HL-2A等离子体边界识别的研究

利用电流丝模型编写的电流丝编码和采集到的18个磁探针测量数据、等离子体电流和极向场线圈电流的数据做了重建HL-2A等离子体边界的研究。计算结果表明,电流丝编码能够正确地识别等离子体的边界、偏滤器位形和X点的位置。计算获得的偏滤器内外靶板上打击点出现和消失的时间与布置在偏滤器靶板上静电探针测量到的信号很好地符合。在Pentium 4的PC个人计算机上(CPU为2.4GHz, 800MHz总线)计算每一个时刻的等离子体边界时间小于1ms。     

HL—1装置边界等离子体Hα辐射扰动的观测

一、引 言 托卡马克中有关物理量的扰动引起了边界层粒子及能量的反常输运,大量有关扰动的测量与研究工作正在各装置上进行,本工作采用光谱方法,通过对氢原子光谱线H_α辐射的探测,研究了HL-1托卡马克中等离子体扰动的一般特性。     

HL-2A等离子体边界识别的模拟研究

采用电流丝模型对HL-2A等离子体边界重建做了模拟计算。结果表明,对于孔栏位形、双零位形和下单零位形,重建的等离子体边界与平衡计算的边界能很好地吻合,最大径向距离小于8mm。     

HL-2A装置低参数运行的等离子体边界

因为等离子体最后的封闭磁面（LCFS）最终决定等离子体的截面形状，并且等离子体位形与许多热点的先进托卡马克（AT）和聚变堆课题相联系，例如电流密度的控制、等离子体平衡、刮离层（SOL）、粒子和能量行为、高能等离子体以及MHD不稳定性抑制等，所以目前的托卡马克仍然需要对边界的相关物理进行研究，例如边界确认、等离子体平衡和极向磁通损失等。从控制AT或者研究放电等离子体物理性质来看。获得相对准确的与边界相联系的等离子体平衡性质也是重要的。     

HL-1M装置的杂质线辐射特性

给出了HL－1M装置放电实验中杂质线辐射的测量结果。氢分子束注入, 子体电子密度n。明显提高,而杂质浓度大大降低。对应于分子束注入脉冲,分子束的“团族”效应引起了杂质辐射峰化时间的错位。     

FBI程序对HL-2A装置等离子体边界计算的初步结果

JT-60U装置上的FBI程序是运行于UNIX操作系统下综合的等离子体参数计算系统，该程序已在HL-2A装置上采用了，其主要计算模块的功能是使用等离子体边界外的电磁测量信号，利用丝电流方法识别等离子体边界。程序引进时最大程度地考虑了两个装置电磁测量系统、装置尺寸结构和线圈系统的不同而进行了修改。     

HL—1M装置杂质VUV辐射及Te观测

本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后遥ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响。     

HL-2A等离子体的控制和边界识别

在托卡马克装置中，等离子体控制是一项重要的基础性工作，是托卡马克装置等离子体能够平衡、正常放电运行重要而基本的条件。这项工作包括等离子体电流、位置、形状、密度、电流分布、q值的控制和等离子体破裂控制等。其中电流、位置和密度的控制是圆截面等离子体的基础性工作；对于非圆截面装置，除了电流、位置和密度的控制之外，形状的识别和控制又是必不可少的基础性工作。这其中等离子体形状的识别和位置控制又是最复杂和最困难的。本论文给出了HL-2A装置等离子体电流和水平位移控制的理论模型和MATLAB仿真结果，并具体介绍了目前HL-2A装置等离子体控制系统的软、硬件组成。     

HL-1和HL-1M装置等离子体可见光谱实验

总结HL-1和HL-IM装置等离子体的可见光谱实验，给出了各种放电条件下等离子体参数的可见光谱测量结果，讨论了杂质减少、加料、约束改善、等离子体旋转及边缘辐射特性等可见光谱实验结果，展望了HL2A装置上要开展的可见光谱研究内容。     

HL-2A装置边缘等离子体的实验观测

HL-2A装置边缘等离子体在中平面的特性是通过可移动的探针组、快速扫描气动4探针和LHW天线边缘的固定4探针进行研究的。用于测量主等离子体边缘的温度、密度、悬浮电位、空间电位、径向和极向电场、雷诺协强、径向和极向等离子体流速及其径向分布。偏滤器靶板上的14组嵌入式静电3探针阵列用于测量同一环向截面的内外中性化板上的电子温度、密度、悬浮电位及其分布。     

HL-1装置利用光纤传送边界层H_α和杂质辐射的时空分布测量

本文介绍了光纤使用三年来的简单情况;叙述了用氦、氢换气实验的再循环效果;分析了边界层氢和轻、重杂质的时空分布及变化情况;得到了等离子体放电时产生DP和MARFE辐射的时空分布立体图。     

HL-1装置掠入射真空紫外杂质谱线观测

本文叙述用掠入射谱仪在HL-1装置上所做的真空紫外光谱测量。根据杂质谱线的相对强度变化,说明可动石墨孔栏和蒸钛技术对控制等离子体杂质有一定效果。通过分析谱线、软X射线和m=2模式信号扰动之间的关系,指出杂质对等离子体不稳定性的影响。     

HL—1装置几种杂质特性

本文叙述了用真空紫外光谱方法观测HL-1装置常规、器壁碳化和抽气孔栏三种放电条件下等离子体杂质的变化以及某些杂质的特性。     

HL-1装置杂质成分的AES分析

HL-1装置放电期间,利用输样机构上GH39和Si收集探针的俄歇电子谱仪(AES)分析,观测了由器壁和孔栏溅射,蒸发出来的金属重杂质Mo,Cr和Ni等在刮离层中的空间分布,以及沉积层的深度分布。     

HL-lM装置在NBI期间注入H弹丸和AI杂质的辐射损失特性

使用十六道探测器阵列在HL-1M装置上对中性束加热等离子体中注入氢丸和铝杂质的辐射损失功率进行了测量。通过对测量数据的分析,获得了以下主要实验结果,(1)中性束加热等离子体辐射损失功串密度分布在等离子体小半径(3/5)a范围内较平坦,辐射功率密度为0.1W·cm     

HL—1装置等离子体位置反馈控制

本文简述了用位移做反馈控制信号,用非线性二位调节器组合前馈环节,控制厚钢壳(厚度d=5cm)外的垂直场和水平场线圈电流,在HL-1装置上实现了等离子体位置反馈控制的情况。当铁芯不饱和时,在水平和垂直两个方向上均可控制等离子体位置在±2mm之内。     

分析完全电离等离子体扩散问题的边界单元法

一、扩散方程 完全电离等离子体的扩散问题,可归结为下面的微分方程定解问题。 在内; 在Γ_1上; 在Γ_2上; 式中,A=ηκB~Z/B~Z,n=n(r,t)是等离子体密度,κ是玻尔兹曼常数,T是绝对温度,B是磁感应强度,η是电导率,Ω是由Γ=Γ_1 Γ_2界定的区域,ω是边界的外法向方向,和是边界上的已知函数。     

HL-1装置的物理调试(1985)

自1985年4月起正式开展HL-1装置的物理调试,其目的是获得平衡、稳定和比较干净的等离子体,并在此基础上开展初步的物理实验研究。在纵向磁场2.3T下获得等离子体电流135kA,平顶时间150-200ms。等离子体电流的持续时间出乎意料地长达1s,其详细的物理原因尚待深入研究。其它等离子体参数的初步结果为n_e≈ 2.8×10~(13)cm~(-3),T_e≈350-500eV,τ_E≈10ms。     

HL—1装置边缘扰动特性研究—静电探针方法

本文针对HL-1托卡马克边缘等离子体扰动特性做了详细的研究。在低频范围内(2πω≤200kHz《ω_(ci)),装置边缘扰动为湍流扰动。孔栏附近悬浮电位扰动的相对量和密度扰动的相对量分别为40％和30％。频率较低时(2πω≤75kHz),扰动的相关性较强;频率较高时(2πω≥125kHz),相关性下降或呈现下降趋势。实验中还发现,在等离子体刮削层的扰动频谱宽度要大于等离子体柱边缘的谱宽度。最后，文中给出了粒子输流Γ随径向的分布，其值约在1.0×10~(16)cm(-8)、s~(-1)量级。由Γ值可心得到扩散系数经为D≈1.2×10~4cm~2·s~(-1),可以同玻姆扩散系数D_Bohm ≈1.0×10~4cm~2·s~(-1)进行量级上的比较。     

HL—1装置等离子体破裂的电磁效应

本文描述HL-1装置放电过程中,等离子体破裂及环形导体中感应电压和电流的精细测量。给出了破裂时内真空室和铜壳的感应涡流、磁场和电动力。分析了它们对装置工程的影响。