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CLBO晶体表面化学腐蚀和开裂机理的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
硼酸锂铯(CLBO)是一种性能优良的紫外倍频晶体,但在室温大气环境中使用时晶体容易开裂,影响了它的实际应用.本文用水(或/和)甘油作为腐蚀剂,对不同取向的CLBO晶体表面进行了腐蚀,对比了表面的腐蚀图案;通过纯甘油和纯水的腐蚀剂作用对比,并结合CLBO晶体晶胞内原子的排列情况,揭示了CLBO晶体开裂的微观机理:水分子从(100)或者(010)面上的结构通道进入CLBO晶体,与Cs、Li和B原子反应,生成Cs2B10O16·8H2O、α-Li4B2O5和H3BO3,打开了CLBO晶体的键链,从而引起晶体的开裂;最后展示了CLBO晶体由于水的侵蚀而开裂的全过程. 相似文献
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三硼酸锂(LBO)晶体生长基元与形貌 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用称重法研究了LBO晶体中的生长速率与溶液过饱和度之间的关系,在盯同过饱和度的条件下,同一晶体的不同界面上出现了粗糙化相变和二维成核的不同生长机制,这种现象用负离子配位体生长基元的观点得到了圆满的解释。通过对溶液结构的测定,证实了溶液中存在着B-O3三角形和B-O4四面体结构。它与晶体中的配晶位结构相同喧两种配位体形成的(B3O7)^5-与晶体中的络阴离子环相当。环状络阴离有两个非对称分布的 相似文献
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本文详细叙述了采用提拉法生长Li2B4O7晶体的原料制备和晶体生长工艺,研究并克服了晶体生长过程中出现的各种缺陷。测试了晶体的压电和声表面波性能,结果表明,Li2B4O7是一种优良的SAW基片材料。 相似文献
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本文采用熔体法生长出四硼酸铅透明大单晶,最大尺寸为54mm×46mm×10mm.对它的结晶学特性进行了研究,晶体形态为沿a-c晶面延伸的厚板状;晶体的质量与生长时引晶方向有关,当(010)晶面平行于液面时,晶体生长均匀,缺陷减少.该晶体的莫氏硬度为8~8.5,化学性能稳定.晶体生长时无挥发物产生,因而减少其对环境的污染.本文测试了PbB4O7晶体的熔点、透光性、热扩散物理性质,并首次定性测试了它的非线性光学性能,其倍频信号强度与KDP相当. 相似文献
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采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5~9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7~7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,尺寸7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波长8.0305 μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153 μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°.利用波长2.05 μm、脉冲宽度20 ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270 MW/cm~2. 结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析. 相似文献
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铌酸锂晶体的生长研究 总被引:2,自引:1,他引:2
近年来,铌酸锂晶体由于其自身所具有的多种优异性能和巨大的应用前景而受到了人们的广泛关注,但生长出满足不同市场要求的高质量铌酸锂单晶体比较困难.本文从晶体生长技术的角度综述了铌酸锂单晶体不同的生长方法以及各自的特点,并分析了在生长铌酸锂晶体时出现的一些问题. 相似文献
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掺铒硼酸钙镧晶体的合成、生长及光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文合成并以CaO-L i2O-B2O3为助熔剂体系生长得到了掺铒硼酸钙镧(Er3 :La2CaB10O19,Er:LCB)的晶体。X射线粉末衍射分析表明,Er:LCB和LCB具有相同的晶体结构,均属于单斜晶系,C2空间群。Er:LCB晶体的熔点大约为1048℃。测试了Er:LCB晶体的吸收光谱和荧光光谱。Er:LCB晶体在790nm和970nm附近存在的吸收,对应于A lGaAs和InGaAs激光二极管输出波长,其吸收截面分别为1.94×10-20和2.39×10-20cm2。Er:LCB在1531nm附近有发射峰最强,峰宽为16nm。其荧光寿命为0.37m s。 相似文献
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本文报道了一种新的硼酸盐化合物-Ba0.87Sr3.13B14O25,采用泡生法已生长出尺寸为35mm×25mm×5mm的晶体.该晶体为单斜晶系,C2/m空间群,a=1.6425(3)nr,b=0.77739(16)nm,c=1.6665(3)nm,β=119.22(3)°,Z=4.结构中B3O8六元环通过O原子和BO3三角形相互连接,构成三维的硼氧阴离子骨架,金属阳离子占据多面体间的空隙.测量了BSBO晶体的透过谱,该晶体的显微硬度为578kg/mm2. 相似文献
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用于红外变频的大尺寸AgGaS2晶体生长 总被引:5,自引:4,他引:1
在红外变频非线性光学应用中需要高光学质量大尺寸AgGaS2晶体元件.我们采用改进的Bridgman方法生长直径28mm、长度60~80mm的晶体棒.成功生长的关键是要采用C向籽晶.[001]籽晶生长的晶体中很少发现裂纹、聚片孪晶等宏观缺陷.在Ag2S共存下的热处理能有效地排除晶体中的异相沉淀,显著改善透明度.我们制备的Ⅰ型相位匹配8mm×10mm×16mm和5mm×5mm×15mm?AgGaS2晶体元件分别成功地应用于差频、和频激光实验. 相似文献