晶体衍射的非完整赝Kossel线利用

在发散束X射线晶体衍射中,大量出现的非完整赝Kossel线通常是无用的。利用双元素辐射方法可从这些不完整的线条获取晶面间距、晶面倾角、底片位移等信息,从而能从一次实验的衍射花样上同时完成衍射指标化、单晶定向和点阵常数的精密测定。 关键词：     

α-LiIO_3单晶体在静电场作用下点阵常数的变化

本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO_3单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。     

测定单晶点阵常数的赝kossel法

利用双元素Ｘ射线点光源发散束方法（赝Ｋｏｓｓｅｌ法），能从非完整的赝Ｋｏｓｓｅｌ线获取晶面间距的信息；采用计算机模拟，能全面完成赝Ｋｏｓｓｅｌ线的指标化．应用这两项简便技术，便能从一张背射赝Ｋｏｓｓｅｌ衍射花样照片上得到足够多的ｄ值，从而可以实现单晶点阵常数的精密测定．     

不同晶体模型的微波布拉格衍射

研究了不同晶体模型下布拉格衍射规律,讨论了简单立方(100)晶面微波衍射图出现2级衍射和3级衍射所需的条件.将简单立方模型改造成四方模型,讨论了四方晶体模型的衍射峰随晶面间距的变化规律.设计了体心和底心立方模型,并观察到了(100)晶面的消光现象.采用有限点阵理论模拟计算结果也与实验测量数据一致.     

α-LiIO3单晶体在静电场作用下点阵常数的变化

本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO₃单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。 关键词：     

用广角纪尼叶单色聚焦相机精确测量钆镓石榴石的点阵常数

文献[1]对德拜一谢乐照相中精确测定点阵常数的方法进行了研究.用衍射仪精确测量多晶点阵常数的方法,在文献[2]中作了归纳总结.本文简要介绍用广角纪尼叶(Guinier)相机精确测定钆镓石榴石(GGG)和掺杂钆镓石榴石点阵常数的方法和结果. 一、广角纪尼叶单色聚焦相机的特点 广角纪尼叶相机与纪尼叶四重聚焦粉末相机的基本原理相同[3].广角纪尼叶相机的主要特点是,可收集到角度很广(1—89°)的衍射线和可得到严格的单色入射辐射.我们使用的Huber广角纪尼叶相机,通过适当的调节可获得严格的Ka1;辐射. 众所周知,点阵常数测量的精度,取决于衍射线…     

晶体衍射中劳厄方程和布拉格方程的一致性

受德布罗意物质波理论的启发,薛定谔建立了波动力学·而戴维森-革末的电子衍射实验,则是电子具有波动性的直接证明·本文从电子在知单晶晶面衍射的理论分析出发,采用倒易点阵反射圆法,论证了劳厄方程和布拉格方程的一致性.一、电子衍射劳厄方程 作为物质波的实验验证.戴维森-革末发现电子束在镍单晶表面产生衍射.用一束具有一定能量(波长)的电子注,垂直射向金属镍单晶(f.c.c.)的磨光平面(111)面上,观察到不同角度上反射波的强度有着明显的选择性. 磨光晶面是间距为a'的原子列的周期性排列.因此。这晶面也可视为许多线型光栅的集合,a'就是光…     

微波布拉格衍射实验中木板影响的探索

在微波布拉格衍射实验中,测定(100)面与(110)面入射角与衍射强度变化关系,可以验证衍射极大值随入射角变化的过程是否满足布拉格定律.实验证明,对于(100)晶面族,选取不同面作为散射点阵面时,测量结果有差异,引起这一差异的主要原因是木板的影响,测得其影响系数为0.66～0.70;而对于(110)晶面族,选取入射时有木板或出射时有木板的面作为散射点阵面,测量结果基本相同.     

微波布拉格衍射中立方晶体晶面衍射测量与模型选取讨论

在微波布拉格衍射实验中,通过对立方晶体模型晶格常数参量选取,测定(110)面入射角与衍射强度变化关系,来验证衍射极大值在随入射角变化而变化的过程是否满足布拉格定律.同时可在一定入射角变化范围内,限定衍射级数的大小,讨论只改变接收端角度时,(100)面与(110)面衍射极大值时晶格常数所在范围,并从理论上给出同时测定两晶面可限定的衍射级数与晶格常量的范围.     

静电场作用下KDP和TGS单晶中子衍射增强现象的物理机理

本文提出了KDP和TGS单晶在静电场作用下中子衍射增强现象的物理机理。KDP和TGS都是质子导电晶体。外加直流电压后,晶体中电场有一空间分布。由于压电效应,相关的衍射晶面间距是空间坐标的函数,造成中子衍射增强。对衍射晶面间距为空间坐标函数的情况,导出了透射方式和反射方式的中子衍射强度公式,估计了非均匀的压电效应引起的中子衍射增强的量级,和实验相符。并对进一步验证上述机理提出了新的实验建议。顺便指出,对于α-LiIO₃,在静电场作用下其中子衍射增强,非均匀压电效应不是主要因素。并提出其可能的微观机制是:在非均匀电场作用下,缺陷(包括杂质)在晶体中有一空间分布,引起中子衍射增强。 关键词：     

NaCl单晶非切割面晶面的X射线衍射

现有的德国莱宝X射线实验仪用默认的COUPLED模式仅能观察到NaCl单晶的(100)面衍射.同时按下TARGET,COUPLED和β-LIMIT键,可重新设置TARGET与SENSOR的测角零点,使用COUPLED模式扫描,可以观察到其他晶面的X射线衍射峰.实验观测到单晶中非切割面晶面的X射线的布拉格衍射现象,且通过增大Δt,能较显著地提高衍射谱线的分辨率,但在一定的Δt仅能观察到某些晶面的1级衍射,这表明在一定的晶面序数下高的衍射级数对衍射光强的削弱作用很强.     

标定超高压电子显微镜中菊池线的一种有效方法

用电子计算机标定菊池线的困难在于实验误差。误差的来源有二:一是菊池线位置测量的误差;二是仪器常数的误差。本文用最小二乘法拟合菊池线及自动校正仪器常数的办法减少了实验误差,并用点阵平面几何学的方法进行标定,大大地提高了标定的可靠性。本方法具有普遍的适用性,但更适合于超高压电镜中菊池线的标定。 关键词：     

光学一题

在通常的三缝夫琅和费衍射装置里, a是每一缝的宽度,d是相邻两缝中心的间距,今作如下两种修饰后,试画出远方屏幕上的光强分布.(1)将透明的π相移薄膜片复盖中缝.(2)将π相移片复盖下缝.光学一题解答潘维济　南开大学 (1)每一个缓的各自衍射结果都是一样的　光强分布,我们可暂不考虑衍射,单计算三缝干涉,计算中不计常数,则在θ方向上的合振幅为相干光强为　.再考虑单缝衍射调制作用,中缝经π膜片修饰后的三缝夫琅和费衍射光强分布如解图(a)所示,图中还画出了时元振幅失量叠加成零的示意. (2)π膜片修饰下缝时,θ方向上的相干叠加合复振幅Aθ…     

晶面偏角对利用Voigt函数法计算硅单晶本征晶格应变的影响

研究并制备了不同晶面偏角的Si(111)单晶,经过研磨和抛光使表面粗糙度低至3.4?达到超光滑水平,消除了表面和亚表面损伤层以及其所产生的应力变化.利用高精度X射线衍射仪分别测定了在不同晶面偏角条件下衍射曲线的半高全宽和积分宽度.应用Voigt函数法分析计算了微观应变,通过理论计算和实验对比可知,Si(111)单晶在晶面偏角达到0.749o时,偏角本身所带来的衍射峰半高全宽变化使计算出的应变值误差大于5%.研究结果为其他晶体类似研究提供了重要参考.     

解释劳埃花样的一个新方法

本文提出一个新的解释劳埃花样的方法,与其他方法比较,它具有原理和作图简单,前后反射利用同一曲线图形等特点,可供有关晶体X射线工作者参考. 一、作图原理 标定劳埃平板相衍射斑点的指数。一般应先求出对应晶面法线的极射赤面投影.X射线衍射原理确定:入射X线、晶面法线和衍射X线在同一平面内.晶面法线极点的极射赤面投影,必然在底片上晶面衍射斑点与底片中心(入射X线与底片交点)的连线上.因而若已知晶面法线与入射X线夹角,便可得到晶面法线极点的极射赤面投影.此夹角可利用衍射斑点至底片中心距离和试样至底片的距离求出.以下分前后反射…     

Ag/Zn共掺杂TiO_2薄膜的制备及其光学性能

采用溶胶-凝胶旋涂法制备本征TiO_2、Ag单掺Ag-TiO_2及Ag/Zn共掺Ag/Zn-TiO_2的薄膜样品.测试结果表明:所有TiO_2薄膜样品的主要晶面是(101)且没有其他杂质晶面.Ag的掺杂使得样品的晶粒尺寸减小,样品的吸收边出现红移,带隙能减小,最小值为3.476eV.与本征TiO_2和Ag-TiO_2相比,随着Zn掺杂原子数分数的增加,样品的(101)衍射峰呈现出先减弱后增强的趋势;样品的半高全宽增加,晶粒尺寸和晶面间距都减小,晶粒得到细化;薄膜的表面形貌得到修饰,变得更为平整、致密且均匀,孔隙和团簇相对较少;吸收边先蓝移后红移,吸光度增加,禁带宽度由3.515eV减小到3.419eV.样品中当Zn的掺杂原子数分数为2.00%时,(101)衍射峰最强,峰型最为尖锐,晶粒最小,表面形貌最佳,禁带宽度出现最小值为3.419eV.     

X射线波长标准

一、引 言 X射线波长是一种物理量,它和其他许多物理常数都有密切的关系,例如用已知波长的X射线精确测定某种晶体的晶面间距,再运用其他已知常数进行计算,可以求出阿伏伽德罗常数 N;利用F=Ne(F为法拉弟常数),可以得出电子电荷e的数值;通过测定e/h,e/me等S数值,可以测出普朗克常数h和电子的静止质量me.高能X射线发射及吸收谱线波长可以提供给核子的β及γ射线谱学作为能量参考标准;利用X射线发射谱线波长以及光电效应,可以直接测定各种元素的原子能级绝对数值,有助于进一步了解元素的化学结构问题.上述各种物理常数虽然也可以通过其他途…     

X射线双晶衍射技术

一、双晶衍射仪的原理 当一束入射X射线射入第一晶体A后,从A晶体出来的衍射线,又作为第二晶体B的入射线,从B晶体出来的衍射线用计数管或底片接收进行分析.双晶衍射仪中两个晶体通常处于(n,-n)平行衍射位置.仪罩工作时,第二晶体的转角θ稍微转动,用来记录它的摆动曲线(积分曲线),以测量试样表面层的微量应变或点阵常数的微小变化. 二、仪器的理论精度 分析了W.L.Bond[1]设计的多用途双晶X射线测角仪,就可绘出双晶衍射仪的衍射几何. 测量双晶衍射仪精度的方法,是用铜Ka1辐射作硅(111)面的摆动曲线,测量半峰高宽度(简称半峰宽),再和理论计…     

KAP单晶不同位错密度区域点阵常数变化的“就地”双晶测量

本文报道用X射线双晶衍射的(n,-n)几何排列对不同位错密度区域点阵常数的测试结果。从一对(001)晶片的(001)晶面的对称反射的测试结果表明,不同位错密度区域的点阵常数变化的最大范围为3.8～1.92×10~(-4)nm。     

基于格林函数法研究金属线栅在太赫兹波段的散射特性

本文运用格林函数法分析金属线栅在太赫兹(THz)波段的散射特性, 研究金属线栅的衍射效应对其传输特性的影响. 研究结果表明, 在零级衍射区入射电磁波的透过振幅随a/λ的增大单调增加, 在零级衍射极限处透过振幅达到最大值. 过渡区的临界频率处, 由于衍射效应的加强, 出现入射电磁波透过曲线的振荡. 衍射区受到衍射效应的影响入射电磁波透射振幅曲线总体下降, 并随a/λ的增大单调减少. 与微波传输线方法相比, 该方法摆脱了入射电磁波的波长需大于线栅常数且要求线栅的厚度远远小于金属线的宽度的限制, 能准确的分析系统的电磁场的分布特性, 更具普适性. 关键词： 金属线栅 太赫兹波 散射 格林函数法