MgO-SiC系列复合微波衰减材料

介绍了衰减材料的基本原理,国内外MgO-SiC系列复合材料研究和应用现状。     

纳米碳管及相关材料的电性能

碳管是Ｃ原子按一定的排列方式形成一封闭的结构，构成有别于金刚石和石墨的Ｃ的第三种分子形式。１９９１年日本发现了碳管的一种形式——纳米碳管。这类材料具有特殊的力学、化学、磁学、电学等性能。笔者综述纳米碳管及相关材料的电学性能及应用前景，指出这类材料近期有望在复合材料中得到应用，而运用到电子工业尚需较长的时间     

纳米碳管的STM研究

本文应用扫描隧道显微镜对孤光放电方法得到的纳米碳管进行了观察。孤光放电法所产物的纳米碳管以直线型为主，并且多以束状存在。碳管束直径约２０ｎｍ，而单要碳管的直径大多在２ｎｍ到５ｎｍ之间。观察到单层碳秋的原子像，其表明为石墨网络的六角结构。纳米碳管的原子像及单极碳管表面均未发现明显缺陷存在，这可能是它具有很高强度质量比的主要原理之一。     

AlN-TiC复相微波衰减材料性能的研究

采用热压烧结工艺制备了AlN-TiC复相微波衰减材料。通过XRD、SEM和网络分析仪,研究了TiC含量对材料的微波衰减性能的影响。结果表明,当w(TiC)低于10%时,材料呈选频衰减且衰减非常小;当w(TiC)为25%~50%时,材料呈现良好的多点选频衰减,且其衰减量随w(TiC)的增加而增加,最大达–18 dB。中心谐振频率有向高频漂移的趋势。初步探讨了AlN-TiC复相材料微波衰减曲线的频谱特性与衰减机理。     

AlN-SiC微波衰减陶瓷在X波段的选频衰减性能

以氮化铝、碳化硅为原料,氧化钇为烧结助剂,在1900℃、氮气气氛中,采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复相微波衰减材料。借助网络分析仪,研究了该材料在8~12GHz的微波衰减性能。结果表明,当SiC质量分数从0增加到9%时,该材料的谐振损耗峰所对应的频率从10.86GHz降低到10.11GHz,所对应的峰值从3.2dB降低到0.7dB,而该材料的有效衰减带增大;在900~1000℃、氢气(纯度≥99.99%)气氛中保温30~50min后,该材料的谐振频率维持在10.65~10.62GHz,谐振峰峰值略微减小;这表明在氢气气氛中的热处理对该材料的微波衰减性能影响较小。     

微波管用衰减材料的研究

首先介绍了国内外的几种微波衰减材料,同时分析了我所正在使用和研究的几种衰减瓷;其次介绍了波导传输反射法测量微波衰减材料的高频电磁参数,以及国内其它单位和国外的测量水平状况;再次,通过介绍衰减器微波吸收特性的CAD,对衰减瓷在使用中的不匹配问题进行了讨论;最后结合笔者的认识,讨论了今后微波管用衰减材料的研究方向。     

纳米碳管及一维纳米晶体结构研究

纳米碳管及基于纳米碳管的一维纳米晶体，由于其良好的应用前景而受到广泛重视。纳米碳管的电学特性单层纳米碳管由于其不同手性角，而显示半导体或金属电性［１—３］。本文对纳米管束进行了研究。ＪＥＭ－２０１０Ｆ及ＧａｔａｎＧＩＦ系统被用于管束的手性角测定及特征...     

用于大功率微波器件的新型薄膜衰减材料

根据大功率微波电真空器件中衰减材料的作用及对衰减材料的要求,介绍了一种新型的FeSiAl薄膜衰减材料,并对这一材料的特点、微观结构及衰减机制进行了分析.     

一种新型结构碳材料——碳管套碳纳米丝

以氢气和甲烷为气源,利用钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MW PCVD)系统制备了一种新型结构碳材料——碳管套碳纳米丝,用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对它的形态结构和成份进行了分析。这种新型结构碳材料,具有与碳纳米管、碳纳米丝相似的性质,并在某些领域(如电子源探针、纳米电子器件等)具有很好的应用前景。     

AlN-C(石墨)复相材料微波衰减性能的研究

采用热压烧结工艺,通过合理的烧结温度及保温时间的控制,制备了性能优异的AlN-C复相微波衰减材料。通过网络分析仪、SEM等测试手段,研究了衰减剂C含量对AlN-C复相材料微波衰减性能的影响,结果表明,当衰减剂C含量极小时(w≤1.0 %),AlN-C复相材料不具备衰减电磁波的特性;当衰减剂C含量为3.0 %～5.0 %时,AlN-C复相材料呈现良好的宽频衰减特性;当衰减剂C含量大于7.0 %时,AlN-C复相材料呈现明显的选频衰减特性,且随着C含量的增加,材料的衰减量增大,有效衰减带宽减小,中心谐振频率f0有向高频漂移的趋势。对AlN-C复相材料的频谱特性进行了初步的分析。探讨了AlN-C复相材料的微波衰减机理,电导损耗、界面极化损耗是其主要的微波衰减机理。     

大功率微波真空管用氮化铝基高导热微波吸收材料

大功率的微波真空管用微波吸收材料要求具有良好的导热性能,可以将微波衰减所产生的热量及时传导出去,此前常用BeO作为基体材料,但是BeO的毒性限制了其使用,因此研究的焦点转向了同样具有高热导率的AlN。本文介绍了大功率微波真空管用AlN-SiC复合微波吸收材料的研究现状及主要的制备方法。     

Al2O3-SiC复相微波衰减材料的性能研究

采用热压烧结工艺制备了Al2O3-SiC复相微波衰减材料。通过网络分析仪,研究了SiC含量对材料的微波衰减性能的影响。结果表明,当w(SiC)<3%,复相材料具有选频衰减的频谱曲线,谐振峰位置基本不变;当w(SiC)为3%~16%,材料的谐振损耗峰向低频方向移动;当w(SiC)>16%时,材料呈现出宽频衰减特性。对复相材料的微波衰减机理作了初步探讨,弛豫损耗和电导损耗是其主要的衰减机理。     

TiO2添加剂对AlN-SiC材料微波衰减性能的影响

在AlN-SiC复相材料中加入TiO2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-SiC-TiO2复相微波衰减材料。通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-SiC复相材料微波衰减性能与SiC含量的之间的关系,以及添加剂TiO2对AlN-SiC复相材料微波衰减特性和显微结构的影响。结果表明,SiC是良好的宽频微波衰减剂,对衰减频谱曲线特征起决定作用;TiO2的添加大大促进了AlN-SiC复相材料的烧结性能和微波衰减性能,添加了TiO2后6 GHz下衰减量由0.6 dB增加到0.85 dB。初步探讨了AlN-SiC-TiO2复相材料的微波衰减机理,电导损耗、介质损耗是其主要的微波衰减机理。     

高热导率陶瓷材料的进展

叙述了在电子器件上常用高热导率陶瓷材料的性能和应用，主要包括BeO，BN，AIN等三种陶瓷材料。特别介绍了AIN陶瓷的发展前景及其最新应用。     

几种电子陶瓷材料的研究与思考

给出了氧化铝陶瓷、微波陶瓷及PTC热敏陶瓷等几种电子材料的一些研究成果。发现95%~97%Al2O3陶瓷的机械强度不仅和晶体大小,而且和形貌及分布有关。制备的(Zr,Sn)TiO4微波陶瓷的?r为35~41,?f为(-14~+20) ×10-6℃-1和Q0≥5 000 (10 GHz)。采用化学共沉淀法制备了超细 (Ba,Sr,Pb) TiO3粉并获得了高性能PTC热敏陶瓷。对研究成果产业化进展提出若干思考问题并进行了探讨。     

氮化铝陶瓷的氧化机理研究

本文研究了不同氧化处理下氮化铝陶瓷的氧化情况,并使用Mo-Mn法进行金属化,测试封接强度及气密性,从而探究氮化铝瓷的氧化机制,氮化铝基瓷与氧化层之间的结合。结果表明:经过1100℃/1h高温氧化处理,氮化铝陶瓷表面几乎没有氧化。在1250℃/1h、1250℃/2h,表面生成了氧化铝,氧化层主晶相为AlN与Al₂O₃;在1350℃/1h下,氧化层主晶相为Al₂O₃;氧化层表面有明显的裂纹,均漏气。对不同处理后的氧化铝层表面进行Mo-Mn法金属化,当氧化层厚度较薄时,断裂发生在氧化层。氮化铝瓷与氧化铝层之间的结合机理可能是在两者之间产生了AlON等中间物,从而实现了氮化铝瓷与氧化层之间牢固的连接。     

功能性陶瓷的近况与发展

本文对功能性陶瓷的近况与发展作了简要的介绍,并按功能性分类对六种材料的特点作了说明,对铁电压电薄膜、复合功能材料、倾斜功能材料(Functionally Gradient Materials)等的特点和应用前景进行了分析,并对陶瓷材料与器件的工艺技术发展要求作了综合介绍。