GdFeCo/AlN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜磁化方向转变的研究

对 Gd Fe Co/Al N/Dy Fe Co静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层 Gd Fe Co随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化 ,转变过程中受饱和磁化强度 (Ms)和有效各向异性常数影响 ,但主要受饱和磁化强度 (Ms)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小 ,退磁场能减小 ,在静磁耦合作用下 ,使 Gd Fe Co读出层的磁化方向发生转变 ,而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。     

多层窄样品中静磁表面波宽度模的色散特性研究

本文建立了具有任意参数多层薄膜结构的窄样品中静磁表面波宽度模的普遍色散关系,适用于利用多层薄膜控制静磁表面波色散特性的所有情况.对两周期 多层膜结构窄样品中静磁表面波宽度模的色散特性进行了数值计算,得到了多层膜中的高阶宽度模式,多层薄膜结构的参数可以有效地控制静磁表面波的色散特性,样品宽度效应对色散也有明显的影响.根据数值计算结果对不同宽度的YIG薄膜样品在4.2~5.2GHz的频率范围进行实验,实验测试结果与理论分析相吻合.     

磁光记录薄膜磁光特性参数测量的外推方法

本文采用自制的一种磁光特性测试仪器和Romberg外推算法,对于SONY公司的一种640M直接重写磁光盘,在245－350K温度范围内,获得它完整的磁光温度特性,包括克尔角与温度的关系曲线和矫元力与温度的关系曲线,其结果与理论模型仿真的结果一致。     

溅射功能对TbFeCo磁光薄膜特性的影响

研究直流磁控溅射中溅射率对ＴｂＦｅＣｏ磁光薄膜成分均匀性、厚度均匀性、克尔旋转角θｋ和矫顽力Ｈｃ的影响。实验结果表明对于全金属互化物相（１００％ＩＭ）ＴｂＦｅＣｏ合金靶。若采用适当的溅射功率，不但能够实现高速率溅射，而且可获得较好的成分和厚度均匀性，同时溅射所得薄膜具有大的克尔旋转角和合适的矫顽力。此工艺参数被用一磁光盘的生产。     

静磁正向体波与导波光的非共线相互作用

在考虑静磁正向体波（MSFVW）传播损耗及微带换能器耦合损耗的情况下，利用耦合模理论推导出导波光（GOW）衍射效率的表达式，并针对掺铋钆铁石榴石（Bi-YIG)薄膜波导和钇铁石榴石（YIG）波导计算了GOW衍射效率的频率响应曲线。数值计算表明，虽然MSFVW在Bi-YIG薄膜中的传播损耗大于YIG薄膜，但前者具有很大的一级磁光系数，故Bi-YIG波导中GOW的衍射效率仍远大于YIG波导。     

SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究

用等离子体化学气相淀积法制备的SnO_2/Fe_2O_3多层膜的一些电学特性和气敏特性不同于SnO_2单层膜.当SnO_2层的沉积时间很短时,多层膜在空气中及在敏感气氛中的电导随沉积时间的增加而下降.多层膜的响应及恢复时间也呈现一些反常的变化.本文提出一个包括过渡层在内的模型用以解释这些现象.过渡层可在沉积过程中产生,存在于SnO_2与Fe_2O_3界面附近,其厚度达30nm数量级.     

外加偏置磁场对静磁波模式及其频带的影响

本文完整地展现了磁光薄膜中任意倾斜的外加直流偏置磁场对微波静磁波激发模式及其带宽的影响,实现了对不同静磁模的统一考虑,为进一步分析磁光Bragg器件的衍射性能提供理论基础.计算分析表明:(1)当外加偏置磁场的大小不变时,传统磁化情形下的静磁波带宽最大,此时基于MSBVW的磁光Bragg器件较相应的MSFVW器件有更高的工作频率;(2)在适当倾斜的偏置磁场作用下,静磁反向体波(MSBVW)、静磁正向体波(MSFVW)和静磁表面波(MSSW)均可被激发,它们的激发频率依次增大;(3)通过倾斜偏置磁场可使MSFVW的频带向高频移动.     

纳米晶巨磁光BiAlDyIG薄膜的磁光性能研究

基于对ＢｉＡｌＤｙＩＧ巨磁光材料的紫蓝光波段法拉第角频谱分析，采用新型热分解法工艺合成优质ＢｉＡｌＤｙＩＧ磁光薄膜，经快速循环晶化处理的结果表明，由于晶粒细化，其平均有效法拉第角比常规热处理后的样品大０．５°左右，且随循环数增加而增大。同时由于Ａｌ３＋在四面体和八面体位的取代，导致居里温度下降（１４０～１６０℃），这些结果对提高磁光盘信噪比以及增大记录密度是极有意义的     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积AlN薄膜的新方法.在ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀Al靶,以低于80℃的衬底温度在Si衬底上沉积了AlN薄膜.结合样品表征和等离子体光谱分析,探讨了膜层沉积的机理,等离子体中活性氮物质的存在是Al-N化合的重要因素,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成.     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成     

多层共烧氮化铝陶瓷金属化工艺研究

氮化铝陶瓷因其热导率高、绝缘性好以及无毒害等特点在许多领域有着广泛的应用。多层共烧氮化铝陶瓷是采用厚膜印厣j的方式将多层的电路金属化做入氮化铝基板并在特定气氛中高温烧结的一种高性能陶瓷。金属化是多层共烧氮化铝陶瓷的一个关键工艺,文章主要介绍了对金属化工艺的研究。重点研究了其中的印刷工艺、叠片层压工艺和烧结工艺。通过对印刷和烧结参数的研究,使得生产陶瓷的热导率大于170W（m·K）^-1,金属化的方阻小于18mΩ／□,金属化的抗拉力大于1．8N（1mm^2焊接面积）,能满足大功率LED封装、大功率功率管封装的性能要求,已经在多种陶瓷外壳和基板中应用。     

AIN膜及其在半导体光电器件中的应用

本文报道溅射AlN膜及其应用于半导体光电器件的实验研究结果。测定了不同条件下溅射的AlN膜厚度、淀积速率、折射率和击穿电场强度。首次用AlN膜做器件的端面保护和减反射膜以及表面钝化膜均获得成功。几种常用介质膜的实验数据对比分析表明AlN膜在半导体光电器件领域将有广阔应用前景。     

半花菁LB多层膜二次谐波产生的温度特性研究

利用吸收谱和二次谐波产生 (SHG)技术研究了温度对半花菁Langmuir Blodgett(LB)多层膜的膜结构和非线性光学特性的影响。LB膜的二次谐波强度起初随温度的增加而增加 ,最大值约在 45℃左右 ,然后随温度的增加而减小。在半花菁与花生酸或花生酸铬交替的LB多层膜中 ,由于花生酸的融化 ,导致膜结构的变化 ,使得二次谐波强度随温度的变化有一个突变点。线性吸收谱表明半花菁分子在LB多层膜中形成了H 聚集体 ,并且通过加热可以使聚集体分解     

a-Si/Mo多层膜的电学光学特性

报道了a－Si／Mo多层膜的电学光学特性，这些特性的研究不仅具有理论的意义，而且有极其重要的实用价值。     

菱形NiFe薄膜单元的自发磁化及剩磁状态的研究

利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明,在不同的尺寸下,菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态。在单元的长宽尺寸小于某个临界尺寸时,菱形单元结构呈现单畴态。同时还分析了菱形NiFe单元作为磁性随机存储器(MRAM)存储单元时的要求。     

多层结构氧化锌薄膜制备

介绍了高频声体波微波延迟线用多层结构氧化锌薄膜的制作方法，并对这种交替排列不同结晶取向的多层氧化锌薄膜的微观结构、成膜机理进行了分析和阐述。用具有不同机电耦合系数、厚度为半波长的交替排列多层氧化锌薄膜制成了中心频率为８ＧＨｚ的声体波微波延迟线。同时亦给出了这种新结构的氧化锌压电材料的生长条件及相应的实验结果     

AIN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延

利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3.