Hn^＋（n≤7）团簇）在Au—Si面垒探测器死层中的能损

利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器是灵敏区前的死层作为靶物质,研究了Ｈｎ＾＋（ｎ≤７,２５０ｋｅＶ／ｐ－４５０ｋｅＶ／ｐ）团簇的其中的能损,得到能损比Ｒｎ〉１,且随团簇大小ｎ和平均每核子能量增加而增大。