吴以成院士在《晶体生长的物理基础》再版发行仪式上的发言

<正>尊敬的葛传珍老师,各位领导和嘉宾,下午好!在闵乃本先生逝世一周年之际,南京大学隆重举行闵乃本先生专著《晶体生长的物理基础》再版发行仪式。该书再版既是对为我国人工晶体事业发展做出重大贡献的闵乃本先生的纪念与追思,也是对闵先生学术思想与学术体系的宣传,这对推动人工晶体从基础研究到产业高质量发展,解决国家重大需求具有深远意义。     

彭珍珍执行主编在《晶体生长的物理基础》再版发行仪式上的发言

<正>尊敬的葛传珍老师,各位领导和嘉宾,下午好!今天南京大学隆重举行闵乃本先生专著《晶体生长的物理基础》再版发行仪式,我受邀参加,心情很激动,这里请允许我代表《人工晶体学报》做个发言。《人工晶体学报》创刊于1972年,作为行业内唯一的专业性学术期刊,得到了众多老一辈科学家的关心。闵先生更是身体力行,1981年,改革开放之初,学报第一任主编吴乾章先生根据需要,组织编辑晶体生     

祝世宁院士在蒋民华先生逝世十周年纪念活动暨《晶体物理》再版发行仪式上的发言

尊敬的汪老师、尊敬的樊校长、尊敬的各位嘉宾、老师们、同学们: 今天,是敬爱的蒋民华先生逝世十周年纪念日,我们齐聚蒋先生生前工作过的地方,举行纪念活动,同时举行蒋民华先生编著的《晶体物理》再版首发仪式.在现今开启历史新征程的重要时期,举办这场活动非常有意义.首先我要感谢山东大学的同仁,他们邀请我为《晶体物理》写再版序言并...     

重新刊发闵乃本院士《实际晶体的生长机制》一文序

2018年9月16日,我国著名物理学家、材料学家闵乃本先生永远离开了我们。闵先生长期从事晶体物理科研和教学工作,为我国凝聚态物理学和材料科学的发展作出了杰出贡献。本刊作为我国人工晶体领域唯一的专业性学术期刊,得到闵先生的大力推崇和支持,有幸成为闵先生很多理论研究成果的传播载体,刊发了包括《晶体生长过程中的形态稳定性》(人工晶体,1981,10(2):77-105.)、《实际晶体的生长机制》(人工晶体学报,1992,21(3):217-229.)、《介电体超晶格(英文)》(人工晶体学报,2001,30(1):10-27.)等具有重大国际影响力的论文。值此一周年之际,本刊重新刊发闵先生《实际晶体的生长机制》一文,并特别邀请王继扬老师为其作序,以志纪念。     

用数学模型计算生长大尺寸光学晶体加热系统结构 第2部分—在φ4 00mmCaF_2晶体生长中计算辐射-传导热交换的方法和结果(英文)

大尺寸氟化物晶体的生长是基于对晶体炉热交换的实验研究和计算结果 ,在晶体生长过程的不同阶段解决了复杂结构生长容器的边界条件和温场的二维计算任务。我们在这里给出了晶体生长过程中温场设置和转变的具体数据。所有的计算都是根据晶体、熔体 ,容器材料的光学特性与光谱和温度的关系以及它们的热物理值与温度的关系做出的。这些结果包括了迄今有关氟化物晶体生长系统和过程的最精确的数据 ,可用于生长技术工艺的发展以及晶体生长炉和容器的设计。     

用数学模型计算生长大尺寸光学晶体加热系统结构第2部分-在Ф400mm CaF2晶体生长中计算辐射-传导热交换的方法和结果

大尺寸氟化物晶体的生长是基于对晶体炉热交换的实验研究和计算结果,在晶体生长过程的不同阶段解决了复杂结构生长容器的边界条件和温场的二维计算任务.我们在这里给出了晶体生长过程中温场设置和转变的具体数据.所有的计算都是根据晶体、熔体,容器材料的光学特性与光谱和温度的关系以及它们的热物理值与温度的关系做出的.这些结果包括了迄今有关氟化物晶体生长系统和过程的最精确的数据,可用于生长技术工艺的发展以及晶体生长炉和容器的设计.     

甩数学模型计算生长大尺寸光学晶体加热系统结构第2部分-在φ400mm CaF2晶体生长中计算辐射-传导热交换的方法和结果

大尺寸氟化物晶体的生长是基于对晶体炉热交换的实验研究和计算结果，在晶体生长过程的不同阶段解决了复杂结构生长容器的边界条件和温场的二维计算任务。我们在这里给出了晶体生长过程中温场设置和转变的具体数据。所有的计算都是根据晶体、熔体，容器材料的光学特性与光谱和温度的关系以及它们的热物理值与温度的关系做出的。这些结果包括了迄今有关氟化物晶体生长系统和过程的最精确的数据，可用于生长技术工艺的发展以及晶体生长炉和容器的设计。     

中国硅酸盐学会晶体生长与材料专业委员会和《人工晶体学报》编辑委员会联席会议在大连市召开

2001年7月6日-9日,在风景如画的海滨城市大连召开了中国硅酸盐学会晶体生长与材料专业委员会和《人工晶体学报》编委员会联席会议,共有40余位代表出席了会议,汇集了我国晶体行业的学术技术领域众多精英人才。     

再见2019,你好2020!

正一元复始,万象更新。告别2019,《人工晶体学报》与您相约走进2020,走进中国期刊发展的春天!回望过去,时光荏苒。作为我国人工晶体行业唯一的专业性学术期刊,《人工晶体学报》自1972年创刊以来,已经走过48个春秋,近半个世纪的风雨沧桑,见证了中国牌晶体的辉煌,记录了青年晶体学者成长的足迹,孕育了我国人工晶体行业文化,但也不可避免地经历了曲折与起伏。2019年,是《人工晶体学报》谋转型求发展的一年。4月17日,古都南京,紫金山麓水畔,以中国科学院院士祝世宁为主编的第七届编委会成功召开,全体编委共商学报发展大计,自此开始了新的期刊出版传播实践。     

提拉法晶体生长数值模拟研究进展

数值模拟方法是了解晶体生长过程中各种物理现象和问题的重要手段,可以为晶体生长工艺参数的设定、温场设计等提供参考.本文介绍了最近几十年来数值模拟技术对提拉法生长晶体过程中物理问题的研究进展,同时对晶体生长过程中界面形状、液流、速度场、温度场、各种输运过程以及工艺条件和参数对晶体生长的影响等的数值模拟进行了介绍.     

大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化

大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。     

《晶体生长微观机理及晶体生长边界层模型》书评

殷绍唐先生所著《晶体生长微观机理和晶体生长边界层理论模型》一书由科学出版社在年前出版了,尽管早已读过这本书的初稿,出版后重学此书,还是收获和感慨良多.     

Cz法单晶硅生长过程功率及流体流动的实验研究与数值模拟

本文建立了一个二维全局模型对120 KG单晶硅炉的热系统进行了数值模拟.通过对温场的单独模拟以及温场流场的耦合模拟得到了不同模型下晶体生长所需要的功率,并将两组模拟值与实验数据进行对比得到了加入流体流动后系统所产生的功率损耗.同时对晶体生长过程的分阶段模拟得到了晶体生长过程热系统温度分布的变化规律以及熔体流动的变化规律.结果显示,在整个晶体生长过程中流体流动所产生的功率损耗占实际功率的21.6;左右.     

KDP类晶体快速生长技术研究

概述了本课题组在KDP类晶体快速生长领域的研究及进展情况。通过集成生长设备的管道系统、升级连续过滤系统、研发晶体生长过程的实时监控系统以及高精度退火设备,实现晶体生长系统的集成化;通过数值模拟优化晶体表面流场状态、全流程量化控制实现晶体稳定生长以及精密热退火进一步提升晶体性能;针对点籽晶快速生长KDP类晶体中存在的柱锥交界面问题,相继提出了长籽晶锥区限制生长法和长籽晶自由生长法,为大尺寸高性能KDP类晶体生长提供新的技术方案。     

多孔石墨对碳化硅晶体生长影响的数值模拟研究

SiC是新一代射频器件和功率器件的理想材料,电阻式物理气相传输法由于具有温度均匀性,成为生长大尺寸SiC单晶的有效方法。近年来,多孔石墨等的使用提高了SiC晶体的质量和产量,而关于其机理的研究却相对较少。本文使用数值模拟的方法系统研究了多孔石墨对SiC晶体生长的影响,并进行了晶体生长验证。模拟结果表明：多孔石墨的使用提高了原料区域的温度及温度均匀性,增大了坩埚内轴向温差,对减弱原料表层的重结晶也具有一定作用;在生长腔内,多孔石墨改善了物质流动在整个生长过程中的稳定性,提高了生长区域的C/Si比,有助于减小相变发生概率,同时多孔石墨对晶体界面也起到改善作用。晶体生长结果实际验证了多孔石墨在提高传质均匀性、降低相变发生率和改善晶体外形上的作用。本文结果对于理解多孔石墨的作用机理以及改善SiC晶体生长条件具有实际意义。     

《人工晶体学报》创刊30周年纪念会暨中国人工晶体材料现状及发展趋势研讨会在西安胜利闭幕

聚贤古城,行业盛典。2002年6月9日-11日在西安市丈八沟陕西宾馆召开了《人工晶体学报》创刊30周年纪念会暨中国人工晶体材料现状及发展趋势研讨会,全国代表共200余人出席了开幕式。蒋民华、闵乃本、沈德忠、王占国、姚建铨院士、陈创天教授等出席了会议。人工晶体研究院余明清院长致大会开幕词,陕西省科协梁琦主席和西安理工大学     

固相晶体生长技术的发展 ——从籽晶诱导到无籽晶生长

文章综合概述了固相法晶体生长技术的发展过程与研究进展.首先,回顾了在陶瓷烧结与冶金工艺中经常出现的晶粒异常长大现象,以及由此发展起来的固相法晶体生长技术.对固相法晶体生长工艺和应用领域等进行了简要介绍,对固相法晶体生长技术的典型应用案例和发展历程进行了叙述.然后,着重介绍了一种新的固相晶体生长技术——无籽晶固相晶体生长技术.对无籽晶固相晶体生长技术在无铅铁电压电晶体—铌酸钾钠基晶体中的应用进行详细介绍,并将该方法与常规的高温熔体法和籽晶诱导固相法晶体生长技术的特点进行了比较.最后,在介绍当前关于固相法晶体生长机理讨论的基础上,针对无籽晶固相晶体生长技术,提出了一种新的综合机制模型,力图解释无籽晶固相晶体生长的机理.对无籽晶固相晶体生长技术当前存在的问题以及未来的发展,分别进行了简要的说明与展望.     

《人工晶体学报》参考文献书写规则

根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714 -87),本刊的参考文献采用顺序编码制。参考文献著录格式示例(作者3人以上的用缩写符号:et al.等等)1.期刊 著者.文献题名[J].刊名,出版年,卷号(期号):页次.例:关铁堂,林景臻,林树坤,等.马来酸氢十八酯晶体生长[J].人工晶体学报,1992,20(1):5.Arnold W A,Wilcox W R,Carlson F,et al.Transport Modes during Crystal Growth in a Centrifuge [J].Journal ofCrystal Growth,1992,119(1 -2):24.2.专著 著者.书名[M].版本,出版地:出版者,出版年:页次.例:蒋民华.晶体物理[M…     

《人工晶体学报》参考文献书写规则

根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。参考文献著录格式示例(作者3人以上的用缩写符号:et al.等等)1.期刊著者.文献题名[J].刊名,出版年,卷号(期号):页次.例:关铁堂,林景臻,林树坤,等.马来酸氢十八酯晶体生长[J].人工晶体学报,1992,20(1):5.Arnold W A,Wilcox W R,Carlson F,et al.Transport Modes during Crystal Growth in a Centrifuge[J].Journal ofCrystal Growth,1992,119(1-2):24.2.专著著者.书名[M].版本,出版地:出版者,出版年:页次.例:蒋民华.晶体物理[M].济…     

高山仰止，景行行止——缅怀沈德忠先生

<正>时光飞逝,一转眼,尊敬的沈德忠先生已经离开我们近十年了。认识沈先生是在1990年,那一年我大学毕业,分配到国家建筑材料工业局人工晶体研究所（现为中材人工晶体研究院有限公司,以下简称晶体院）。当时盛传建材系统有四大专家,晶体院独占两位,其中一位就是沈德忠先生,所里同事尊称他为“沈专”,当然,1995年沈先生当选中国工程院院士后,尊称也相应改为“沈院士”或“院士”。我于1998年应沈先生邀约做了他的副手,从此开始了在先生手下的七年科研生涯。应该说这七年是我人生收获最丰富的一段时光,从先生那里我学到了很多,包括学术、科研、做人的道理……。