雷达高电压机柜、组合的电气装接问题

本文简述雷达高压机柜、组合在高密度、高电压、高功率工作状况下零部件电气装接所遇到难题——必须保障系统绝缘可靠问题的解决方式。通过从简单剖析高电压设计理论、揭示设计方法及检验手段过渡到具体装接操作步骤的论述。     

雷达发射机的电气装接问题

文章简述雷达发射机在高密度、高电压、高功率工作状况下零部件电气装接所遇到难题——必须保障系统绝缘可靠。     

雷达发射机高电压绝缘的分析和实践

根据分子运动理论对真空管雷达发射机中高压引起的放电、打火、击穿的过程和因素进行分析,并根据工程实践经验给出高压电源及高压变压器研制时的注意事项,对各种真空管发射机的设计有普遍意义。     

高电压真空灭弧室陶瓷外壳的设计

高电压陶瓷外壳是真空灭弧室的重要组成部分,因此,陶瓷外壳的绝缘在设计中是必须考虑的,一只在运行中的真空灭弧室触头断开后,陶瓷外壳就会受到电源电压的影响.因此陶瓷外壳在设计时应考虑到下列三点:陶瓷外壳的长度,陶瓷外壳的爬电距离和真空灭弧室陶瓷外壳外面的绝缘介质.     

电子电气产品抗电强度试验的应用

电子电气产品的抗电强度试验是产品型式评价中的基本试验内容.理解抗电强度试验的目的和原理,了解材料绝缘、介电击穿的原理,能够让标准制定者和实施者加深对试验的认识,帮助试验人员正确实施抗电强度试验.合理设置试验仪的失效电流门限,可以减少对试验结果的误判,提高试验效率,保护试验仪器与受试设备.另外还介绍了一些抗电强度试验中的...     

高电压大容量变压器绝缘技术的应用

在市场经济的发展下,社会的用电量不断增加,使高电压大容量变压器得到了广泛应用,保障其安全、稳定的运行具有十分重要的意义.传统的绝缘技术水平比较低,抗电压、抗电流能力比较差,存在严重的安全隐患.对此,本文对高电压大容量变压器绝缘技术的应用进行了分析,以供相关人员进行参考.     

航天高电压设备的绝缘防护研究

通过对航天电子产品特殊的工作环境分析,针对低真空环境下的低气压放电问题,阐述了航天高电压设备对绝缘的特殊要求。在低气压条件下通过设计足够的间隙,减小电场强度分布,合理的排气通道避免低气压放电现象的发生。同时在绝缘防护工艺上采取绝缘涂覆或者灌封(或局部灌封)工艺,将气体绝缘转换为固体绝缘,可以有效提高产品的绝缘能力。     

串行演示的高电压与绝缘技术教学改革

新工科下,为了培养出能够解决实际复杂工程问题的复合型人才,传统的教学模式需进行革新。以“高电压与绝缘技术”课程为例,分析了现有课程体系和教学模式的弊端与不足,提出了基于“高电压与绝缘技术演示”的“课堂串行演示”教学改革方案,给出了具体的教学步骤与流程示范,将此教学模式运用于两届学生的教学实践当中,经过课后学习体验问卷调查,收到了良好的教学反馈。     

论我校高电压与绝缘技术博士点的定位与发展

高等学校博士点的主要目标是培养高素质、高层次的创造性人才。本文结合笔者的实际教学和科研经验,探讨了我校高电压与绝缘技术诗士点的学科定位与发展。首先分析了博士点建设的关键;简要介绍了高电压与绝缘领域国内外技术发展现状。结合我校高电压与绝缘技术学科近60年的初创、调整、发展、壮大四个阶段,面向高压电力系统、电气化铁道、国防系统三个领域,就研究方向、研究人员、实验设备的配备及谏程开设等四个方面,提出了我校高电压与绝缘技术学科博士点的定位以及发展的主要内容。     

固态介质薄膜的电击穿场强

对于微电子和光电子元器件及其集成电路来讲,固态介质薄膜是一类重要的基础材料。它们的电击穿场强是一个特殊的特性参数。本文从理论上论述了这类薄膜的电击穿场强,并概述了现在所用的测试方法和多位研究者得出的测试结果。此外, 文中还分类提出了这类薄膜内的弱点类型。     

复合介质层SOI高压器件电场分布解析模型

提出复合介质埋层SOI(compound dielectric buried layer SOI,CDL SOI)高压器件新结构,建立其电场和电势分布的二维解析模型,给出CDL SOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判据.CDL SOI结构利用漏端低k(介电常数)介质增强埋层纵向电场,具有不同k值的复合介质埋层调制漂移区电场,二者均使耐压提高.借助解析模型和二维数值仿真对其电场和电势进行分析,二者吻合较好.结果表明,对低k值为2的CDL SOILDMOS,其埋层电场和器件耐压分别比常规SOI结构提高了82%和58%.     

复合介质层SOI高压器件电场分布解析模型

提出复合介质埋层SOI(compound dielectric buried layer SOI,CDL SOI)高压器件新结构,建立其电场和电势分布的二维解析模型,给出CDL SOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判据.CDL SOI结构利用漏端低k(介电常数)介质增强埋层纵向电场,具有不同k值的复合介质埋层调制漂移区电场,二者均使耐压提高.借助解析模型和二维数值仿真对其电场和电势进行分析,二者吻合较好.结果表明,对低k值为2的CDL SOILDMOS,其埋层电场和器件耐压分别比常规SOI结构提高了82%和58%.     

浅议电力GIS设备的安装技术与调试方法

随着我国电力输电、变电技术的飞速发展,GIS设备的应用也越来越广泛。GIS的运行状态,直接影响到电网的运行状态。GIS设备的安装与调试作为GIS运行状态控制中的重要环节,必须要对其给予充分重视。为了保证电力GIS设备能够一次性安装成功,技术人员与施工人员都必须要对GIS各项技术、安装要求等进行熟悉,并做好准备、施工与调试工作。作者结合多年实践经验,从电力GIS设备的安装准备工作入手,对电力GIS设备的安装技术与调试方法进行探索与研究。     

机载雷达天线,馈线系统增压设计

对机载雷达天馈线系统增压的作用、主要技术参数的设计计算及边界技术条件的确认作了探讨，并分析比较了该系统与国外产品的差距。     

一种采用多个渐变反型电荷层优化电场的LDMOST

A lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor （LDMOST） with multiple n-regions in the p-substrate is investigated in detail. Because of the decrescent n-regions, the electric field distribu- tion is higher and more uniform, and the breakdown voltage of the new structure is increased by 95%, in comparison with that of a conventional counterpart without substrate n-regions. Based on the trade-off between the breakdown voltage and the on-resistance, the optimal number of n-regions and the other key parameters are achieved. Furthermore, sensitivity research shows that the breakdown voltage is relatively sensitive to the drift region doping and the n-regions＇ lengths.     

电气强度试验结果辨析

分析电气强度测试的原理和目的,指出电气强度测试作为一种加速测试方法,片面调整相关测试参数是不符合测试目的的.同时,比较电气强度测试的判定方法在型式试验和常规检测中不同的原因,指出正确判定电气强度测试中绝缘材料击穿的方法,重点是围绕绝缘材料被击穿后呈现出导体特性的特点,考察相关电参数的变化特征,以此判定绝缘材料是否被击穿.     

单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化

基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法。单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处。随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小。环右侧最大电场也出现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小。在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距。     

数字电视光缆网络的敷设接续与测试技术探讨

我国广播电视产业飞速发展,数字电视的应用越来越广泛,数字电视的光缆网络建设如火如荼地开展起来,结合当前数字电视光缆网络的应用现状,对光缆网络的敷设、连接和测试技术进行分析与阐述。     

全介质自承式架空光缆的研制

本文提出了全介质自承式架空光缆结构参数的设计方法，并对光缆材料的选取，工艺技术的关键点进行了分析，最后给出了我们研制的全介质自承式架空光缆的测试数据。