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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了本征石墨烯、氮掺杂的石墨烯和叽咯石墨烯吸附钠原子的电荷密度、吸附能、态密度和储存量.结果表明,三种石墨烯中,钠原子的最佳吸附位置为H位.与本征石墨烯相比,氮掺杂的石墨烯对钠原子的吸附能提高,叽咯石墨烯对钠原子的吸附能是-3.274 eV,约为本征石墨烯对钠原子吸附能的1.7倍.钠原子与叽咯石墨烯中的氮原子发生轨道杂化,而与本征石墨烯和氮掺杂的石墨烯没有发生轨道杂化现象.叽咯石墨烯能够吸附10个钠原子,与本征石墨烯相比显著提高,氮掺杂的石墨烯只能吸附4个钠原子.因此,叽咯石墨烯有望成为一种潜在的储钠材料.  相似文献   

2.
为了研究Si掺杂对锐钛矿TiO2的电子蛄构和光催化性能的影响,利用基于第一性原理的密度泛函理论计算了纯TiO2及Si掺杂TiO2的杂质形成能、能带结构及态密度.研究蛄果表明,Si的掺杂位置与制备条件有关,富钛和富氧条件下,Si最容易代替TiO2中Ti的位置.几何优化后Si掺杂TiO2超晶胞的晶格参数和晶胞体积都发生一定...  相似文献   

3.
本文基于密度泛函理论(DFT),用第一性原理的方法,计算了ZnO在掺杂F和Na情况下的电子态密度、有效质量和形成能,研究分析了掺杂对ZnO的影响,结果表明:单掺F或Na并不能得到p型ZnO;而将F和Na共掺,能够使ZnO表现出p型导电的倾向.尤其当F和Na按1:2的原子比例共掺时,能够获得p型ZnO,这可以为实验上制备p型ZnO提供参考依据.  相似文献   

4.
将锂/钠混合离子电池正极材料Na2FePO4F/C作为研究对象,建立Na2FePO4F、NaFePO4F、NaLiFePO4F、Na2FePO4F/C、NaFePO4F/C、NaLiFePO4F/C的结构模型,并依据第一性原理密度泛函理论,分析了这六种材料的能带、态密度、键长变化以及形成能.研究结果显示,相比于单一的Na2FePO4F,石墨烯包覆的Na2FePO4F的金属特性更良好,电子传输性质更优异,同时具有更加稳定的结构,这表明在电池长时间循环过程中,Na2FePO4F/C晶体结构不容易发生坍塌,容量衰减率更小,这为碳包覆改性制备复合正极材料提供了理论依据.  相似文献   

5.
采用基于密度泛函理论的局域自旋密度近似加U法(LSDA+U:Hubbard参数)计算了多铁材料BiFeO3铁电相以及稀土元素Gd掺杂BiFeO3材料的能带结构、态密度(DOS)、原子轨道占据数和净电荷分布等,对稀土元素Gd掺杂BiFeO3可能引起的电子结构、介电常数和铁磁性的改变进行了第一性原理研究。计算结果表明:Gd掺杂对材料钙钛矿结构影响不大,BiFeO3铁电性主要来源于Fe原子3d轨道和O原子2p轨道杂化;掺杂Gd后材料中的Fe原子和O原子的共价性减弱,Bi原子和O原子的离子性增强,禁带宽度变窄,绝缘性减弱,铁磁性明显增强;计算得到的光学性质表明材料的静态介电常数有所增加。  相似文献   

6.
采用基于密度泛函理论的局域自旋密度近似加U法(LSDA+U:Hubbard参数)计算了多铁材料BiFeO3铁电相以及稀土元素Gd掺杂BiFeO3材料的能带结构、态密度(DOS)、原子轨道占据数和净电荷分布等,对稀土元素Gd掺杂BiFeO3可能引起的电子结构、介电常数和铁磁性的改变进行了第一性原理研究。计算结果表明:Gd掺杂对材料钙钛矿结构影响不大,BiFeO3铁电性主要来源于Fe原子3d轨道和O原子2p轨道杂化;掺杂Gd后材料中的Fe原子和O原子的共价性减弱,Bi原子和O原子的离子性增强,禁带宽度变窄,绝缘性减弱,铁磁性明显增强;计算得到的光学性质表明材料的静态介电常数有所增加。  相似文献   

7.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了不同Mn掺杂浓度LiFel-xMn。P04(X=0,0.25,0.50,0.75)的电子结构.同时采用流变相辅助高温固相碳热还原法制备了LiFel-xMn。P04@=0,0.25,O.50,0.75)材料.理论计算表明:LiFeP04具有Eg=O.725eV的带隙宽度,为半导体材料.通过Fe位掺杂25%的Mn离子可最大程度地减小材料带隙宽度、降低Fe-0键及Li-O键键能,进而提高材料的电子电导率及锂离子扩散速率.实验结果亦表明,当Mn掺杂量0=0.25时,材料具有最优的电化学性能,其具有约为158mAh.g。的放电比容量以及551Wh.kg0的能量密度.理论计算与实验结果非常符合.  相似文献   

8.
张云  邵晓红  王治强 《物理学报》2010,59(8):5652-5660
采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ga在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B. 关键词: SiC 电子结构 掺杂 第一性原理软件  相似文献   

9.
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,运用Castep计算分析了Pt元素掺杂CdS结构,对本征CdS和掺杂晶体的能带结构、态密度以及光学性质进行了分析对比, 由掺杂前后的结果分析发现:Pt掺杂闪锌矿相CdS产生了新的能带,带隙明显缩小;CdS的吸收边产生红移,禁带宽度变窄,在可见光区具有较大吸收系数,提高了可见光的利用率,表现出较好的可见光光催化活性。  相似文献   

10.
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,运用Castep计算分析了Pt元素掺杂CdS结构,对本征CdS和掺杂晶体的能带结构、态密度以及光学性质进行了分析对比, 由掺杂前后的结果分析发现:Pt掺杂闪锌矿相CdS产生了新的能带,带隙明显缩小;CdS的吸收边产生红移,禁带宽度变窄,在可见光区具有较大吸收系数,提高了可见光的利用率,表现出较好的可见光光催化活性。  相似文献   

11.
锂离子电池电极材料的第一性原理研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章综述了第一性原理计算在锂离子电池电极材料模拟与设计方面的研究进展.电极材料的研究包括电极材料的电子结构和电子导电性的研究,嵌锂电位、锂离子输运特性、嵌锂过程中局部结构弛豫与相变以及材料表面特性研究等方面,第一性原理计算在上述诸方面的研究都取得了一定的进展.这些理论上的研究成果,可以帮助人们加深对材料性能与机理的理解,同时对材料的设计也具有指导意义.  相似文献   

12.
基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了4H-SiC的本征体系、过渡金属元素Mo单掺杂4H-SiC体系的电子结构、磁性和光学特性。结果表明:Mo掺杂将导致4H-SiC由本征非磁性变为p型磁性半导体材料,其带隙值由2.88 eV 变为0.55 eV。当Mo掺杂浓度为1.359×1021 cm-3时,磁矩为0.98 ,这表明掺Mo后的4H-SiC材料可以作为自旋电子元器件的备选材料。此外,Mo掺杂4H-SiC体系在(100)和(001)方向的静态介电常数分别为3.780和3.969。介质函数虚部不为0的起始点发生红移,表明掺杂使电子更容易跃迁。  相似文献   

13.
利用第一性原理方法研究了一氧化碳分子在本征和硼、氮、铝、磷掺杂的有限尺寸石墨烯上的吸附机理.结果表明,石墨烯作为一氧化碳传感器时的性能依赖于掺杂元素.本征、硼和氮掺杂石墨烯吸附一氧化碳时的吸附能较低,为物理吸附.铝、磷掺杂石墨烯的吸附能显著提高,比本征、硼和氮掺杂时高出约一个数量级,且铝和磷原子从石墨烯中突出,使其发生局部弯曲.铝掺杂石墨烯增强了石墨烯与一氧化碳分子之间的相互作用,可以提高石墨烯的气敏性和吸附能力,是一氧化碳传感器的最佳候选材料之一.  相似文献   

14.
李泓霖  张仲*  吕英波  黄金昭  张英  刘如喜 《物理学报》2013,62(4):47101-047101
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,运用Castep计算分析了Er, Gd两种稀土元素掺杂的ZnO结构, 对本征ZnO和掺杂晶体的能带结构、态密度以及光学性质进行了分析对比. 由掺杂前后的结果分析发现,稀土掺杂的ZnO结构引入了由稀土原子贡献的导电载流子, 增强了体系的电导率, 费米能级上移进入导带. 研究表明由于稀土元素的掺入, ZnO结构在费米能级附近出现了杂质能带, 这是由稀土的4f态电子所形成. 同时, 纯净ZnO与Er-ZnO, Gd-ZnO和(Er, Gd)-ZnO的介电函数虚部有明显的差异. 在光学性质上, 掺杂ZnO在可见光区的吸收系数和反射率都比纯净ZnO高, 能量损失峰出现红移现象. 关键词: ZnO 稀土 掺杂 第一性原理  相似文献   

15.
本文采用基于第一性原理的密度泛函理论超软雁势平面波方法,对铁磁性半导体高锰硅化合物Mn_4Si_7进行了理论计算.结果表明块体Mn_4Si_7是准直接带隙半导体材料,其价带主要是由Mn的3d轨道电子构成,导带主要是由Mn的3d及Si的3p轨道电子构成.相同自旋轨道下,自旋向下态的电子更容易占据较高的能级.而自旋向上态的电子对Mn_4Si_7的禁带宽度起主导作用. Mn_4Si_7的费米能级附近各轨道未被电子占满,且自旋向上态与自旋向下态电子的不对称分布使其具有了磁性.为Mn_4Si_7磁学特性提供主要贡献的是Mn的3d轨道电子,而Si的3p和3s轨道电子提供了一个小的贡献.  相似文献   

16.
From first principle calculations, we demonstrate that LiXS_2(X = Ga, In) compounds have potential applications as cathode materials for Li ion batteries. It is shown that Li can be extracted from the LiXS_2 lattice with relatively small volume change and the XS_4 tetrahedron structure framework remains stable upon delithiation. The theoretical capacity and average intercalation potential of the LiGaS_2(LiInS_2) cathode are 190.4(144._2) m Ah/g and 3.50 V(3.53 V). The electronic structures of the LiXS_2 are insulating with band gaps of _2.88 eV and 1.99 eV for X = Ga and In, respectively.However, Li vacancies, which are formed through delithiation, change the electronic structure substantially from insulating to metallic structure, indicating that the electrical conductivities of the LiXS_2 compounds should be good during cycling.Li ion migration energy barriers are also calculated, and the results show that Li ion diffusions in the LiXS_2 compounds can be as good as those in the currently widely used electrode materials.  相似文献   

17.
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,本文对ConAgm(n+m=13)团簇的几何结构进行优化后,研究了C2H4分子在这类团簇的表面吸附行为,讨论了团簇的平均结合能、二阶能量差分、稳定性、DOS以及吸附前后键长的变化情况。结果表明,C2H4在团簇top位的吸附主要为物理吸附,而在face位和bridge位的吸附主要为化学吸附。吸附后,C2H4@Ag13的稳定性高于C2H4@Co13,且在face位吸附时C2H4@Co2Ag11的结构最为稳定。随着Co原子数的增加,团簇中原子间成键能力减弱,而d电子轨道则呈现出较强的相互作用,并导致其向能量相对高处发生转移  相似文献   

18.
Crystalline LiFePO4 has been synthesized using solid-state, spray pyrolysis, and wet chemical methods. The crystal parameters were obtained from Rietveld’s refinement methods of the X-ray diffraction patterns. A detailed investigation of the Fe valency carried out using Mössbauer spectroscopy at room temperature indicates that Fe is predominantly present in its bivalent state.  相似文献   

19.
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征GaAs以及3d过渡金属Mn、Fe、Co单掺杂GaAs晶体的电子结构及其光学性质进行理论计算以及对比研究.计算结果表明:能带结构中三种掺杂体系均引入新的能级,能带条数增多,导带底与价带底顶向深能级移动,带隙减小;费米能级附近出现了杂质能级,导致掺杂体系光子能量位于0时介电函数虚部便有所响应,掺杂体系相较于本征体系的静介电常数有所提升;Mn、Fe、Co三种掺杂体系相较于本征体系在红外以及远红外区域吸收系数得到了明显的提升,其中Fe掺杂GaAs的光催化特性最好.  相似文献   

20.
Atomic and electronic properties of N-N split interstitial in GaN nanowires have been investigated using first principles calculations. The formation energy calculations show that the N-N interstitial favors substituting an N atom at the surface of the nanowires. The interstitial induces localized states in the band gap of GaN nanowires.  相似文献   

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