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本文用超高压透射电子显微镜研究退火的高氧含量无位错直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷。在750—1050℃范围内氧沉淀是球状的α方英石。除了球状氧沉淀粒子之外还有一些具有{001}惯习面的方片状氧沉淀物。在950℃以上沿〈110〉方向从氧沉淀发射出冲压式棱柱位错环。这些位错环的柏氏矢量为α/2〈110〉、环面法线为〈110〉,它们是间隙型的位错环。这些位错环是从方片状氧沉淀物或从球伏氧沉淀粒子的聚集团发射出来的。当它们遇到障碍物时可能产生比较复杂的位错组态。实验中观察到由于层错攀移形成的台阶。热处理温度在850℃以下时,未观察到体内层错。
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本文用气相法生长ZnSxSe1-x(x=0.03)单晶,解理得到(110)面晶片。在组分分压(Zn或S/Se或Se)下300-800℃范围内进行热处理,在4.2K激子发射光谱中观察到与VZn(Zn空位)有关的I1deep谱线强度的变化。当热处理温度低于300℃时,未观察到I1deep谱线强度的变化。在300℃以上热处理样品中均观察到I1deep谱线强度的变化。由此研究了VZn浓度随热处理条件的变化。提供了分别控制本征VZn缺陷和掺杂的实验依据。 相似文献
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研究半无限晶体中表面极化子的特性,采用L.L.P方法导出了表面极化子的有效哈密顿量、有效质量和声子之间相互作用的能量,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对表面极化子性质的影响。 相似文献
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本文研究对碱卤晶体中电荷转移型激子(charge transfer exciton,简写为CTE)的性质有重要影响的激子-声子相互作用。讨论了一类可能起重要作用的相互作用机制:离子的位移振动对CTE系统的哈密顿量的调制,从而导出了CTE与声子系统的相互作用哈密顿量,还讨论了相互作用导致的CTE的有限寿命及与之相联系的光吸收谱线宽,并在适当的近似下作自洽的数值计算,得到的线宽数据与实验测定值半定量相符。这说明本文导出的相互作用哈密顿量很可能是碱卤晶体中起重要作用的激子-声子相互作用。
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基于硼的卤化物(BF_3)能与乙腈(CH_3CN)形成稳定的络合物,将试样置于铂金坩埚内加入乙晴作为络合剂,用HF+HNO_3(3:1)在压力溶样器内加温溶解。然后低温蒸发基体硅,杂质溶液转移到平头石墨电极上,交流电弧激发光谱分析。 相似文献
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室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 ) %的C原子 ,利用高温退火固相外延了Si1-xCx 合金 ,研究了不同注入剂量下Si1-xCx 合金的形成及其特征 .如果注入C原子的浓度小于 0 6 % ,在 85 0— 95 0℃退火过程中 ,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合 ,难于形成Si1-xCx 合金相 .随注入C原子含量的增加 ,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx 合金 ,但如果注入C原子的浓度达到 1 5 % ,只有部分C原子参与形成Si1-xCx 合金 .升高退火温度 ,Si1-xCx 合金相基本消失 . 相似文献
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基于实验资料,光诱导结构改变被解释为三重激子极化子的凝聚。数值计算了单态和三重态激子的包络函数;对光诱导结构改变机制进行了详细的讨论。 相似文献
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利用X射线形貌术方法研究了含氢硅单晶中氢致缺陷的分布。将原生晶棒从内部切开,观察到在切口暴露表面附近,热处理后产生的氢致缺陷的密度与尺寸与内部未暴露部分相同,而不同于薄片退火的情况,对此结果作了简要的讨论。
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本文用化学腐蚀方法, 从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000--6000埃间的氧沉淀, 制成萃取复型样品,用T E M 对氧沉淀作微区电子衍射分析. 同时, 观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM 象, 确定了二者的对应关系. 结果表明, 构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite, siliea k) 及少量呈六角片的。方英石(a-cristobalite ), 沉淀片周边沿<1 1 0> 方向, 惯习面前者的为{ 100} , 后者的为{ 1 1 1}. 样品的红外吸收光谱表明, 方片状热液石英沉淀可能与1 2 2 4 (1/cm ), 吸收峰相对应.
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本文用化学腐蚀方法,从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000—6000?间的氧沉淀,制成萃取复型样品,用TEM对氧沉淀作微区电子衍射分析。同时,观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM象,确定了二者的对应关系。结果表明,构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite,silicak)及少量呈六角片的α方英石(α-cristobalite),沉淀片周边沿<110>方向,惯习面前者的为{100},后者的为{111}。样品的红外吸收光谱表明,方片状热液石英沉淀可能与1224cm-1吸收峰相对应。
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借助于应变晶体的弹性偶极子模型,把二元晶体中的每一个原子都视为一弹性偶极子。它们有不同的等效偶极矩,在晶体内其他强内应力源,如位错、包裹物等所产生的应力场中受到不同的作用力,因而产生不同的位移,形成了不同形状的畴。它决定于永久偶极矩及感生偶极矩的相对大小和内应力源所产生的应力场的分布。本文分别给出了二元晶体中在刃位错、螺位错、包裹物和挤列等的应力场作用下出现的畴图样。它们呈各种形式排列的花瓣状图形。在适当的条件下,它们可以被观察到。结果还表明了压力对相变的影响。
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从Vlasov-Poisson方程组出发,我们导出了电子慢变分布函数δFe,慢变场Es和快变场E之间耦合的动力学方程组,并在一维稳态下解析求解了这一方程组,从而获得了粒子分布函数与soliton作用关系;进一步讨论了高维下δFe,Es,E塌缩运动和它们的多个cavitons行为。
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研究了合金含量、合金元素和形变条件对铝合金应变时效内耗行为的影响.由此描述了点缺陷的分布状态和位错组态;指出了控制应变时效回复过程的因素是溶质原子的动性和溶质原子与位错的作用能。提出了能描述应变时效过程中位错─—点缺陷交互作用的位错弦脱钉和位错气团拖曳共同作用的复合模型,相应的理论处理合理地解释了实验现象。
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