Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察

本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。 关键词：     

湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延法,在刻有周期性孔点阵结构的Si衬底上生长了ZnO二维周期结构薄膜,系统研究了湿法化学刻蚀对孔形点阵Si(100),Si(111)基片表面形貌的影响,以及两种初底上ZnO外延薄膜的结晶质量与周期形貌的差异.X射线衍射及扫描电子显微测试结果表明：Si (111)衬底上生长出的ZnO二维周期结构薄膜具有较好的结晶质量与较好的周期性表面形貌.该研究结果为二维周期结构的制备提供了一种新颖的方法. 关键词： ZnO 分子束外延 Si 湿法刻蚀     

用RHEED强度振荡锁相外延控制Ge/Si超晶格的生长

观察了Ge,Ge/Si交替外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象,并由此研究了Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Ge,Ge/Si超薄叠层的生长行为和生长特性。利用RHEED强度振荡,锁相控制生长了Ge(2ML)/Si(2ML),Ge(4ML)/Si(4ML)超薄超晶格。 关键词：     

GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制

用Si分子束外延技术在GaP(111)衬底上生长Si时,发现Si外延层表面存在P偏析,根据俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED)在一系列不同实验条件下的结果,本文对P偏析产生的机制、外延层表面再构与P偏析之间的关系作了分析和讨论,得出偏析主要来自外延Si原子与衬底P元素之间的相互交换。在此基础上提出了一种能有效地抑制P偏析同时又改善外延层质量的新的Si/GaP(111)异质结制备方法。 关键词：     

Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜

使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜在500 ℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用. 关键词： GeSn Ge 分子束外延 外延生长     

第五届全国分子束外延学术会议简讯

第五届全国分子束外延学术会议于１９９９年６月２０日至２５日在云南省昆明市举行．会议由中国电子学会电子材料学分会和有色金属学会半导体材料学术委员会主办,中国科学院红外物理国家重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所承办,昆明物理研究所协办．本届会议是我国分子束外延科学技术领域的第五次盛会．本届会议参加单位共４０个,出席代表１３４人,收到论文１０８篇,是历届会议的新记录．我们高兴地看到,参加本届会议的有代表我国分子束外延主流和最高学术水平的骨干单位,也有加入分子束外延行列不久或即将加入这个行列的单位…     

化学束外延（CBE）技术

化学束外延是最近几年发展起来的一种新的外延技术．本文在把化学束外延与分子束外延和金属有机物化学气相淀积比较的基础上，介绍了化学束外延的基本原理、生长动力学过程和它的突出优点，同时总结了该技术在半导体材料和光电器件制备方面的应用，最后简要指出了目前它存在的不足之处．     

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10^-5Ω·cm,迁移率达到5830 cm²/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底 关键词： 激光分子束外延 TiN单晶薄膜 外延生长     

Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察

本文观察了在Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Si,Ge时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象。其振荡特性表明,外延一定厚度的缓冲层可以改善表面的平整性,较慢的生长速率或中断生长一段时间有利于外延膜晶体质量的提高。Si(100)上外延Si或Ge时,沿[100]和[110]方位观测到的振荡特性均为单原子模式,起因于表面存在双畴(2×1)再构;而Si(111)上外延Ge时,[112]方位观测到的振荡为双原子层模式,但在[110]方位观察到不均匀周期的强度振荡行为。两种衬底上保持RHEED     

高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x的分子束外延生长模式

用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi_1-x材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经过10nm左右的Si生长才能获得比较平整的表面.Si,Ge_xSi_1-x外延时的稳定表面均以双原子台阶为主,双原子台阶与单原子台阶并存的结构.Si双原子台阶上的Si二聚体列(dimerrow)取向垂直于台阶边缘,而Ge_xSi_1-x双原 关键词：     

分子束外延动力学参数的测定

讨论了分子束外延的动力学生长模型。并以高能电子衍射的表面鉴定方法,为这一模型提供了证据.以GaAs为例研究了分子束外延的生长速率。并以四极质谱的测定,验证了该速率与Ga通量的关系。从理论与实验两个方面,研究了生长具有特定X值的Ga_(1-x)Al_xAs材料时,适宜的Ga和Al的分压比。并给出了掺杂元素Si,Sn,Be的掺杂浓度与相应元素泻流盒温度的关系.     

低温Si(111)-7×7表面Pb纳米薄膜的生长模式与沉积速率的依赖关系

本文利用超高真空腔室中的分子束外延手段在低温Si(111)衬底上外延生长Pb纳米薄膜.分析了不同沉积速率下Pb纳米薄膜的尺寸、台阶高度等参数变化情况,研究了不同条件下薄膜的形貌特性,并据此提出Pb纳米薄膜在不同沉积速率下的生长模式差异.     

我国第1台激光分子束外延设备研制成功

我国第１台激光分子束外延设备研制成功１９９６年５月下旬，国家自然科学基金委员会信息科学部会同中国科学院王大街院士、吴全德院士等专家，对中国科学院物理研究所杨国帧研究员主持的重点项目“激光分子束外延机理与关键技术研究”进行了中期评估。激光分子束外延是在...     

(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光

用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌,测量了其原生及退火后低温下的光荧光谱.对所得结果进行了分析. 关键词：     

用分子束外延法生长晶体

微波和电光工业的发展需要越来越薄的平面外延结构,这促进了人们对晶体生长的分子束外延技术进行深入的研究。现在,用分子束外延的方法能使基质晶体和掺杂材料的分布在生长方向上被控制到原子的精度。这样精密的控制不仅被用于研究各种新材料,而且还被用于制备各种半导体器件。本文介绍了分子束外延的过程和设备,并对一些用分子束外延生长的材料和器件作简单的评论。     

Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响

采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs).通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光谱(Raman)证实了掺杂GaAs纳米线中Si的存在;通过光致发光(PL)研究了非掺杂和Si掺杂GaAs纳米线的发光来源,掺...     

分子束外延

分子束外延是七十年代初在真空蒸发外延的基础上发展起来的一种新的外延技术.它是把要蒸发的外延物质,放在喷射炉中,在10-10托以上超高真空的喷射室内加热,使物质蒸发.蒸气分子从喷射炉的小孔射出,成为分子束,直接在保持有一定温度的衬底上淀积(见图1). 从分子一个一个地粘附在衬底表面形成外延淀积这一点来看,分子束外延与真空蒸发外延本质上相同.但普通真空蒸发系统的真空度为10-6托左右,系统内残留的气体分子有相当一部分会掺入到外延层.因此,要求有较高的淀积速度,以免残留气体严重掺入.分子束外延在10-10托以上的超高真空下进行,除统内…     

我国首台激光分子束外延设备和关键技术研究鉴定、验收会简讯

我国首台激光分子束外延设备和关键技术研究鉴定、验收会简讯由中国科学院物理研究所杨国桢所长主持的科研项目“激光分子束外延设备与关键技术研究”，在有关方面的共同努力下，经过４年多的努力，于１９９７年１２月１５日，成功地通过了中国科学院的院级鉴定及验收．薄...     

全国第二届分子束外延会议简讯

全国第二届分子束外延会议简讯全国第二届分子束外延会议于１９９３年９月４日至７日在成都市举行。参加会议的１２０名代表分别来自中国科学院、高等院校、电子工业部、航空航天工业部署单位。他们从事分子束外延材料、器件和物性研究以及设备的研制工作，会议收到论文１...     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。