夫兰克-赫兹实验中影响板极电流因素浅析

通过公式与绘图比对实验测得的数据,研究电子与氩原子的夫兰克-赫兹实验中不同阴极电压、第一栅极电压、反向电压下,板极电流随加速电压的变化情况。分析板极电流发生变化的规律及原因,观察测得数据及其绘制的夫兰克-赫兹曲线找出对实验研究负向影响最小的阴极电压、第一栅极电压、反向电压的参考数值。     

霍尔电压测量中异常现象的分析与处理

本文分析了霍尔电压测量过程中出现的因不等位电压过高而引起的异常现象，并提出了解决办法。     

再论交流电压真有效值的测量

一、引言《物理实验》1989年第6期刊发了拙文“浅谈交流电压真有效值的测最”。对于交流电压、电流真有效值(True rms)的测量,近二十多年来一直是电测领域内引人注目的研究课题。此次再论,似乎是老调重弹,其实不然。     

对称测量法在霍尔元件测磁场中的应用

在用霍尔元件测磁场时,一般采用对称测量法以消除各种附加电压的影响,当出现某种附加电压大于霍尔电压这种特殊情况时,该测量方法更为必要．     

对TTL与非门电压传输特性测试实验的研究

本文通过对ＴＴＬ与非门电压传输特性的研究，介绍通过三种不同的实验方法，可以取得不同的实验效果。     

高真空热电子发射实验研究

在真空环境下,研究了阳极电压和阴极电压对金属热发射电流强弱的影响。实验结果表明,提高阳极电压和阴极电压有利于电子从阴极逸出,使发射电流得到增强,此外,提高阳极电压能够降低阴极临界电压,增大发射电流,为提高热电子发射效率提供了实验基础和理论依据。     

对称测量法在用霍尔元件测磁场实验中不容忽视

用霍尔元件测磁场时,一般采用对称测量法支消除各种附加电压的影响 ,当出现某种随加 压大于霍尔电压的特殊情况时,该测量方法更和要。     

The conduction mechanism of stress induced leakage current through ultra-thin gate oxide under constant voltage stresses

The conduction mechanism of stress induced leakage current （SILC） through 2nm gate oxide is studied over a gate voltage range between 1.7V and stress voltage under constant voltage stress （CVS）. The simulation results show that the SILC is formed by trap-assisted tunnelling （TAT） process which is dominated by oxide traps induced by high field stresses. Their energy levels obtained by this work are approximately 1.9eV from the oxide conduction band, and the traps are believed to be the oxygen-related donor-like defects induced by high field stresses. The dependence of the trap density on stress time and oxide electric field is also investigated.     

对称测量法在霍尔元件测磁场中的应用

在用霍尔元件测磁场时，一般采用对称测量法以消除各种附加电压的影响，当出现某会加电压大于霍尔电压这种特殊情况时，该测量方法更为必要。     

降压变压器的变压作用

在远距离输电的电路中,降压变压器和用电器整体的等效电阻比用电器的电阻大,降压变压器一定在减小输电线路电压损失的同时升高了输电线路末端电压;由于输电线路末端电压被升高,接入降压变压器之后的用电器电压比接入降压变压器之前的用电器电压可能低,也可能高.     

弗兰克-赫兹实验最佳实验条件及第一激发电位的研究

探究了弗兰克-赫兹实验的最佳实验条件及第一激发电位,通过分析实验数据得出最佳实验条件为灯丝电压3.3V,第一栅极电压1.7V,拒斥电压5.0V,得到氩原子的第一激发电位为11.543eV,并分析原因.     

Changes of summating potentials in the guinea pig cochlea after impulse sound exposure

Compound action potentials (CAP) and action potential-summating potential complex (AP-SP) evoked by click and tone burst respectively were recorded from the round window in guinea pigs. Correlations between the positive and negative summating potentials (SP and SP-) were examined befroe and after impulse sound exposure. The results show that the SP- is related to CAP threshold shift. In comparison to normal condition, it appears with high incidence when auditory threshold shift reaches 30 dB or more. SP- increases in amplitude when SP decreases. The smaller the amplitude of SP , the larger that of SP-. This suggests that in normal hearing condition SP- may be suppressed by SP . Such suppression may be released if OHC are injured. The dominant SP- as a sign of recruitment may be due to the change in the nonlinear character of IHC following OHC damage.     

扫描电压仪设计

本文介绍了一种输出电压随时间线性递增的扫描电压仪，其输出电压幅度和扫描周期可在一定范围内调节。     

纳秒脉冲电压下气体开关的击穿特性

 采用快速Marx发生器产生ns量级的高电压脉冲,分别开展了不同脉冲电压值下气体开关自击穿实验,获得了气体开关在不同气压下的击穿电压和击穿延迟时间以及抖动。详细介绍了纳秒脉冲电压作用下,气体火花开关击穿电压和击穿延迟时间随工作气压变化的特点,指出了气体开关在不同场合应用时的要求。     

夫兰克-赫兹实验最佳工作参量的确定

讨论了充氩夫兰克-赫兹管中阴极电压Vf、第一栅极电压VG1和拒斥电压VP等因素对夫兰克-赫兹实验IP-VG2曲线的影响,确定了Ar原子夫兰克-赫兹实验的最佳工作参量.     

电路理论中的理想电源

详实地论述了电路理论中一个重要物理模型——理想电源的建立初衷及其在实际电源电路中的应用。     

霍尔电压的简化测法

一、引言用霍尔元件测量磁场这一实验,现在教学中一般的测法是:对同一场点,利用磁场方向与元件工作电流方向的四种不同的组合,测取四个电压值,再由此四值算出霍尔电压,此法测量次数较多,计算量大。本文提出的简化测法是:只需测量磁场与电流的     

伪火花放电开关电压跌落过程实验研究

 设计了典型参数下的伪火花放电开关，进行了空气介质下的电压特性实验，给出了伪火花开关放电电压与气压变化的关系曲线；测量了产生伪火花放电的气压范围（1~29Pa）和单间隙伪火花放电开关耐受电压的最大值(40kV)，测得了伪火花放电与辉光放电的转折点气压(29Pa)，并对实验结果进行了理论分析。研究了伪火花放电开关电压跌落时间与放电电压的关系，首次将开关电压跌落过程分为暂态阶段和稳态阶段，讨论了放电电路参数，气体压力，开关结构和放电电压对电压跌落时间的影响。实验表明，在气压和开关结构不变的条件下，暂态过程时间由放电电压决定，电压越高，则所需时间就越短；稳态过程时间由放电电路参数决定，不受放电电压影响。     

电容的示波器测量法

用示波器测量电容的容量,可用不同的方法。其中只要测电容和电阻两端峰值电压、测流过电容的最大电流、电容电压的变化事、测电容上电流和电压的相位差或测LC谐振频率都可以得到电容的容量。     

The supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide-semiconductor static random-access memory cells

Using computer-aided design three-dimensional simulation technology,the supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset and charge collection in static random-access memory cells are investigated.It reveals that the recovery linear energy transfer threshold decreases with the supply voltage reducing,which is quite attractive for dynamic voltage scaling and subthreshold circuit radiation-hardened design.Additionally,the effect of supply voltage on charge collection is also investigated.It is concluded that the supply voltage mainly affects the bipolar gain of the parasitical bipolar junction transistor(BJT) and the existence of the source plays an important role in supply voltage variation.