La2CaB10O19∶Eu3+的VUV-VIS范围光谱的研究

研究了La2CaB10O19∶Eu3+红色发光材料的高分辨发射光谱和UV-VUV激发光谱. 根据发射光谱和荧光寿命, 认为进入晶格的Eu3+占据了两种格位, 一种Eu3+占据了与O2-离子十配位的La3+的格位, 另一种Eu3+则占据了与O2-离子八配位的Ca2+的格位. 又从激发光谱的分析中, 得到Eu3+的电荷迁移带(CTB)是峰值位于244 nm的宽带, 而位于130～170 nm之间的成份复杂的宽带包括硼酸盐基质的吸收带和Eu3+的f-d跃迁的结论.     

La2CaBl0O19：Ce3＋在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La2CaB10O19:Ce3 在VUV-Vis范围的光谱，发现Ce3 在La2CaBl0O19中共有两种格位．分别取代了十配位的La3 和八配位的Ca2 ．从而发射光谱中没有出现特征的双峰。而出现了峰值约位于307．330和356nm的3个发射峰．由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂．激发光谱中位于194，224,243,260,274和318nm的峰是由两个格位的Ce3 的f-d跃迁引起的．Ce^3 占据两个格位．可以通过以Eu3 为荧光探针的发射光谱中出现的两个5Do-7Fo跃迁得到验证．峰值位于162nm的激发谱带是基质吸收带．与基质禁带宽度相对应．通过计算．不排除其中包含O2-→Ce3 的电荷迁移带的可能性．     

BaLaB9O16：Eu,Tb的真空紫外光谱特性

采用高温固相反应法合成了BaLaB9O16:RE(RE=Eu,Tb)等离子荧光体，测量了它们的真空紫外激发光谱和147nm激发下的发射光谱。结果表明，硼氧阴离子基团基质吸收带位于150nm附近，Eu^3 电荷迁移带位移250nm附近，Tb^3 的4f-5d吸收位于150－260nm的区域内，相关数据表明，基质与稀土离子之间存在能量传递。     

La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的光谱, 发现Ce3+在La2CaB10O19中共有两种格位, 分别取代了十配位的La3+和八配位的Ca2+, 从而发射光谱中没有出现特征的双峰, 而出现了峰值约位于307, 330和356 nm的3个发射峰.由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂, 激发光谱中位于194, 224, 243, 260, 274和318 nm的峰是由两个格位的Ce3+的f-d跃迁引起的.Ce3+占据两个格位, 可以通过以Eu3+为荧光探针的发射光谱中出现的两个5D0-7F0跃迁得到验证.峰值位于162 nm的激发谱带是基质吸收带, 与基质禁带宽度相对应.通过计算, 不排除其中包含O2-→Ce3+的电荷迁移带的可能性.     

La_2CaB_(10)O_(19):Ce~(3+)在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La_2CaB_(10)O_(19):Ce~(3+)在VUV-Vis范围的光谱.发现Ce~(3+)在La_2CaB_(10)O-(19)中共有两种格位.分别取代了十配位的I。a’“和八配位的Ca”,从而发射光谱中没有出现特征的双峰,而出现了峰值约位于307,330和 356 nm的3个发射峰.由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂.激发光谱中位于194.224,243.260,274和318 nm的峰是由两个格位的Ce~(3+)的f-d跃迁引起的.Ce~(3+)占据两个格位,可以通过以Eu~(3+)为荧光探针的发射光谱中出现的两个~5D_(0-)~7F_0跃迁得到验证.峰值位于162 nm的激发谱带是基质吸收带.与基质禁带宽度相对应.通过计算,不排除其中包含O~(2-)→Ce~(3+)的电荷迁移带的可能性.     

表面活性剂组装的Y203：Eu纳米管及其位置选择光谱

利用表面活性剂为模板，通过自组装制备出了具有管状结构的Y203：Eu纳米材料。透射电子显微镜证实了管状结构的形成。在紫外光的激发下，Y203：Eu纳米管表现出与纳米颗粒不同的发光性质。由电荷迁移带和低温下的激光选择激发光谱可以推测，处于纳米管壁内部的发光中心具有较为确定的格位对称性，其发射光谱具有清晰的光谱结构。由于表面缺陷的存在，纳米管壁近表面的Eu^3 离子处于较为复杂的微环境中，其发射光谱表现为非均匀展宽的光谱线形。     

Ln(p-ABA)_3bpy·2H_2O的合成、晶体结构和光谱分析

报道了Ln(p-ABA)_3bpy·2H_2O(Ln=Nd,Eu,Yb)的合成和晶体结构、拉曼光谱及荧光光谱的测定。晶体属三斜晶系,P(?)空间群。中心原子配位数为8。羧基具有单齿、螯合双齿和桥式3种配位方式。配合物的拉曼光谱与晶体结构测定结果吻合。Eu(p-ABA)_3bpy·2H_O的高分辨激发光谱和发射光谱表明,Eu(Ⅲ)离子仅有一种晶格格位,中心离子具有C_1格位对称性。     

BaPbO3与BaTiO3多晶态陶瓷缺陷结构对比

BaPbO，是具有类金属导电特性的钙钛矿结构导电陶瓷，其晶体结构由Ba2＋和O^2-离子紧密堆积形成，pb^4＋离子占据由O^2-离子形成的八面体空隙。BaTiO3同为钙钛矿结构的陶瓷材料，由Ba^2＋和O^2-离子紧密堆积形成，Ti^4＋离子占据由O^2-离子形成的八面体空隙。BaPbO3和BaTiO3的A位离子相同,B位离子都为可变价离子。     

近紫外LED激发荧光粉Ba0.11Sr2.89-2xCexNaxAlO4F发光特性

采用高温固相法反应制备Ba0.11Sr2.89-2x Ce x Na x AlO4F(x=0.01,0.02,0.05,0.07,0.10,0.15)荧光粉。Ba0.11Sr2.89AlO4F体系中存在Sr(1)2+和Sr2+(2)两个格位。Sr2+(1)离子位于Wyck.4a格位,为十配位多面体构型。Sr2+(2)离子位于Wyck.8h格位,为八配位的多面体构型。研究了Ba0.11Sr2.89-2x Ce x Na x AlO4F荧光粉的紫外-可见激发、发射光谱、荧光寿命及能量传递过程,讨论并指认了Ce3+在上述两个格位中的激发带位置及能级重心,发射光谱曲线分别由两个~463,~505和~550 nm宽带发射构成。随着Ce3+浓度增加,长波发射~550 nm逐渐增强,而色品坐标(x=0.199,y=0.351)蓝绿区逐渐变化到黄绿区域(x=0.389,y=0.489)。     

KMgF3：Eu,X（X=Ce,Cr,Gd,Cu）体系中Eu^2＋振动光谱和共掺离子的格位取代

测定了一系列单掺杂Eu^2 和双掺杂Eu,X(X=Ce,Cr,Gd,Cu）的KMgF3晶体在300K和77K的高分辨发射光谱以及伴随的振动光谱。据此研究了Eu^2 在这些体系中的振动跃迁特征,并指认了每一振动峰所对应的正则振动模式。首次发现了在共振杂体系中Eu^2 振动频率与其它掺杂离子格位取代间的相关性。     

KMgF3：Eu和KMgF3：Eu—Ce单晶体中Eu^2＋与Ce^3＋的格位取代和能量传递

在77K测定了两个晶体的高分辨发射光谱，讨论了单掺杂Eu^2 和双掺杂Eu^2 及Ce^3 的KMgF3中的格位取代问题。在KMgFE:Eu-Ce中观察到了Eu^2 的^6P5/2能级到Ce^3 的4f5d能级间的间接能量传递，讨论了能量传递机理。     

RbLn2F7的水热合成及RbLn2F7:Eu3+(Ln=Gd,Y)的VUV光谱

利用水热方法合成出RbLn2F7（Ln=Gd，Y，Er，Yb和Lu），均为六方RbEr2F7型结构。掺杂Eu^3＋离子样品的光谱表明水热产物中氧杂质含量极低。在RbGd2F7：Eu^3＋（0．5mol％）的激发光谱中只观测到Gd^3＋离子f-f跃迁，Eu^3＋离子的激发跃迁很弱。激发Gd^3＋离子到^6IJ能级后，观测到Eu^3＋离子的特征发射，Gd^3＋离子与Eu^3＋离子之间存在能量传递过程。Eu^3＋离子的^5D0→^7F1和^5D0→F2跃迁发射较强，表明稀土离子在六方HbLn2F7中处于非中心对称的格位。     

Sr5SiO4Cl6:Eu2+蓝白色荧光粉的发光特性研究

采用高温固相法合成了Sr5SiO4Cl6∶Eu^2＋荧光粉。该荧光粉在近紫外360 nm激发下,出现了峰值位于454 nm稍不对称的发射峰,对其进行Gaussian曲线拟合,分解得到了451和470 nm两个明显的发射峰。利用Van Uitert公式讨论了晶格环境对Eu^2＋发光中心能量状态的影响,得出451和470 nm发射峰为Eu^2＋分别占据九配位和八配位的Sr^2＋格位跃迁产生的。研究了烧结温度以及Eu^2＋含量对荧光粉发光强度的影响。     

LaMgAl11O19：R（R=Tb,Mn）的真空紫外光谱特性

采用高温固相反应法合成了LaMgAl11O19:R(R=Tb,Mn)荧光体，测量了荧光体的真空紫外激发光谱和相应的发射光谱，观察到基质吸收带位于170nm附近，Mn^2 离子的吸收位于170－510nm范围，Tb^3 离子的4f-5d吸收位于170－250nm范围，在147nm激发下，它们发射绿光，真空紫外光谱特性的研究表明，其质与激活离子之间存在较好的能量传递。     

SrHfO3：Ce纳米粉体与陶瓷的发光特性研究

采用共沉淀法制备了Sr0.99Ce0.01HfO3纳米粉体，采用常压烧结工艺制备了Sr0.99Ce0.01HfO3陶瓷材料，烧结温度和烧结时间分别为1600℃和4h。采用XRD，SEM，TEM等手段表征了粉体和陶瓷样品，讨论了材料的激发光谱和发射光谱。Sr0.99Ce0.01HfO3纳米粉体的激发光谱由2个激发峰构成，峰值分别位于216和309nm；220nm激发的粉体的发射光谱主要由两个发光谱带组成，其峰值分别是398和467nm，分别对应5d→^2F，2和5d→^2F7/2发光跃迁。而309nm激发的粉体的发射光谱只有一个宽带发射峰，峰值位于392nm。Sr0.99Ce0.01HfO3陶瓷样品的激发光谱由一个宽带激发峰构成，峰值位于312nm；发射光谱由一个宽带发射峰构成，峰值位于402nm。     

Ca_8Zn(SiO_4)_4Cl_2中Eu~(2 )的发射光谱和晶体学格位

报道了在77K和298K,Ca_8Zn(SiO_4)_4Cl_2中Eu~(2 )的荧光性质及Eu~(2 )的发射光谱与其占据不等当晶体学格位的关系。研究了不同温度、浓度和激发条件对Eu~(2 )荧光性质的影响。计算了处于不同格位上Eu~(2 )的配位数。在绿色发射带归属于八配位的Eu~(2 )发射,而红色发射带起源于六配位Eu~(2 )中心的发射。     

KZnF3：Eu^3＋单晶生长及光谱特性

利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ方法在氩气气氛下生长出ＫＺｎＦ３：Ｅｕ＾３＋单晶，测定了晶体的激发光谱、荧光发射光谱和ＥＳＲ谱，讨论了Ｅｕ离子的取代格位。     

Eu:GGG纳米荧光粉体制备及其光学特性

采用液相共沉淀方法并在不同烧结温度下制得了Eu：GGG荧光粉体。用X射线衍射分析了样品的结构，计算了其晶格常数，为1．2371nm。室温下，测量了Eu：GGG的光致发射光谱、激发光谱和荧光衰减曲线。激发光谱在波长240～287nm的谱带内和393。。处有强的激发，分别来自于Eu^3＋O2^-间的电荷迁移态吸收和Eu“的^7F0→^5L6的跃迁吸收，同时在274nm处也出现了Gd^3＋的^8S7/2→^6I1的特征吸收。393nm激发下，591nm处的发射峰最强，对应Eu^3＋的^5D0→^7F1的磁偶极跃迁，可能由于部分Eu^3＋处于反演中心对称格位所致。随着烧结温度升高，Eu：GGG的发光强度增强，这可能由于随着烧结温度升高，样品晶粒尺寸变大，单位体积内被激发的Eu^3＋离子数增加引起，而591nm发光的荧光寿命变短，可能是由Eu^3＋离子的能量共振传递过程中发光被陷阱捕获所致。     

Eu(DBM)_3TPPO的晶体结构和荧光光谱

C_(63)H_(51)O_7PEu,三斜晶系,空间群,a=12.336(3),b=18.729(5),c=11.502(3),α=95.86(2),β=103.14(2),γ=87.89(2)°,Z=2,D_x=1.39gcm~(-3)。用6989个I>3σ(I)的可观察衍射数据对72个非氢原子的原子坐标和各向异性温度因子进行全矩阵最小二乘精修,最终的偏离因子R=0.055。中心离子Eu(Ⅲ)由七个氧原子配位,配位多面体为畸变的单帽三棱柱体,帽位由TPPO的氧原子占据,Eu—O原子间距在2.305(4)—2.367(4)之间。77K下测定了配合物的高分辨激光激发和发射光谱,结果表明配合物中Eu(Ⅲ)离子有两种格位,一具C_(2v)点对称性,另一具C_s点对称性。具有较低对称性C_s的物种在配合物中占绝对优势。77K下还记录了掺1％铕的配合物Gd(DBM)_3TPPO的发射光谱,结果表明Gd(Ⅲ)离子具有与标题化合物中Eu(Ⅲ)离子相同的格位。     

KMgF3∶Ce^3＋,Eu^2＋的溶剂热合成与光谱性质

采用溶剂热法合成了Eu^2＋,Ce^3＋单掺和双掺KMgF3。分析了样品的结构与形貌。结果表明,所合成的样品均为单相,颗粒粒度分布集中。测定了它们的激发和发射光谱,结果显示：在单掺Eu^2＋的KMgF3中,没有观察到位于420nm附近由微量氧色心引起的宽带发射,只发现峰值位于360nm附近的锐峰线发射,说明溶剂热合成的KMgF3∶Eu中氧含量极低;在KMgF3双掺体系中由于Eu^2＋和Ce^3＋竞争吸收激发能,Eu^2＋把能量传递给Ce^3＋,存在Eu^2＋→Ce^3＋能量传递过程,观察到Ce^3＋的较强的发射带和Eu^2＋的较弱的线发射,并讨论了能量传递机理。