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掺杂Cu^2的ZnS纳米超微粒的荧光衰减 总被引:4,自引:1,他引:3
掺杂Cu2+的ZnS纳米超微粒的荧光衰减*李丹刘俊业孟继武窦凯a)许武a)孙聆东b)李振鹏b)(中国科学院长春物理研究所,长春130021)a)(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)b)(北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室,北... 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16),超晶格结构,用X射线衍射和低温光致发光(PL)对其结构,应变分布以及光学性能进行了研究,结果表明,2K温度下,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格的光致发光中主发光峰对应于ZnSe阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中,当超晶 相似文献
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本文给出了CaAs衬底上生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的室温Raman分析,观测了该超晶格中ZnSe子层和ZnS子层的纵光学振动模(LO),首次发现在一些样品中ZnSe子层的纵光学声子模LOZnS出现蓝移,而ZnS子层的LOZnS总是向低波数方向移动,并利用限制效应和应变效应给出了解释。 相似文献
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本文给出了CaAs衬底上生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的室温Raman分析,观测了该超晶格中ZnSe子层和ZnS子层的纵光学振动模(LO),首次发现在一些样品中ZnSe子层的纵光学声子模LOZnS出现红移,另一些样品中LOZnSe出现蓝移,而ZnS子层的LOZnS总是向低波数方向移动,并利用限制效应和应变效应给出了解释。 相似文献
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本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。 相似文献
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Resonance Raman scattering (RS) spectra of a ZnCdSe/ZnSe sample containing a single quantum well and quantum well-based open nanowires were studied at T=300 K. The longitudinal optical (LO) phonons involved in the formation of the observed spectra of the quantum-well and nanowire regions differ noticeably in energy. The LO phonon energies in the structures under study were calculated taking into account the compositional effect (doping of Cd into ZnSe) and biaxial strain. When excited in the exciton resonance region, RS is shown to occur via free (extended) excitonic states with the involvement of LO phonons of the ZnCdSe strained layer with final wave vectors near the Brillouin zone center. When excited below the excitonic resonance in the ZnCdSe layer, resonance scattering via localized exciton states provides a noticeable contribution to the observed RS lines. Because of the finite size of a localized state, phonons with large wave vectors are involved in these scattering processes. The RS lines produced under excitation in the excitonic region of the thick barrier layers are due to scattering from the ZnSe barrier phonons. 相似文献
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本文首次利用室温非共振喇曼后向散射测得具有7.3%晶格失配的ZnSe-ZnTe应变层超晶格限制在ZnSe层中的纵光学声子模。计算了限制效应引起的声子模频率的红移,以及弹性应变引起的声子模的移动,它比前者大得多。ZnSe层所受拉伸应变引起声子频率红移,ZnTe层所受压缩应变引起声子频率蓝移。同时在喇曼光谱中观察到由于这种效应导致出现的纵光学声子折叠模。 相似文献
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ZnSe-ZnS应变超晶格的Raman散射 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报导了Znse—ZnS应变超晶格的Raman光学声子谱.我们观测到,随着应变大小的改变,ZnSe和ZnS的纵向光学声子发生频移.ZnSe层中纵向光学声子可发生较大的蓝移,也可发生较小的红移;ZnS层中的纵向光学声子发生较大的红移.这些现象为“应变场下的光学模理论”所解释.文中还报导了在波数为110cm-1处观测到一很强的散射峰,并把它归结为超晶格表面层单斜Se所引起的散射;在其它地方还观测到非晶态Se、三角Se引起的散射峰. 相似文献
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I. I. Reshina S. V. Ivanov V. A. Kosobukin S. V. Sorokin A. A. Toropov 《Physics of the Solid State》2003,45(8):1579-1585
Raman scattering in a number of BeTe/ZnSe type-II superlattices which share no common cations or anions in the interfaces was studied. Folded acoustic phonons; LO phonons of the first, second, and third order in the ZnSe layers; and Kliewer-Fuchs-type electrostatic interface phonons were observed when excited in resonance with the direct exciton transition in the ZnSe layers. Nonresonant excitation produced LO phonons in the ZnSe and BeTe layers and a high-frequency mechanical interface mode, assigned tentatively to a local vibration of the interface Be-Se bond. 相似文献
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分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究 总被引:2,自引:2,他引:2
用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045μm到1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的型间相关长度与晶体质量之间的关系,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的,这是由于界面失配位错引入外延层所致,理论分析与实验结果相吻合。 相似文献
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本文介绍GaAs/AlAs超晶格的室温近共振喇曼散射测量结果。由于超晶格中Fr?hlich相互作用的共振增强效应,GaAs LO声子偶模的散射得到了很大的增强。和前人的结果一样,在偏振谱我们观察到了偶模。但和前人的结果不同,在退偏振谱中我们观察到的是奇模,而不是偶模。从而证明了在近共振条件下LO声子限制模仍遵从与非共振时一样的选择定则。二级喇曼散射实验结果表明,在偏振谱中二级谱是由两个偶模组合而成,而在退偏振谱中的二级谱与前人的结果不同,由一个奇模与一个偶模组合而成。上述结果与最近提出的黄朱模型的预言是一
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In this paper, the growth and characteristics of ZnCdSe/ZnSe quantum wells (QWs) prepared on ZnO-Si (111) templates are reported. An oriented ZnO thin film with a smooth surface was employed to be the buffer layer for the ZnCdSe/ZnSe QWs growth. Scanning electron microscopy (SEM) patterns showed that the ZnO buffer layer improved the smoothness of the ZnCdSe/ZnSe sample. Up to the 3rd longitudinal optical phonon of Zn0.56Cd0.44Se observed in Raman spectra suggests that the crystal quality of ZnCdSe/ZnSe QWs is reasonably good. The influence of quantum confinement effect on exciton characters of the QWs was also demonstrated. 相似文献