干法刻蚀厚膜金导体细线技术研究

本文介绍了利用离子束刻蚀技术与厚膜技术相结合，进行干法刻蚀厚膜金导体细线工艺，使厚膜金导体细线条达到６２．５μｍ的高性能指标。讨论了该技术应用在厚膜多芯片组件中的优越性。     

厚膜微带技术研究

本文论述了制作厚膜微带电路的工艺技术途径，并对其膜层的致密性作了进一步的研制，研制的样品在11GHz下进行微波性能测试，表现出良好的特性。     

适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管(GCHT)的实验研究

本文讨论了SOI栅控混合管（GCHT）的设计及制备．对这种器件的物理机制进行了实验验证，得到结论：GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，而不如文献[4]中报道是MOS电流．实验结果表明，这种混合管具有比纯MOSFET约高6．5倍，比纳BJT约高1．7倍的驱动能力，最高电流增益可达10000，最小亚阈摆幅可达66mV／dec，导通电压比纯BJT约低0．3V，比纯MOSFET约低0．7V由GCHT组成的反相器在Vdd=0.8V仍具有良好的直流传输特性．因此GCHT在低压低功耗应用领域中极具潜力，同时也将适于模拟电路方面的应用．     

厚膜电路的应用及其发展刍议

本文综述了厚膜材料及工艺技术发展的现状,介绍了在通信、汽车等相关领域的应用和主要产品,最后是作者对发展的刍议。     

低成本银基厚膜多层基板的研制

介绍低成本银基厚膜多层基板的材料系统，工艺流程，工艺特性以及基板的性能。     

铜厚膜环行器的研制

采用新型的在大气气氛中烧结的铜厚膜多层导电浆料,应用厚膜混合技术制作了2。2GHz和2.8GHz的环行器。其性能指标可与同类型采用薄膜贵金属制作的环行器相媲美,且工艺简单,成本低及生产周期短。     

Cu厚膜微带制作及其性能研究

本文进一步研究了新型的在大气气氛中烧结的贱金属(Cu)多层导电浆料,并采用干膜反光刻抛光微带工艺,将浆料推广应用到较高频率范围的微波集成电路。文中介绍了制作低通滤波器和混频器的实例。     

船载综合电子系统计算机网络安全可靠性技术探究

本文对船载特殊环境下的计算机网络安全可靠性技术进行探究。     

电子产品的可靠性试验研究

根据电子产品的可靠性特点,介绍了可靠性的几个技术性能指标,详细讨论了可靠性试验的分类原则、试验内容以及试验方法,说明了可靠性试验是提高产品可靠性的有效措施.     

高温老化期间引线键合空洞形成探讨

在金-铝金属间化合物相中形成的空洞,降低了把金丝与焊盘键合的长期可靠性。在该文中,通过一系列微结构研究来评定引线键合中空洞的形成。把形成的空洞分为初始、环形和极小三种类型。形成初始空洞的主要原因是探测标记和铝焊蕊污染,初始空洞阻碍合会扩散并使金属间化合物生长减缓。环形空洞是由热超声引线键合的超声挤摔作用造成的,这些压焊缝隙可能成为腐蚀并降低引线键合的一类卤化物形成的途径。极小的空洞是住Au4l相阶段形成的。由于不同Au4l相形成的反应,或与金球表层上品粒界面影响的关系,在这些空洞中会出现两种Au4l相的纹理。     

高温超导体厚膜及其在微波无源器件上的若干应用

系统论述了高温超导体厚膜的概念、制备方法,高温超导体厚膜的特性,介绍了高温超导体厚膜在微波无源器件上的若干应用。     

红外成像导引头总体技术研究(二)

介绍了红外成像导引头总体技术研究内容：总体技术指标确定、稳定系统设计、目标背景射特性及大气传输特性分析、图像实时处理技术、系统控制回路优化设计、仿真技术、测试评估技术。对每项技术进行了较详细的技术分析。     

薄膜SOI材料MOSFET的高温泄漏电流

在对体硅MOSFET高温泄漏电流研究的基础上,深入研究了SOI材料MOSFET泄漏电流的组成、解析式及高温模拟结果,并与体硅MOSFET进行了比较,证明薄膜SOI材料MOSFET的高温泄漏电流明显减小,因而在高温领域中有着广阔的应用前景。     

红外成像导引头总体设计技术研究(一)

介绍了红外成像导引头总体技术研究内容：总体技术指标确定、稳定系统设计、目标背景辐射特性及大气传输特性分析、图像实时处理技术、系统控制回路优化设计、仿真技术、测试评估技术。对每项技术进行了较详细的技术分析。     

继电器类电子产品安装灌封工艺技术研究

继电器类电子产品由于振动造成的产品故障尤为突显。为提高继电气类电子产品在环境试验中的可靠性,尤其是抗振动能力,对继电器安装工艺进行了研究。通过对灌封材料性能参数及灌封工艺试验结果对比,从中选取3种灌封胶对产品进行灌封工艺方法研究。各种环境试验结果表明,灌封是提高产品可靠性的一种有效手段,三种灌封胶均可提高产品抗振动能力。最后,通过比较灌封后继电器在大量级振动下的响应,得出更有效的灌封材料。