱及波谱研究,确定了配合物的配合机理及配位点.     

混合井网条件下加密井产能计算模型及应用

对于以直井、水平井混合井网开采的油藏,后期加密的水平生产井产能计算应综合考虑其他油水井的干扰.基于镜像反映原理与微元线汇理论,建立任意混合井网条件下加密水平井稳态产能计算半解析模型,考虑混合井网内部其他油水井干扰及井筒内由于井壁摩擦与流体加速度造成的压力降对加密水平井产能的影响,适用于任意混合井网条件下(井型任意性、井数目任意性、井位任意性)加密水平井产能计算.     

镍(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、钴(Ⅱ)与诺氟沙星配合物的荧光特性研究

荧光分光光度法研究了镍(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、钴(Ⅱ)与诺氟沙星配合物的荧光光谱特性.发现镍(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、钴(Ⅱ)与诺氟沙星产生的配合物在pH 6.0的KH2PO4-K2HPO4的缓冲溶液中均使诺氟沙星的荧光猝灭.确认镍(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、钴(Ⅱ)与诺氟沙星产生的配合物的组成分别为2 : 1、1:1、1:1.用锰与诺氟沙星配合物体系测定诺氟沙星滴眼液的含量,相对标准偏差为0.60%-1.1%,回收率为98.87%-102.7%,结果令人满意.     

氨基葡萄糖及羧甲基氨基葡萄糖与铁(Ⅱ)、锌(Ⅱ)、钴(Ⅱ)、铜(Ⅱ)配合物的光谱特征

本文研究了氨基葡萄糖及羧甲基氨基葡萄糖分别与铁（Ⅱ）、锌（Ⅱ）、钴（Ⅱ）、铜（Ⅱ）形成配合物的UV，IR和^1H-NMR光谱特征。配合物紫外的λmax发生了明显紫移；在IR谱中，配合物的面外振动峰655cm^-1较未配位的氨基葡萄糖中的面外振动峰670cm^-1低，且在990cm^-1附近出现新的吸收峰；在^1H-NMR谱中，配合物C3上羟基中的质子化学位移较未配位的均移向高场，氨基上质子的化学位移较未配位的也移向高场，其他碳上羟基中的质子化学位移值不变，从而初步证实了配合物中的氨－金属（N－M）键的形成。本文还研究了羧甲基氨基葡萄糖及其与铁（Ⅱ）、钴（Ⅱ）、铜（Ⅱ）配合物的合成。其配合物的IR谱线较未配位的IR谱线并没增多，指出这种反常现象是糖环的刚性所致。它们的IR和UV光谱均证实了分子中不存在游离的羰基峰，并证实了它们分子中内盐的存在，配合物的IR谱中出现新的一组吸收峰：433.1和408.9cm^-1(O-Fe)，507．1和495．0cm^-1（O－Co),403.1和389.0cm^-1(O-Cu)，证实了配合物中的氧－金属键（O－M）的形成。     

金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型(Ⅱ)——数值计算与结果讨论

结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,分别得出了各靶的溅射速率R,反应腔中反应气体分压p以及衬底Pb,Ti的金属单质和氧化物所占的有效面积百分比与反应共溅射中直接可调的物理量,即反应气体总量Q和溅射离子束流J的关系.计算结果表明,该模型揭示了反应溅射具有滞回效应的本质特征,反映了反应共溅射中相关参数的相互影响与相互耦合的特点,给出了薄膜中组分原子百分比及其氧化物的形态与溅射工艺的关系,指出了多离子束反应共溅射中稳恒溅 关键词：     

原子核的配对壳模型及数值计算(I)

原子核配对壳模型用“真实”的价质子对和价中子对构造组态空间的波函数,包含了单粒子能量项的贡献.在配对壳模型内,费米子运力学对称模型(FDSM)和相互作用玻色子模型(IBM)可以作为它的特殊情况.本文报道这一模型的思想、框架及其数值计算程序.     

金属表面的相关波函数理论(Ⅱ) 实际计算

在文献[1]给出的理论框架的基础上,由具有Feenberg-Jastrow关联因子的相关波函数,计算了“jellium”模型下简单金属的表面能和电子密度分布。表面电子密度分布由求解Cha-kravarty-Woo方程而得到。由于库伦关联的长程性,在表面能和CW积分方程中都出现一系列的发散项,本文证明了所有发散项严格互相抵消。本文求得的表面能在整个实际金属的电子密度范围内(r_s=2—6)与实验值大致符合。     

Cu(Ⅱ)及Zn(Ⅱ)与直链醚席夫碱配合物的合成与表征

合成了两种直链醚席夫碱双水杨醛缩二甘醇二胺(SALDA)和双水杨醛缩四甘醇二胺(SALTTA)及其新配合物[Zn(SALDA)](NO₃)₂·4H₂O和[Cu₃(SALTTA)(NO₃)₄](NO₃)₂·3H₂O.并以IR谱、UV谱,特别是¹H和¹³C NMR谱等方法进行了表征,并详细地讨论了合成方法,IR谱表明SALTTA中醚氧并未全部配位.     

GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系

研究了在GaAs(111)衬底上生长的六角相GaN的极性的相关关系.在高Ⅴ/Ⅲ比的条件下用MOVPE和MOMBE方法生长的GaN的极性和GaAs衬底的极性一致;在(111)A-Ga表面上的生长层呈现Ga的极性,而在(111)B-As表面上的生长层呈现N的极性.然而,在低的Ⅴ/Ⅲ比,或采用一个AIN中间层的条件下,用HVPE和MOMBE方法在GaAs(111)B表面上生长的GaN呈现出Ga的极性.目前,其原因尚不清楚,但是这些结果表明采用HVPE生长方法或用一高温AlN阻挡层可以得到高质量的GaN.