周期磁场调制下的二维电子结构

基于有限差分方法,研究周期梯度磁场调制下二维电子气的电子性质.结果表明:由于周期梯度磁场的存在,体系展现出丰富的电子能带结构.其子带的宽度随|k_y|增大而不断变窄,|k_y|越大势阱越深;由于在k_y > 0和k_y < 0两个区域的有效势能不一样,其能带结构在两个区域不一致且在k_y > 0的区域中形成更多束缚态.通过改变磁条周期、磁条到2DEG的距离及磁化强度研究其对电子能带结构的影响.     

导体对磁场的屏蔽作用分析

分析了导体球壳对静磁场和对交变磁场的屏蔽作用,讨论了影响导体球壳对静磁场和对交变磁场的屏蔽作用的因素.     

中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响。研究表明：在中高入射能下,截面的角分布由 binary 峰和 recoil 峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献。更进一步,修正后的 binary 峰的幅值对入射电子能量 和散射电子偏角 的变化比较敏感。     

中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感.     

低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应的温度相关性

为了揭示低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应与温度之间的关系, 在德国鲁尔大学实验室的100kV加速器上系统测量了T=200\textcelsius时元素周期表中第三、四族以及镧系元素氘化靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应. 由于氘在介质中的溶度(介质对氘的吸附能力)随温度升高而迅速下降, 该温度下金属表面不能形成氘化物, 导致金属性增强, 因而观测到了比常温下更显著的电子屏蔽效应. 这一测量结果可以用德拜模型来解释. 为了进一步验证德拜模型, 还测量了不同温度下氘化Co和Pt靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应, 得到了电子屏蔽效应和温度 相关性的曲线. 实验结果与德拜模型的预言相符.     

HL-1装置的磁场测量

本文叙述了HL-1装置环向场线圈、内外垂直场线圈,欧姆变压器初级绕组和偏磁绕组的磁场测量方法和结果,初步讨论了带有切口的铜壳对磁场的影响。     

超强磁场中核磁共振信号与屏蔽效应的理论研究

研究了超强磁场对于核磁共振样品中双原子分子中电子系统的哈密顿量的影响,并且给出了磁共振信号中由于外磁场与氢原子电子系统相互作用所产生的含有B02的修正项.基于核磁共振原理,获得了利用氢的NMR谱对超强磁场进行精确测量的理论依据,推导出了一种基于核磁共振技术的超强磁场测量公式,从而在理论上证明了对超强磁场进行精确测量是可行的.     

电子束泵浦氩中高能电子分布的理论计算

 改进了文献中报导的Boltzmann基本方程。与Boltzmann基本方程相比，改进后的Boltzmann方程更全面地描述了电子与基态氩原子碰撞的物理过程，并能计算出整个能量区间的电子分布。利用Boltzmann基本方程和改进的Boltzmann方程，对电子束泵浦氩中能量大于氩原子第一激发态能量(11.56eV)的高能电子分布函数进行了理论计算。计算中，选取了电子碰撞氩的微分电离截面和激发截面的解析表达式。对计算所得的稳态电子分布函数以及达到稳态分布所需的特征时间进行了分析和讨论。     

电子束泵浦氩中高能电子分布的理论计算

改进了文献中报导的Boltzmann基本方程。与Boltzmann基本方程相比,改进后的Boltzmann方程更全面地描述了电子与基态氩原子碰撞的物理过程,并能计算出整个能量区间的电子分布。利用Boltzmann基本方程和改进的Boltzmann方程,对电子束泵浦氩中能量大于氩原子第一激发态能量(11.56eV)的高能电子分布函数进行了理论计算。计算中,选取了电子碰撞氩的微分电离截面和激发截面的解析表达式。对计算所得的稳态电子分布函数以及达到稳态分布所需的特征时间进行了分析和讨论。     

在屏蔽墙外用雷姆计测量高能中子的修正因子

考虑到穿过混凝土屏蔽墙后中子能谱相对变“硬”的效应和中子雷姆计的能量响应特性,计算了用10英寸直径单球雷姆计和标准A–B雷姆计在屏蔽墙外测量中能重离子反应出射高能中子剂量当量的修正因子.     

引导磁场对收集极中电子能量沉积的影响

理论分析了引导磁场对收集极材料中电子运动的约束作用,推导了引导磁场作用下二次电子的逃逸条件,利用蒙特卡罗方法计算了引导磁场作用下电子束在收集极中的能量沉积规律。研究结果表明:引导磁场对电子在材料内部的运动约束作用很弱,对二次电子有强约束作用;大部分二次电子经拉莫回旋再次轰击在收集极上被收集,逃逸的二次电子沿引导磁场方向进入束波作用区;增大电子的入射角度时,束流密度的降低和二次电子的再次入射降低了收集极中电子的最大沉积能量密度,提高了收集极的耐电子轰击能力。     

超热电子在非均匀磁场中的运动轨迹

在电子磁谱仪中实际的磁场强度分布是不均匀的,这就造成电子束在探测器上的位置和分布与均匀磁场假设下的结果的不同.根据实验测出的磁谱仪实际的磁场分布对磁谱仪中电子束的轨迹进行了研究 关键词： 电子磁谱仪     

Weakly bound electrons in an external magnetic field

The electron behavior in a spherical symmetric potential well in the presence of an external magnetic field is studied. The transcendental equation for the energy spectrum is derived. The energy of the bound state is approximately calculated. The electron wave function and the probability current are found.     

负氢离子源中多峰磁场形态数值模拟

基于磁荷模型,在有限差分法基础上,推导了3维永磁体数值算法,结合全3维PIC/MCC粒子模拟算法,数值分析比较了外置型和“伞状”型两种特殊形态多峰磁场对电子能量沉积的影响。模拟结果表明:二者都能对粒子起到约束作用且能过滤引出负氢离子,同时二者电子能量分布规律基本一致,都呈现了双电子能态,符合等离子体放电基本机理;外置型过滤磁场对粒子的约束能力更强,能明显产生更多的粒子,总粒子数大约是“伞状”型过滤磁场情况下的4倍;“伞状”型过滤磁场能有效地抑制由磁场不均匀所引起的电子漂移,使产生的负氢离子空间分布更均匀。模拟结果与国外实验结果基本一致。     

霍尔推力器磁场位形及其优化的数值研究

基于麦克斯韦方程,在轴对称假设下建立了霍尔推力器磁场的数学模型.用有限差分方法对模型进行了离散.给出了数值求解模型的迭代法.通过对模型的数值求解,得到了相应的数值结果.通过对所得数值结果的分析,研究了磁场线圈电流变化对霍尔推力器磁场位形的影响.通过调整磁场线圈电流的大小找到了理想磁场位形.研究表明,对于理想磁场位形,内通道的磁镜比在3—3.5之间,外通道的磁镜比在0.4—0.9之间;增加磁场线圈的电流,出口的磁场强度随着增加,但不能增加磁镜比.通道内部的磁场强度几乎不随着磁场线圈电流的变化而变化. 关键词： 霍尔推力器 磁场位形 磁场线圈电流 磁镜比     

磁场下非对称T型量子波导的电子输运行为

运用模匹配方法和求解单电子薛定谔方程,来演示非对称T型磁量子结构的电子输运性质.结果表明,结构因子和磁势垒都能改变电子散射模数,电子输运谱因此变得复杂而丰富,散射区域出现了完全局域态和磁边缘态.在特定的结构参数和磁场强度下,能观测到宽谷、尖峰、共振透射和共振反射等电子输运现象,即可以通过调节磁场大小和结构参数来实现波矢过滤. 关键词： 介观体系 电子输运 磁效应     

磁场对四端量子波导中电子输运性质的影响

采用模匹配方法，研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质. 结果表明，从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端. 在没有外加磁场的情况下，两个垂直输出端的输运概率是相同的，但垂直端与水平端的输运概率不同；在外加磁场下，由于磁边缘态效应，两个垂直输出端的输运概率也有着相当大的差别. 通过施加不同的磁场，我们能获得丰富的电子输运结构，如台阶，宽谷，尖峰等；通过调节磁场的大小和比例以及结构参数可控制该量子结构在各输出端的输运概率. 关键词： 电子输运 介观体系 磁效应     

Spin polarization of electrons in magnetic heterostructures

The scattering of nonspin-polarized electrons on a heterostructure containing a magnetic element (a nonmagnetic barrier adjoining a magnetic one from left or right, or a magnetic well between two nonmagnetic barriers) is considered. The transmission coefficients and degrees of the spin polarization of electrons transmitted through these structures are obtained.     

Thermodynamic and magnetic properties of the electron gas in the inhomogeneous magnetic field Hr−1

The nonrelativistic and relativistic energy eigenvalues of the electron in the inhomogeneous magnetic fieldH _z =Hr ⁻¹,r=(x ² +y ²)^1/2 are derived in a form displaying the explicit spin dependence. The possibility of magnetic hydrogen atom formation and the spontaneouse ⁺ e ⁻ pair creation following from these eigenvalues is mentioned. The expressions for pressure, energy, particle number and magnetic moment of an electron gas in this IMF are calculated in the degenerate limit. The possibility of spontaneous magnetisation,i.e., ferromagnetic behaviour, is established. Further, the pressure of the electron gas in the same type of fields is an order of magnitude higher than those in a homogeneous magnetic field and crossed homogeneous electric and magnetic fields for comparable field strengths.     

磁场作用下的有机电致发光

分别制备了荧光器件ITO/NPB/Alq₃/LiF/Al和磷光器件ITO/NPB /CBP: Ir（ppy）₃/BCP/Alq₃/LiF/Al, 测试了50 mT磁场作用下器件的I-V和L-V特性. 与零磁场相比荧光器件和磷光器件的效率分别增加了44%和7%. 从有机电致发光的机制出发对该现象进行了解释, 认为外加磁场可以使三重态激子发生塞曼分裂, 进而在荧光器件中引起了三重态激子T