高温超导薄膜中的涨落超导电性及其维度

对RBa₂Cu₃O_7-δ(R=Y,Gd)超导薄膜电阻温度关系的仔细测量,观察到在T_c附近有相当强的超导涨落现象,研究发现,多晶和外延的YBa₂Cu₃O_7-δ薄膜在T_c以上均呈现出2D涨落超导电性;而当温度趋向于T_c时,有—2D向3D的转变发生,这与Lawrence-Doniach理论很好地相符,实验中还发现,一 关键词：     

锶掺杂钡位对YBCO晶体结构和超导电性的影响

利用XRD对系列样品YBa2-xSrxCu3O7-δ的(x=0~0.2)晶体结构进行研究,给出了体系相结构的掺杂效应,结果发现,随着掺杂量的增加,样品的晶体结构由正交相向四方相转变.同时采用四引线法对掺杂样品YBa2-xSrxCu3O7-δ的超导电性能进行了系统测量,发现随着锶掺杂量的增加,样品的超导转变温度总体呈明显降低趋势,并初步分析了钡位锶掺杂所引起的晶体结构变化对超导电性的影响.     

水对Tl2Ba2CaCu2O8外延薄膜超导电性的影响

我们研究了水对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８外延薄膜超导电性的影响。将不同条件下生长的薄膜直接浸泡在水中，分别进行Ｔｃ和Ｊｃ测量。实验结果表明，结晶很好的外延薄膜的超导电性在水中非常稳定。而薄膜在水中受腐蚀的主要原因是薄膜中存在ＣａＯ和ＢａＯ组成的非晶夹杂物所致。同时还发现，薄膜受到光刻胶、银胶、铟或银电极的污染后，都会使薄膜加速受到水的腐蚀。     

ZrNCl薄层中基于固体离子导体场效应管的电场诱导的超导电性

场效应晶体管(FET)可以通过电场可逆调控材料的载流子浓度,是一种控制二维材料系统电学性质的有效方法.最近,作者实验室发明了一种新的场效应晶体管器件,它利用固体离子导体(SIC)作为栅介质,通过电场驱动锂离子进出样品来调控样品的载流子浓度,从而控制样品的物理性质和相变.在本论文中,作者利用这种新型的固体离子导体基场效应管器件(SIC-FET)成功地调控了ZrNCl薄层的电学性质.通过施加电场,将固体锂离子导体中的锂离子插入ZrNCl薄层样品中,实现了样品从绝缘体到超导体的转变,最佳超导电性的中点临界温度约为15.1K.实验结果表明,固体离子导体基场效应管器件具有在层状材料中引入载流子的优异性能,该器件将是寻找新的超导体和其他新奇电子相的有效途径.     

聚合物慢极化的唯象理论

将晶态相变中的唯象理论方法推广用于聚合物，说明了聚合物结构转变过程中的介电行为和空间电荷驻极体效应．晶态相变是一级结构的转变，联系着快极化介电常数ε_h的异常．聚合物的各种转变是二级和三级结构的转变，ε_h并无异常而出现慢极化介电常数倒数ε_l^-1的抛物型软化．理论与聚丙烯的实验结果很好地符合 关键词：     

钡位Mg掺杂对YBa2Cu3O7-δ晶体结构和超导电性的影响

利用XRD对系列样品YBa2-xMgxCu3O7-δ的晶体结构进行研究,给出了体系相结构的掺杂效应,结果发现,随着掺杂量的增加(x=0～0.2),样品的晶体结构由正交相向四方相转变.同时采用四引线法对掺杂样品YBa2-xMgxCu3O7-δ的超导电性能进行了系统测量,结果表明随着Mg掺杂量的增加超导转变温度总体呈明显降低趋势.初步分析了Ba位Mg掺杂所引起的晶体结构变化对超导电性的影响.该研究结果为高温超导机理的进一步研究提供了实验资料.     

MgB2超导电性的发现及新一轮高临界温度超导研究热潮

2001年1月10日,在日本召开的学术会议上,Aoyama Gakuin大学的J.Akimitsu教授宣布和MgB2显现超导电性（Tc＝39K）,紧接着一系列研究工作表明,MgB2属于BCS超导体,这些发现引起了新一轮高临界温度超导研究热潮。     

LaO1-xFxBiS2 层状材料超导电性研究

层状材料一直是超导研究领域的热点材料, 陆续有数十种新型的层状超导材料被不断发现, 从至今为止超导转变温度最高的铜氧化物材料, 到铁基超导, 再到诸多新型的层状材料, 学者们关于超导微观机制的理解也在随之更新, 从取得成功的 Bardeen-Cooper-Schrieffer 经典理论到至今无法解释的非常规超导机制, 研究之路从未停止. 本文将研究利用助熔剂法合成的 LaO1 -xFxBiS2 材料的结构、 电阻、 磁化率等性质, 并与国际社会上已存在的研究成果进行对比, 同时从晶体结构、 压力效应、 体超导电性、 临界温度、 微观机制五个方面, 对近年发现的镧系铋硫基层状超导材料的研究情况进行讨论.     

超导电性发现的历史回顾

回顾了超导电性发现的科学技术条件、过程,以及这一过程中的科学思想方法和经验,说明了超导电性的发现并非是偶然的,通过对超导电性发现的历史回顾,希望能对掌握科学发展的基本规律有所裨益。     

自由电子激光光场混沌的唯象理论

用唯象理论模型讨论了储存环型自由电子激光振荡器的光场混沌问题,通过理论分析和数值模拟发现,当激光共振腔内存在对增益的弱周期调制时,光场强度随时间的变化既可以是周期的,又可以是混沌的,相应的最大Lyapunov特征指数分别随时间的增大而趋于一个负实数与一个正实数,进一步的讨论还给出了随着增益调制参数的变化,系统经过倍周期分叉进入混沌状态的过程.     

欧姆加热共蒸Y—Ba—Cu—O薄膜的金属—非金属转变及其对超导电性的影响

利用欧姆加热三元共蒸的方法制备了 Y-Ba-Cu-O 薄膜.研究了组分、热处理温度和降温速度诱导的金属-半导体转变及其对超导电性的影响.在这些研究的基础上,第一次利用欧姆加热三元共蒸方法获得了零电阻温度超过液氮温度的 Y-Ba-Cu-O 超导薄膜.其起始超导 T_c为98K,零电阻超导 T_c 为78.6K,中点超导 T_c 为84K,△T_c 为12K.     

不同Ba含量的Y—Ba—Cu—O体系多晶材料的相组成及其超导电性

本文采用Ｒａｍａｎ光谱分析方法对名义组分为ＹＢａｘＣｕ３Ｏ７－ｙ（ｘ＝２．０，１．８，１．６，１．２，０．６）的系列样品的相组成和超导转变温度的关系进行了分析，结果表明：１）在制备Ｙ（１２３）相材料过程中，Ｂａ元素的含量对样品的成相有着重要影响，在高Ｂａ含量的Ｙ（１２３）相样品中，容易产生ＢａＣｕＯ２相杂质，在低Ｂａ含量的样品中则容易产生Ｙ（２１１）、（Ｙ２ＢａＣｕＯ５）相杂质，而Ｂａ含量适当低于     

新型锕填充硼碳笼型化合物的超导电性

Ac元素作为锕系第一号元素,AcH₁₀的超导转变温度(T_c)达到251 K,是潜在的室温超导体。XB₃C₃(X表示不同的金属掺杂元素)是新发现的sp³笼型化合物,同时具有强共价特性和超导特性,是潜在的高温超导材料。采用第一性原理密度泛函理论,探索以XB₃C₃、XB₂C₄和XB₄C₂笼型结构为原型、引入Ac元素掺杂的AcB₃C₃、AcB₂C₄和AcB₄C₂的晶体结构、晶格动力学、电子性质和超导特性。研究发现:AcB₂C₄在0～200 GPa区间内难以合成;常压下AcB₃C₃表现为间接带隙半导体,带隙宽度约为1.154 eV。根据力学稳...     

零电阻为106.5K的单相超导化合物Bi1.65Pb0.35Sr2Ca2Cu3Oy的制备与超导电性

采用固相反应法合成了名义组份为Bi_2-xPb_xSr₂Ca₂Cu₃O_y (x=0.30;0.35;0.40;0.45)的样品。对样品进行了物相和结构分析,同时测量了电阻-温度关系和直流磁化率。结果表明:x=0.35的样品为单相材料,X射线相分析和电子衍射表明其相结构类似2223相,为四方结构,其晶格常数为a=b=5.414?,c=37.106?,且沿a,b两个方向都观察到调制结构。电阻和直流磁化率测量结果显示:在温度高于50K以上,仅存在一个107K超导相。此外,单相材料的制备条件(组分、烧结温度、室温下淬火及淬火速率)非常苛刻。如同1-2-3相材料一样,氧含量不仅影响样品的成相规律、零电阻温度,而且还严重影响其正常态的输运性质。 关键词：     

高纯度超导氧化物RuSr2GdCu2O8的合成与超导电性

RuSr2GdCu2O8据报道是转变温度为30－40K的超导体，其合成的主要问题是，在合成过程中有相当多的铁磁性的SrRuO3杂相伴随着主相一起生成，本文报道了合成RuSr2GdCu2O8（Ru-1212相）纯相的新方法，即在O2和水蒸气气氛中首先合成纯相的Sr2GdRuO6(Ru-211相）先驱物，然后Sr2GcRuO6与CuO高温烧结，生成RuSr2GdCu2O8。合成的RuSr2GdCu2O8电阻为半导体温度行为，该体系的超导转变与生成的杂相有关。     

数理统计方法与超导电性

使用皮尔逊(Pearson)统计量 H^2,证明 H^2相似文献   

YBaCuO体系大型样品制备及超导电性

 应用流体静压法制备YBaCuO体系大型高T_c超导棒材。样品尺寸为Φ11 mm×115 mm，其中外形规正，密度均匀。超导转变参数为：起始转变温度为105～106 K，零电阻温度为89～92 K，中点转变温度为92～93 K，转变宽度为5 K左右。     

形形色色的制冷技术

随着科学技术的发展,制冷技术已渗透到从日常生活到衣、食、住、行到尖端科技的各个领域。100多年来,新的制冷技术层出不穷、飞速发展,本文将简单介绍目前的主流制冷技术。一、焦耳-汤姆孙效应制冷实验证明,管外包裹不导热材料、管中安装一个多孔塞或节流阀,使多孔塞两边维持较大压强差(一边高压强P1、另一边保持低压强P2),气体就会从气压高的一边经多孔塞缓慢流向气压低的一边,并达到稳定状态,这个过程就叫节流过程,气体在节流过程前后温度改变的现象称为焦耳-汤姆孙效应。在节流过程中,气体压强与温度的变化为dT=μdP(μ为焦汤系数)。μ…