MOCVD外延Hg_(1-x)Cd_xTe/Cd_(1-y)Zn_yTe薄膜的光致发光

利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd0 96Zn0 0 4 Te衬底上生长的Hg0 8Cd0 2 Te外延薄膜样品在光谱范围 5 0～ 5 0 0 0cm-1进行了测量 ,在其中的一块样品上首次发现了 1 4 3eV至 1 93eV范围内出现的具有周期结构的光致发光峰 ,该发光峰对应的能带中心位于Hg0 8Cd0 2 Te外延层导带底上方 1 73eV ,在另外一块外延薄膜样品中仅观察到四个Raman散射峰 ,没有周期结构的发光峰。为了分析上述光致发光的起因 ,对两块样品进行了X射线的双晶回摆曲线样品结构分析 ,得出样品在 1 4 3eV至 1 93eV范围的光致发光峰是由于改进MOCVD生长工艺提高了样品的结构质量所致 ,通过分析指出该光致发光峰是来源于Hg0 8Cd0 2 Te外延层中的阴性离子空位的共振能级。     

高线性度Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管优化设计

对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了器件的层结构参数对器件性能的影响.结合理论分析和仿真结果确定了器件的最佳外延层结构Al0.31Ga0.69N/Al0.04Ga0.96N/GaNHEMT.对栅长1μm,栅宽100μm的器件仿真表明,器件的最大跨导为300mS/mm,且在栅极电压-2—1V的宽范围内跨导变化很小,表明器件具有较好的线性度;器件的最大电流密度为1300mA/mm,特征频率为11.5GHz,最大振荡频率为32.5GHz.     

Ba_xY_(1-x)CuO_(3-y)系列的高Tc超导电性

本文研究了钡-钇-铜氧化物的高Tc超导电性,其名义组份为Ba_xY_(1-x)CuO_(3-y)(0.05≤x≤0.95)。结果表明,x<0.50时,超导转变温度TC_(1/2)随组份x单调上升;在较宽的组份范围0.60相似文献   

M_yM′_(1-y)FCl_xBr_(1-x):Sm~(2+)材料制备光谱性质和光谱烧孔

本文介绍用高温固相扩散方法制备M_yM′_(1-y)FCl_xBr_(1-x):Sm~(2+)(M′=Mg、Ca、Sr、Ba;x,y=1,0.8,…,0),并对这些系列材料发光性质进行了研究.结果表明:非均匀线宽主要受材料中阴离子随机分布影响;材料中x的变化及M,M′的不同或y的变化,对Sm~(2+)的4f~55d能级位置都有影响;对于BaFCl_xBr_(1-x):Sm~(2+)和Sr_yCa_(1-y)FCl_(0.5)Br_(0.5):Sm~(2+)系列材料~5D_0—~7F_0发射峰值与x、y值关系给予了理论解释;选择出较好的光谱烧孔材料Mg_(0.5)Sr_(0.5)FCl_(0.5)Br_(0.5):Sm~(2+),研究了其热猝灭规律,实现了这种材料在77K下的光谱烧孔,对其孔深、孔宽、烧孔能级、存储密度进行了测量计算,为进一步改善材料,研究烧孔机制提供了依据.     

Intersubband transitions in In_xAl_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N quantum well operating at 1.55 μm

In this paper, we theoretically study the effects of doping concentration NDand an external electric field on the intersubband transitions in InxAl(1-x)N/InyGa(1-y)N single quantum well by solving the Schr¨odinger and Poisson equations self-consistently. Obtained results including transition energies, the band structure, and the optical absorption have been discussed. The lowest three intersubband transitions(E2- E1),(E3- E1), and(E3- E2) are calculated as functions of doping concentration ND. By increasing the doping concentration ND, the depletion effect can be reduced, and the ionized electrons will compensate the internal electric field which results from the spontaneous polarization. Our results show that an optimum concentration NDexists for which the transition 0.8 eV(1.55 μm) is carried out. Finally, the dependence of the optical absorption α13(ω) on the external electric field and doping concentration is studied. The maximum of the optical absorption can be red-shifted or blue-shifted through varying the doping concentration and the external electric field. The obtained results can be used for designing optical fiber telecommunications operating at 1.55 μm.     

Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.     

晶格失配对GaInP/In_xGa_(1-x)As/In_yGa_(1-y)As倒装三结太阳电池性能影响的分析

传统GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池因受其带隙组合的限制,转换效率再提升空间不大.倒装结构三结太阳电池因其更优的带隙组合期望可以得到更高的效率.基于细致平衡原理,结合P-N结形成机理,应用MATLAB语言对双晶格失配GaInP(1.90 eV)/In_xGa_(1-x)As/In_yGa_(1-y)As倒装结构三结太阳电池底、中电池的不同带隙组合进行模拟优化.模拟结果表明在AM1.5D,500倍聚光(500 suns)下,禁带宽度组合为1.90/1.38/0.94 eV的带隙最优,综合材料成本与试验条件,当顶、中电池最优厚度组合为4μm和3.2μm时理论转化效率高达51.22%,此时两个异质结的晶格失配度分别为0.17%和2.36%.忽略渐变缓冲层生长后底电池位错的影响,通过计算0.17%的晶格失配引入1.70×105cm~(-2)的插入位错密度,对比单晶格失配GaInP/GaAs/In_(0.32)Ga_(0.68)As(0.99 eV)倒装结构三结太阳电池光电转化效率仍提高了0.3%.     

YBa_2(Cu_(1-x)Sn_x)3O_(7-y)超导体的磁弛豫和钉扎

我们制备了一组 YBa_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_(7-y)多晶超导样品,在77K 时测量了它们的磁滞回线和增场磁弛豫率,计算了它们的钉扎势 U_0结果表明,在相同制备工艺条件下,掺锡样品的钉扎势比不掺锡(x=0)样品的高.结合 TEM、X-射线衍射和喇曼谱分析结果,我们认为YBa_2Cu_3O_(7-y)超导体中的位错不是主要钉扎中心,掺锡样品中的β-Sn 正常粒子可能是有效的钉扎中心.     

YBa_2Cu_(3-x)Sn_xO_(7-y)体系的结构及超导电性

本文系统地研究了 Sn 含量对 YBa_2Cu_(3-x)Sn_xO_(7-y)体系超导电性和结构的影响.结果发现,在 x=0—1.1范围,该体系的零电阻温度均在90K 以上.当 x≥1.3时,在液氮温区不超导.X 射线衍射分析表明,该体系中的123相和未知新相的结构随 Sn 含量的增大呈现有规律的变化.结合透射电镜的分析,初步得出此新相可能是结构畸变了的 BaSnO_3;123相中,当x=1.0时,在123相中约有0.2个 Cu 被取代.占 Cu 总量的6%左右.由此我们认为:Sn替代 Cu 后新生成的相在较宽广的组分范围调制了123相的结构,稳定了123相.少量的 Sn进入123相后,替代了 Cu-O 链中 Cu 的格位,破坏了 Cu-O 链,但仍保持90K 以上的超导性,由此表明 Cu-O 链对高温超导可能不起主要作用.     

YBa_2Cu_(3-x)Zn_xO_(7-y)体系的超导电性和热稳定性

制备了 YBa_2Cu_(3-x)Zn_xO_(7-y)系列单相样品,X-射线衍射法分析了样品的结构,测量了各样品的 R-T 关系和热分解温度.首次在该体系中发现了 Cu-O 而支配超导电性的实验证据.实验还表明.随着 x 值的增大,样品的热分解温度从1007℃ 逐渐降低到940℃.热稳定性与结构参数、超导电性有较强的关联.     

用激光干涉法测量长度的智能化处理技术研究

介绍利用激光干涉与数字图像处理技术以及应用FFT分析干涉涤纹方法，分析并解决测量端面长度标准中条纹图的处理技术。应用这种方法不但提高了测试过程的自动化程度，而且大大地提高了测量精度。文中给出了最典型的端面长度标准量块的干涉条纹小数部分的实测结果。     

InAs SELF-ASSEMBLED NANOSTRUCTURES GROWN ON InP(001)

The 6-period stacked layers of self-assembled InAs quasi-quantum wires(qQWRs) and quantum dots(QDs) embedded into InAlAs on InP(001) substrates have been prepared by solid molecular beam epitaxy. The structures are characterized by atomic force microscopy(AFM) and transmission electron microscopy(TEM). From AFM we have observed for the first time that InAs qQWRs and QDs coexist, and we explained this phenomenon from the view of the energy related to the islands. Cross-sectional TEM shows that InAs qQWRs are vertically aligned every other layer along the growth direction [001], which disagrees with conventional vertical self-alignment of InAs QDs on GaAs substrate.     

扫描电镜微米级长度测量实验中不确定度的评定方法

讨论了近代物理实验中用扫描电子显微镜（SEM）进行微米级测量长度的不确定度评定方法。     

石油钢板长度在线测试仪

采用光电转换技术，利用单片机对石油钢板长度实现在线测量，通过微型打印机输出与生产有关的汉字信息。     

垂直生长碳纳米管阵列法向导热系数测量

本文使用3-omega方法对一种由垂直于石英玻璃表面生长的碳纳米管阵列组成的界面材料法向导热系数进行了测量。针对样品结构,提出一种一维简化模型,使用了等效热抗的概念对实验数据进行拟合,计算得到室温条件下(300K)本实验所用样品的导热系数约为17 W/(m·K)。分析了可能造成碳纳米管阵列导热系数偏小的各种因素。     

大型光学系统焦距的精确测量

主要分析目前国内外常用的光学系统焦距测量方法在大型光学系统焦距测量中存在的问题,提出了一种特别适用于大型光学系统焦距的测量方法,并对该测量方法进行了研究分析和验证,指出该方法还可推广应用于其它参数的测量。     

基于激光平面镜反射的长度测量仪的理论设计

给出了利用小型激光器和平面镜测量长度的基本原理,测量长度及其不确定度与平面镜转动角之间的关系,并例举了有关理论计算和分析．讨论了设计长度测量仪的注意事项．该长度测量仪可用于大学、中学物理实验教学和一般的长度测量．     

大气相干长度与等晕角的测量

介绍了大气相干长度与等晕角测量仪的测量原理和仪器的基本结构，报告了在昆明凤凰山云南天文台进行测量的结果，测得的ｒ＿０平均值为１２４ｃｍ，θ＿０的平均值为１０．６μｒａｄ，与温度脉动探空仪的资料比较，证明所得结果是可靠的。最后对仪器可能存在的影响测量误差的一些因素进行了分析。     

透镜焦距及球面曲率的测量

概述目前透镜焦距及球面曲率半径的测量方法，介绍透镜焦距及球面曲率半径的准直光束补偿测量法的原理，指出该方法的关键是对补偿光束准直性的检测，提出一种用准直光束补偿和横向错位进行干涉测量透镜焦距及球面曲率的新方法。     

液体扩散时的折射率分布和扩散系数的测定

本实验提供一种测量透明度或半透明度液体的折射率和扩散系数的方法。此方法可用于食品工业、日用化学工业、石油工业及制药工业部门。