1—苯甲酰基—3—（2—氯苯基）硫脲单晶生长及其倍频性能

本文报道了新型光学晶体１－苯甲酰基－３－（２－氯苯基）硫脲的单晶生长及其倍频性能，用溶液降温法在氯溶液中长出菱形块状晶体，并对分子结构和晶体结构对其晶体生长及倍频性能的影响作了探讨。     

新型含氟液晶—8．1—（4′—乙基—联苯基）2—（4—烷氧基—2，3，5，6—四氟基基）乙炔的合成及相态研究

设计，合成了1-(4′-乙基-联苯基)2-(4-烷氧基-2，3，5，6-四氟基基）乙炔的液晶化合物。用偏光显微镜以1及DSC确定了它们的液晶相态，它们均为向列相液晶，并与相类似全碳氢类液晶化合物进行比较。     

在H2—CH4—CO2气相系统中沉积金刚石薄膜

研究了在Ｈ２－ＣＨ４－ＣＯ２气相系统中金刚石薄膜的沉积情况。随着ＣＯ２浓度的增大，金刚石薄膜二次成核现象减少，晶体形态趋于完整，薄膜质量变化；随着ＣＯ２、ＣＨ４２的同时增大，金刚石薄膜农渐从完整晶体形态变为菜花状聚晶体，薄膜质量变差；在较高的ＣＨ４（约１５％）、ＣＯ２（约２０％）浓度下，仍可获得昌体形态貌良好的金刚石薄膜；在Ｈ２＿ＣＯ２气相系统中，不能沉积金刚石薄膜。     

(Na1/2Bi1/2)TiO3-(Na1/2Bi1/2)(Zn1/3Nb2/3)O3无铅压电陶瓷的介电特性研究

采用固相合成法制备了(1-x)(Na1/2Bi1/2)TiO3-x(Na1/2Bi1/2)(Zn/23Nb2/3)O3(简写为(1-x)NBT-xNBZN)无铅压电陶瓷.研究了该体系陶瓷晶体结构、弥散相变特征与介电弛豫行为.X射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体.当x≥0.5%摩尔分数时,该体系陶瓷具有三方、四方共存的晶体结构.材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰Tf和Tm.修正的居里-外斯公式较好的描述了陶瓷弥散相变特征,弥散指数随x的增加而增加.x≤0.5%摩尔分数的陶瓷仅在低温介电反常峰Tf附近表现出明显的频率依赖性,随x的增加,陶瓷材料在室温和低温介电反常峰Tf之间都表现出明显的频率依赖性.根据有序-无序转变和宏畴.微畴转变理论探讨了该体系陶瓷介电弛豫特性的机理.     

2,5—二甲基—3,4—二乙酰基—1—（3—硝基苯基）吡咯的合成及晶体 …

在酸性介质中,３,４－二乙酰基－２,５－己二酮与硝基苯胺作用,满意地得到了２,５－二甲基－３,４二乙酰基－１－（硝基苯基）吡咯,用ＩＲ、＾１ＨＮＭＲ、高分辨质谱等对其进行了表征,并用Ｘ射线衍射测定了２,５－二甲基－３,４－二乙酰基－１－（３－硝基苯基）吡咯的晶体结构。该晶体属单斜晶系,Ｐ２１／Ｃ空间群。晶体学数据如下：ａ＝０．９３７５（ａ）ｎｍ,ｂ＝１．２８１４（２）ｎｍ,ｃ＝１．２９８５（１）ｎ     

0．94Na1／2Bi1／2TiO3—0．06BaTiO3无铅压电单晶的生长及电学性能研究

采用坩埚下降法成功生长出尺寸达φ15 mm×50 mm的0.94Na1/2Bi1/2TiO3-0.06BaTiO3(NBBT94/6)无铅压电单晶.利用X射线荧光沿纵向对晶体棒成分分析表明:Na 、Bi3 、Ti4 离子的含量沿纵向波动较小,而Ba2 离子的含量却波动较大.XRD结构分析表明,晶体棒的中、下部分属于三方相钙钛矿结构,而上部转变为四方相钙钛矿结构.详细研究晶体棒中部0.952Na1/2Bi1/2TiO3-0.048BaTiO3(NBBT95.2/4.8)的介电及压电行为表明:非自发极化方向[001]、[110]样品的退极化温度Td分别为200℃和150℃,具有明显的结晶学方向依赖性,且在Td附近表现出典型的介电弛豫行为;在3～5 kV/mm电压极化下,[001]、[110]方向样品的最大压电系数d33分别为165 pC/N、110 pC/N,机电耦合系数kt分别为49.8%、45.0%.     

AgGa1-xInxSe2晶体热处理研究

结合差示扫描量热曲线(DSC)和相图确定出热处理的温度范围.分别在真空和AgGa1-xInxSe2(x=0.2,0.6,0.8)多晶粉末包埋下,对ASGa0.4In0.6Se2晶体进行了热处理实验,分析了热处理对晶体性能的影响.结果表明:用x=0.6和0.8的多晶粉末包埋,在680℃下保温120 h后再淬火处理的晶片,其红外透过率在550～5500 cm-1波数范围内整体提高到65;以上,光学质量显著提高;EDX和XRD分析表明,采用AgGa0.2In0.8Se2多晶粉末包埋,能够补充晶片中的In缺失,成分更接近AgGa0.4In0.6Se2化学计量比,同时晶片结晶质量也得到明显改善.     

Synthesis and Structural Characterization of [2-(2-1H-Imidazoly)-1H-imidazolium nitrate] and [2-(2-1H-Imidazoly)-2H-imidazolium phthalyl glycinate] Based on the 2,2′-bi-1H-Imidazole Molecule

Abstract  

Two new compounds (H₃biim)(NO₃)(1) and (H₄biim)(phthgly)₂ (2) (H₂biim=biimidazole; Hphthgly=N-phthaloylglycine) have been synthesized and characterized by luminescence and single crystal X-ray diffraction study. Compound 1 crystallizes in the monoclinic space group C2/c, where a = 14.8078(15), b = 5.9233(6), c = 20.028(2) ?, β = 92.7910(10)°, V = 1754.6(3) ?³ and Z = 8. Compound 2 crystallizes in the monoclinic space group P2(1)/n, where a = 15.3775(14), b = 5.3200(6), c = 6.4689(18)?, β = 115.418(2)° V = 1216.9(2)?³ and Z = 4. In 1, the N–H groups of H₃biim⁺ and the oxygen atoms of NO₃ ⁻ are linked by hydrogen bonds leading to H₃biim⁺(N,N)–R₂²(10) and N–H···O interactions forming infinite 1D helical chains along the b-axis. Compound 2 consists of a planar diprotonated biimidazole moiety and two phthgly anions which connect to the dication by hydrogen bonds phthgly⁻(O,O)–R₂²(9).     

新型AgGa1-xInxSe2晶体用于CO2激光倍频研究

本实验室用布里奇曼方法成功生长出有应用前景的新型四元非线性AgGa1-xInxSe2晶体,对晶体光学透过,红外低倍显微成像,反射损耗和吸收系数进行了研究和计算.基于纯AgGaSe2和AgInSe2的Sellmeier方程,用线性内插方法计算了不同In含量的AgGa1-xInxSe2在0.9～19μm的Sellmeier色散系数并建立了Sellmeier方程.计算和描绘了Ⅰ型相位匹配CO2激光二次谐波产生的调谐曲线,并标出我们的倍频实验数据.在近似非临界相位匹配条件下,进行了TEA CO2激光10.6μm在AgGa1-xInxSe2中的倍频实验研究,并与AgGaSe2进行了比较,测量的1#AgGa1-xInxSe2相位匹配角θ及相位匹配接收外角△θext·L分别为88.2°和7.7°·cm,AgGa1-xInxSe2的倍频效率比AgGaSe2高出近3倍.     

Structure of progesterone hydroquinone monohydrate (1∶1∶1), C21H30O2·C6H6O2·H2O

The crystal structure of progesterone hydroquinone monohydrate was determined by means of X-ray diffraction methods:M _r=442.6, orthorhombic,P2₁2₁2₁,a=14.680(2),b=22.725(3),c=7.334(1) Å,V _a=2446.6(6) ų,Z=4,D _x=1.190 M gm^–3, MoK radiation ,(MoK)=0.75 cm^–1,F(000)=948. The structure was solved usingMultan;R=0.059,R _w=0.059 for 2736 reflections. This progesterone molecule has the most flattenedA ring, relative to the rest of the skeleton, of all progesterone molecules studied so far. Steroid, hydroquinone, and water molecules form, by means of hydrogen bonds, two parallel chains connected with each other by hydrogen bonds.The authors thank Dr. A. Szyczewski for supplying crystals. This research was supported by the project RP.II.10 from the Polish Ministry of National Education and by PHS Grant No. DK26546.     

AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究

采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备.采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217;.采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理.退火处理后晶体的红外透过率有明显改善.在4000cm-1～7000cm-1范围内红外透过率由原先低于25;改进到高于40;;在750cm-1～4000cm-1范围的红外透过率由原先低于45;改善到超过50;,在2000cm-1 ～750cm-1区域甚至高达60;.结果表明:采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备.