~(60)Co-γ射线对胜利油菜干种籽照射后的影响 Ⅰ 对于照射一代(M_1)生长发育的影响

1.甘兰型胜利油菜干种籽以1.5万仑、3万仑、6万仑、9万仑及12万仑的~(60)Co—γ射线进行辐射处理,对其照射一代(M_1)的发芽率、发芽势、幼根生长速率、干物质重、根颈周长、冬前冬后叶绿素含量、含油率及碘值等作了测定。 2.低剂量(1.5万仑、3万仑)处理能提高植株的生理机能,促进植株生长发育,高剂量处理(6万仑、9万仑、12万仑)对生长发育有抑制作用,辐射损伤有随剂量递增而增加的趋势。 3.根据本实验所得结果,达到50％存苗率的适宜剂量为6—12万仑,存苗率约为31—53％。 4.各处理在M_1代的含油量比对照提高3—7％,但碘值似无变化。     

不同土壤栽培对细叶小羽藓(Haplocladium microphyllum)生长发育的影响

苔藓植物的园艺园林应用日益受到重视,细叶小羽藓(Haplocladium microphyllum)是一种交织生长、色泽翠绿、越冬能力强、观赏价值较高的林地野生苔藓资源.以黄泥土、黄砂土、白泥土为基质在光照培养箱内对细叶小羽藓进行栽培,利用盖度、分枝长度、分枝数、生物量、相对含水量及光合色素质量比等指标评价了细叶小羽藓生长发育状况,探讨了不同土壤类型对细叶小羽藓生长发育的影响.试验表明,黄泥土栽培细叶小羽藓生长效果最佳,栽培50d其盖度可达84.33%,分枝长度为4.80cm,一级及二级分枝数为11.87和5.13个,鲜重及干重分别增长38.15和17.69倍,黄砂土栽培细叶小羽藓生长效果次之,白泥土最差;不同土壤栽培细叶小羽藓光合色素质量比依次为黄泥土>黄砂土>白泥土,其中黄砂土栽培与野外生长光合色素质量比最相近;培养箱中用不同土壤栽培细叶小羽藓不改变其耐阴性.     

合成培养基中磷源浓度对凤尾菇(Pleyrotus sajor-caju)生长发育的影响

研究了合成培养基中不同磷源水平对凤尾菇(Pleurotus sajor-caju)生长发育的影响,结果显示,适合凤尾菇菌丝生长和子实体形成所需的的起始磷元素浓度不同,后者的需要更高些,在0.91～1.37g.L-1范围.     

不同土壤栽培对细叶小羽藓(Haplocladiummicrophyllum)生长发育的影响

苔藓植物的园艺园林应用日益受到重视,细叶小羽藓(Haplocladium microphyllum)是一种交织生长、色泽翠绿、越冬能力强、观赏价值较高的林地野生苔藓资源.以黄泥土、黄砂土、白泥土为基质在光照培养箱内对细叶小羽藓进行栽培,利用盖度、分枝长度、分枝数、生物量、相对含水量及光合色素质量比等指标评价了细叶小羽藓生长发育状况,探讨了不同土壤类型对细叶小羽藓生长发育的影响.试验表明,黄泥土栽培细叶小羽藓生长效果最佳,栽培50 d其盖度可达84.33%,分枝长度为4.80 cm,一级及二级分枝数为11.87和5.13个,鲜重及干重分别增长38.15和17.69倍,黄砂土栽培细叶小羽藓生长效果次之,白泥土最差;不同土壤栽培细叶小羽藓光合色素质量比依次为黄泥土>黄砂土>白泥土,其中黄砂土栽培与野外生长光合色素质量比最相近;培养箱中用不同土壤栽培细叶小羽藓不改变其耐阴性.     

DNA的荧光分析--DNA对吖啶橙(AO)-藏红T(ST)能量转移影响的研究

介绍了近几年荧光能量转移体系用于ＤＮＡ分析测定方法的进展,通过实验对吖啶橙（ＡＯ）－藏红Ｔ（ＳＴ）荧光体系能量转移进行分析,说明使用该本系为荧光探针对ＤＮＡ定量测定可行性,然后通过Ｆｏｒｓｔｅｒ能量转移理论,计算ＤＮＡ加入前后ＡＯ－ＳＴ体系临界距离变化,从某种程度上说明ＤＮＡ对ＡＯ－ＳＴ荧光淬灭的影响。     

十二烷基本磺酸钠对2-(2-苯骈噻唑偶氮)-5-二甲氨基苯甲酸与镍反应影响的研究

本文利用超过滤法研究了Ni(Ⅱ)-BTAMB-SDBS体系的热力学性质,同时利用光度法研究了体系的动力学性质,讨论了表面活性剂与各组份之间的作用情况,结果表明,胶束对显色反应的“催化”作用,实质上是由胶束对过量试剂的“富集”作用引起,BTAMB几乎不被SDBS富集,故体系中观察不到这种催化作用,并且在通常所涉及的表面活性剂用量范围内,不存在过量胶束使显色体系腿色的效应,这与通常的表面活性剂增敏体系相比,有其特殊之处.     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性.然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃.用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能.结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向.PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响.