集成电路工厂的噪声及控制

本文分析了集成电路制厂的噪声来源，阐述了噪声控制的重要性及主要噪声的控制措施     

集成电路无工厂公司——Fabless前途似锦

Fabless半导体协会(Fabless Semiconductor Association,FSA)认为,截止到2010年,世界集成电路销售收入的一半源自Fabless(无工厂公司),比如纯Fabless和无线运作的IDMs(集成器件生产商)和系统设计厂商。目前,纯Fabless占世界集成电路市场的13％,销售额约为200亿美元;IDMs和系统设计厂商外包占30亿美元。两者加起来为230亿美元,占世界集成电     

西南集成电路设计有限公司将在美国TowerJazz工厂生产射频IC产品

西南集成电路设计有限公司(SWID)是一家无晶圆IC设计公司。最近该公司选择在美国加州纽波特比奇(NewportBeach)进行代工生产,利用其锗硅BiC-MOS工艺技术来制造该公司的射频IC产品。TowerJazz宣布了这一合作。Tower半导体于2008年接管了美国捷智科技     

西南集成电路设计有限公司将在美国TowerJazz工厂生产射频IC产品

西南集成电路设计有限公司（SWID）是一家本土无晶圆IC设计公司。最近该公司选择在美国加州纽波特比奇（NewportBeach）进行代工生产,利用其锗硅BiCMOS工艺技术来制造该公司的射频IC产品。     

集成电路低功耗设计

集成电路的低功耗和散热设计是ASIC(专用集成电路)芯片发展中比较突出的问题。文中从理论上对由于寄生负载电容进行充放电、漏电流和亚阈电流造成的集成电路功耗进行了探讨,从而找出降低集成电路功耗的多种方法。     

大规模集成电路工厂用的宇航式净化服

在美国,加工尺寸限于1微米的最新LSI工厂里正开始采用宇航服武净化服,这是为了清除LSI的大敌——尘埃;美国英特尔公司,在生产32位微处理机80386等的最新工厂里已开始采用这种净化服;在日本,试用类似净化服的LSI公司已经出现;同时,还指出了人们对于这种净化服的工作性能的担心。     

集成电路设计技术进展

主要讨论亚微米集成电路设计面临的几个问题，如器件模型、互连线的延迟与串扰、设计效率的提高、功耗、可靠性设计、建库及ＥＤＡ软件等，并介绍了这几个方面的最新研究进展     

集成电路设计发展趋势漫谈

四十年来集成电路的发展始终处于急剧的变化之中。它的性能价格比一直以大约25％到30％的速度在不断地提高,这是任何其它产品所不能相比拟的。这也使得它的应用领域能够不断地扩大,应用范围日益普及。这当然应该归功于它的制造技术的不断推陈出新。集成电路设     

集成电路设计的概述

本文介绍了集成电路发展的各个阶段及其基本的特征。把集成电路设计流程划分为三个阶段:需求分析系统设计、逻辑设计、物理设计,并通过对每一阶段的叙述,介绍了集成电路设计的方法和基本知识。最后描述了集成电路设计面对的问题和前景。     

专用集成电路设计分析

本文介绍了专用集成电路的设计方法，分别阐述了ASIC设计的分类，ASIC的高层设计语言(VHDL)，数字逻辑系统的仿真，ASIC的设计流程以及ASIC的故障分析与测试。     

集成电路低功耗设计方法

信息化的社会发展无法离开电子产品的不断进步,而其对其低功耗的设计要求正在不断增强.但当前电子产品的功能质量在提高的同时,其功耗设计却没能跟上设计的要求,一直处于上升趋势,这将对电子产品性能的提高产生一定的影响.一款经久耐用、性能强的电子产品必须具备水平相当的低功耗设计方式.本文主要探讨了集成电路的低功耗设计方法,以作为相关参考.     

集成电路低功耗设计方法

针对当前集成电路低功耗的需求,对当前几种常用的低功耗设计方法和技术进行探讨,包括算法优化、工艺优化、版图优化、门级优化等,从而为当前继承电路优化提供借鉴参考。     

集成电路设计教学改革探索

"集成电路设计"课程是培养我国急需的集成电路设计人才的入门课程,也是射频集成电路设计、专用集成电路设计等课程的基础课程。文章从集成电路设计的理论教学环节与实践教学环节入手,提出了几点教学改革措施,力求把学生的理论知识与实践紧密结合起来,强化学生的动手能力,培养成为与社会需求相符合的应用型、创新型人才。     

CMOS集成电路工艺设计

一、引言 工艺问题是MOS集成电路（以下简称MOSIC)CMOSIC的关现问题。这里包括二方器的问题,一是工艺参数,材料参数的正确高计,二是工艺条件和方法的稳定,可控,以保证上述工艺参数的实现和稳定。正确的工艺设计建立在目前工艺水平基础之上,过来又纶工艺条件的控制来方便,可以二者是紧密相关的。 本文着重讨论CMOSIC的工艺设计问题,即从CMOSIC的应用条件（如电源电压VOD),由参数指标（如噪工作频fmax等）出发,确事实上的于开启电压VT（坊）开启电压VTF,沅漏击穿电压BVDS以及分布电阻,分布电容等参数的要求,从影响各参数的诸工艺因素的盾分析中,确定材料参数,（如栅电极材料,栅介质材料,S,底材料等）及各工艺参数（如各次氧层厚度,各次扩散结深,化层厚度,表面电控制等）以期实现CMOSICR 的突击特点。即真正的微功耗,较高的速度,较高的容,并保证良好的成率,此外它还为决CMOSIC的突击问题——提高集成度指明方向。工艺设计的中心问题是CMOS的两种沟栅开启电压V_T和厚膜开启电压V_(TF)的控制。我们首先讨论这向问题。     

集成电路设计方法新进展

文章首先简单回顾了近两年来我国集成电路设计技术的现状,然后详细阐述了基于IP的设计方法、基于平台的设计方法。同时对混合信号集成电路设计方法和DSP的设计新方法进行了探讨。最后讨论了基于IP重构的设计方法和90nm以后集成电路设计方法中的一些热点问题。     

集成电路设计技术进展

主要讨论亚微米集成电路设计面临的几个问题，如器件模型、互连线的延迟与串扰、设计效率的提高、功耗、可靠性设计、建库及ＥＤＡ软件等，并介绍了这几个方面的最新研究进展。     

集成电路工艺设计中的试验设计

本文用自适应予空间部分方法进行工艺参数超空间定义域的分割,并利用试验设计方法建立集成电路器件特性与工艺参数的子空间二次回归模型.实例表明,在工艺优化设计、器件性能预测等中用回归模型代替工艺一器件模型具有较大的优越性.     

集成电路工艺设计中的试验设计

本文用自适应子空间剖分方法进行工艺参数超空间定义域的分割,并利用试验设计方法建立集成电路器件特性与工艺参数的二次回归模型。实例表明,在工艺优化设计和器件性能预测中用回归模型代替工艺-器件模拟具有较大的优越性。