功率RF LDMOS的关键参数研究

在功率RF LDMOS器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是互相矛盾和相互制约的.文中研究了几个关键参数之间的关系和优化方案,以及国际上在这方面所开展的研究和取得的进展,为进一步的研究和探索提供参考.     

功率RF LDMOS的关键参数研究

在功率RF LDMOS器件中，击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数，为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是互相矛盾和相互制约的. 文中研究了几个关键参数之间的关系和优化方案，以及国际上在这方面所开展的研究和取得的进展，为进一步的研究和探索提供参考.     

功率RF LDMOS的关键参数研究

在功率RF LDMOS器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是互相矛盾和相互制约的.文中研究了几个关键参数之间的关系和优化方案,以及国际上在这方面所开展的研究和取得的进展,为进一步的研究和探索提供参考.     

RF LDMOS功率器件关键参数仿真

在RF LDMOS功率器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是相互矛盾和相互制约的。文中研究了几个参数之间的关系和优化方案。现在RF LDMOS功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠性以及脉冲应用等方向发展。所研制器件采用沟背面源结构,采用场板技术降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压6V、频率520MHz、连续波的测试条件下,输出功率达到5.6W,增益大于12dB,效率大于55%。     

新型的功率器件--射频LDMOS

射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。     

0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件的研究

在提出0.18μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200μm,栅长为0.7μm,漏的注入区与栅的距离为1.5μm的0.18μm射频SOILDMOS功率器件。对器件进行了测试和模拟,在工作频率为3 GHz,直流偏置电压VDS为3 V,VGS为1.5 V,输入功率Pin为5 dBm时,Pout、增益和PAE分别为15 dBm1、0 dB和35%。     

SOI LDMOS晶体管耐压结构的研究

SOI技术已经成功的应用到功率集成电路中,而击穿电压是功率器件一个重要的参数.本文对SOI LDMOS的击穿电压进行了分析,介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构,较为详细的分析了RESURF原理的应用.     

三端自由高压LDMOS器件设计

应用RESURF原理，设计了三端自由的高压LDMOS器件。采用虚拟制造技术，分析比较了多种结构，对器件结构进行了优化。设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺。采用虚拟制造，得到NMOS和PMOS虚拟器件，击穿电压分别为350V和320V。     

射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计

对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,得出最优结构为正三角形槽结构,该结构实现了最大程度地减小寄生反馈电容的目的,寄生反馈电容减小了24%,LDMOS的截止频率提高了15%.     

RF LDMOS功率晶体管及其应用

论述了RF LDMOS功率晶体管的基本结构和特点,从与双极晶体管相比较的角度,讨论了这种器件的优异性能,对其发展动态和应用情况作了介绍。     

单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验

传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170 mA/mm、击穿电压120 V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5 GHz和10 GHz的RF LDMOS器件。在50 V工作电压、1 090 MHz频点下栅宽345 mm单芯片器件的最大输出功率362 W,功率增益15.6 dB,漏极效率38.1%。     

射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计

对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,得出最优结构为正三角形槽结构,该结构实现了最大程度地减小寄生反馈电容的目的,寄生反馈电容减小了24%,LDMOS的截止频率提高了15%.     

硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势

从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。     

具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS的输出特性

提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件.漏至衬底寄生电容是影响射频功率LDMOS器件输出特性的重要因素之一,寄生电容越小,输出特性越好.分析表明n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS漏至衬底的结电容比常规射频功率LDMOS和n埋层pSOI射频功率LDMOS分别降低46.6%和11.5%.该结构器件IdB压缩点处的输出功率比常规LDMOS和n埋层pSOI LDMOS分别提高188%和10.6%,附加功率效率从n埋层pSOI LDMOS的37.3%增加到38.3%.同时该结构器件的耐压比常规LDMOS提高了约11%.     

具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS的输出特性

提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件. 漏至衬底寄生电容是影响射频功率LDMOS器件输出特性的重要因素之一,寄生电容越小,输出特性越好. 分析表明n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS漏至衬底的结电容比常规射频功率LDMOS和n埋层pSOI射频功率LDMOS分别降低46.6%和11.5%. 该结构器件1dB压缩点处的输出功率比常规LDMOS和n埋层pSOI LDMOS分别提高188%和10.6%,附加功率效率从n埋层pSOI LDMOS的37.3%增加到38.3%. 同时该结构器件的耐压比常规LDMOS提高了约11%.     

n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性

提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频LDMOS,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏至衬底的结电容比常规LDMOS和PSOI LDMOS分别降低39.1%和26.5%.1dB压缩点处的输出功率以及功率增益比PSOI LDMOS分别提高62%和11.6%,附加功率效率从34.1%增加到37.3%.该结构器件的耐压比体硅LDMOS提高了14%.