低压等离子体增强化学汽相沉积法制备立方氮化碳薄膜

用低压等离子体增强化学汽相沉积法和氮化硅中间过渡层的方法，在硅片和玻璃上，制备了立方氮化碳薄膜.用光电子能谱测试了其成分和结合能，薄膜含氮量为42.96%.C1s和N1s的结合能分别为285.01和398.60eV.透射电子显微镜研究表明，制备的氮化碳属于体心立方结构，根据衍射花样，计算的晶格常量a为0.536nm，这与理论预言的结果a为0.53973nm很接近.随着沉积的时间增长，还观测到了氮化碳薄膜的菊池花样.在玻璃上沉积的氮化碳薄膜在可见光和近红外区域是透明的，在400nm处有光吸收. 关键词：     

氮化碳薄膜的制备及研究现状

 氮化碳具有良好的物理、化学性质和广泛的应用前景。目前主要采用化学气相沉积法、离子束溅射法、激光等离子体沉积和激光烧蚀、离子镀、离子注入法等制备方法。文中对氮化碳的结构、性质、制备、性能表征以及研究现状进行了比较详细的介绍。     

偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响

利用空心阴极放电等离子体源在Si（100）单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜．薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑，用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究．在拉曼光谱中可以看到典型的G，D和C=N键的峰．当偏压为250V时．薄膜拉曼光谱中的D峰完全消失，此时薄膜的N／C比达到了0．81．通过对薄膜的XPS分析也表明薄膜中C—C，sp^2 CN和sp^3 CN键的组分也发生了明显的变化．当偏压为250V时薄膜的sp^3 CN相的含量达到了最大值为40％，同时氮含量也达到了最大值．实验结果给出了直接的证据：薄膜的结构模式可以通过改变偏压来得到控制．     

氮化碳薄膜的X射线光电子谱

用ＸＰＳ研究射频－直流等离子体增强化学气相沉积获得的氮化碳薄膜的化学结构。Ｃ１ｓ和Ｎ１ｓ芯能级电子谱分析表明：在ＣＮ膜中含有Ｎ－ｓｐ＾３和Ｎ－ｓｐ６２两类化学结构,在高含Ｎ膜中还含有少量的Ｎ－ｓｐ相,且代表Ｎ－ｓｐ＾３结构的原子 比为１．２８,接近４：３,证明此膜中存在类β－Ｃ３Ｎ４相。     

等离子体增强化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的光学发射谱研究

利用光学发射谱技术对直流辉光放电等离子体增强的化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的等离子体进行了原位诊断，结果表明主要的辐射有N2的第二正系跃迁、N2^ 的第一负系跃迁、CN和NH的紫外跃迁。研究了气源中氢气含量、放电电流及沉积气压的变化对N2（337.1nm)，N2^ (391.4nm)和CN(388.3nm)辐射强度的影响，并在此基础上探讨了这几种跃迁的激发机制，其结果为氮化碳合成中优化沉积参数、控制实验过程提供了依据。     

理论预言的氮化碳超硬膜研究新进展

β－Ｃ３Ｎ４的理论预言发表之后，经过广大科学工作者近１０年的努力，已经取得了一些重要的进展，理论上对碳氮化合物的研究已经更为广泛和深入。实验合成方面也取得了长足的进展，文章作者在Ｓｉ、Ｐｔ等基底上初步合成了晶态β－Ｃ３Ｎ４薄膜，实验分析表明，薄膜主要由α－或β－Ｃ３Ｎ４晶相组成，成分接近理论值，Ｎ／Ｃ原子比接近４／３，并且薄膜中的Ｃ和Ｎ以Ｃ－Ｎ单键结合。     

PECVD纳米晶粒硅薄膜的可见电致发光

在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在500—800nm之间，它有两个分别位于630—680nm和730nm附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结构特性对载流子的传导通道进行了讨论，并且对发光机制进行了初步解释 关键词：