光驱激光头的清洗和调整

众所周知,光驱依靠激光头来识别、读取光盘信息和拾取各种伺服误差检测信号,因此一旦激光头出现故障,光驱就不可能正常工作和使用。在维修光驱时,光学模组的故障率较高,而其中因积有一定尘埃、粉粒等杂物导致光学模组故障占绝大多数。一般灰尘吸附于在激光头的两具部件,即物镜表面和激光头内部。 物镜表面清洗物镜表面的灰尘较明显,易于判断。正常的物镜表面应光亮、干净、呈锃蓝色,且无伤痕和表面蓝色薄膜脱落变色、变形现象。物镜表面灰尘的清除切忌使用酒精、磁头清洁剂等任何有机溶剂,而应选用洁净的镜头纸或无水脱脂棉进行清…     

清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响

研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗.将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子能谱仪(XPS)对清洗效果进行了表征,并分析了不同清洗方法对有机沾污的去除效果...     

金刚石膜电化学清洗硅片表面有机沾污的研究

采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O4-8),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工艺步骤的第一步,用于氧化去除硅片表面的有机沾污.通过与RCA清洗进行对比实验,并应用X射线光电子谱和原子力显微镜进行清洗效果的检测,结果表明,本清洗工艺处理后的硅片表面有机碳含量更少,微粗糙度小,明显优于现有的RCA清洗工艺.     

金刚石膜电化学清洗硅片表面有机沾污的研究

采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O4-8),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工艺步骤的第一步,用于氧化去除硅片表面的有机沾污.通过与RCA清洗进行对比实验,并应用X射线光电子谱和原子力显微镜进行清洗效果的检测,结果表明,本清洗工艺处理后的硅片表面有机碳含量更少,微粗糙度小,明显优于现有的RCA清洗工艺.     

有机胺碱对硅通孔铜膜化学机械抛光的影响

有机胺碱可与铜离子反应且产物在碱性条件下溶于水,这为硅通孔(TSV)铜膜的碱性化学机械抛光(CMP)提供了有利条件.研究了大分子有机胺碱对铜膜化学机械抛光的影响.首先测试了不同体积分数有机胺碱对碱性抛光液中磨料粒径和Zeta电位的影响,然后在直径3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上模拟了不同体积分数有机胺碱对铜去除速率的影响.实验结果表明:有机胺碱对抛光液中磨料粒径和Zeta电位没有影响;随着有机胺碱体积分数的增加,铜的去除速率先快速增加,达到一峰值后趋于稳定,最后略有下降;当有机胺碱的体积分数为5％时,TSV图形片铜膜去除速率达到最高值2.1tμm/min,剩余铜膜总厚度差减小到1.321 76 nm,实现了纳米级的化学机械抛光.     

有机胺碱对硅粗抛光及表面微形貌的影响

硅单晶抛光片是极大规模集成电路应用最广泛的衬底材料,抛光液为影响硅单晶片抛光最关键的因素。通过改变抛光液中有机胺碱配比来调节抛光液的pH值。实验结果表明:随着有机胺碱比例的不断增加,pH值随之上升,硅片的去除速率(material removal rate,MRR)先增大后减小。pH值在10.5左右时去除速率达到最大值(1706nm/min)。此时用Agilent 5600LS型原子力显微镜测得硅片表面的粗糙度为0.369nm。并用马尔文Zetasizer 3000HSA纳米粒度分析仪测定不同有机胺碱浓度下的抛光液中水溶胶磨粒粒径变化。通过对实验后晶片表面进行检测并结合去除速率综合考虑,抛光液pH值宜选择为10.5左右。抛光速率在pH值为10.3～10.6比较稳定。     

HPLC法测定复方吴茱萸碱纳米乳中吴茱萸碱的含量

目的:建立HPLC法测定复方吴茱萸碱纳米乳制剂中吴茱萸碱含量的方法。方法:采用HPLC法在225 nm波长处测定峰面积,测定复方吴茱萸碱纳米乳中吴茱萸碱的含量。结果:表明吴茱萸碱在225 nm处有最大吸收,浓度在0.52μg·mL至16.64μg·mL-1时与峰面积呈良好的线性关系,回归方程为:A=214.3C-5.943,r=0.9997(n=6);平均回收率为99.31%,RSD为0.74%,符合测定的要求;日内及日间精密度的RSD均小于1%(n=5)。结论:本方法准确度高、专属性好,可用于纳米乳制剂中吴茱萸碱含量的测定。     

有机层／阴极界面修饰对体异质结聚合物太阳能电池性能的影响

通过制备四种不同结构的器件,详细分析研究了活性层／阴极界面修饰对P3HT:PCBM聚合物体异质结太阳能电池性能的影响。当在P3HT:PCBM薄膜上旋涂一层PCBM,并蒸镀0.5 nm LiF时所制备的器件的填充因子和光电转换效率都得到较大的提高。对器件的光电性能和薄膜的形貌进行深入分析,阐明界面修饰的作用机理。     

印制电路板退锡废液(锡泥)中锡含量的分析方法探讨

文章分析了检测印制线路板退锡废液(锡泥)中锡含量的影响因子,提出通过对样品的前处理以及检测锡过程中添加铜掩蔽剂的方式,提高锡含量分析结果的准确性。     

专用空调设备节能运行及延长使用寿命的方法探讨

本文从设备选型、工程实施和日常维护3个方面探讨机房专用空调的节能运行和延长设备使用寿命的方法.以理论计算和长期工程和维护的经验为依据,对文中所述的方法逐一进行了详细阐述.     

空调室内机监控系统的研究

目前空调市场不断扩大,人们对空调各方面的性能要求提高,空调在出厂前必须经过严格的测试,在测试过程中需要对内机进行全面的监控。针对此问题,设计实现了一种通用的内机监控软件,它能实现对内机的实时监控。该软件具有成本低廉,易升级,容易发现及快速解决问题等优点。     

视频调理器MAX7452在电视/红外视频跟踪仪中的应用

在光电跟踪系统中,电视或红外热像仪视频信号由于长线传输引起的信号衰减和噪声增加给信号检测带来了很大影响。介绍了利用视频信号调理器MAX7452实现视频自动增益控制(AGC)的具体应用,可提高视频信号长线传输的保真度,减小衰减和噪声,使视频调理稳定。     

V_2O_5/V/V_2O_5薄膜退火条件对其的制备及特性的影响

利用间歇通O2的方式,采用射频磁控溅射法在Si3N4衬底上制备V2O5/V/V2O5复合薄膜,研究了不同原位退火条件对薄膜阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。结果表明,经过退火处理后的V2O5/V/V2O5复合薄膜方阻值大大降低,电阻-温度曲线呈现良好的线性特性,并具有高TCR值及优良的电学稳定性。利用X射线光电子能谱(XPS)对退火后的V2O5/V/V2O5复合薄膜表面进行V、O元素分析,结果表明,V2O5/V/V2O5复合薄膜各层间的扩散效果显著影响薄膜表面不同价态V离子的含量,低价V离子会随着退火温度的升高及退火时间的延长而增多,薄膜表面对水分子的吸附也随之变强。在实验结果的基础上,利用扩散理论阐述了退火条件对V2O5/V/V2O5复合薄膜电学性能影响的机理。     

脑功能光学成像的迭代广义指示函数分析法

在脑光学功能成像领域,由T.Yokoo等人提出的广义指示函数法(Generalized Indicator Functions; GIF)能够在极低信噪比下有效地提取大脑行为模式图.但进一步研究发现,该算法在处理脑功能光学图像序列时存在计算量大的缺点.为解决一问题,本文将Weng等在处理FERET人脸数据库时提出的一种迭代算法与GIF算法相结合,给出了一种迭代格式的GIF算法——RGIF (Recursive GIF),RGIF算法利用迭代计算的特点能大幅削减计算量.利用仿真和实验数据对GIF和RGIF算法进行了对比分析,结果表明RGIF不仅能够大大节省计算时间,同时检测效果与GIF相当.     

无人值守基站空调室外机防盗方案探讨

无人值守基站空调室外机丢失严重。文中从室外机安装,告警上报,GPS定位终端对丢失的室外机精确定位几方面提出了一种空调室外机防盗方案。     

4/5G协同组网下网络容量提升方法研究

随着5G网络的快速建设,网络结构愈加复杂,4/5G长期共存、协同优化将是无线网面临的一个长久局面,短期内网络容量仍是影响用户感知的焦点问题。研究了4/5G协同组网下网络容量提升方法,详细阐述了5G反开3D-MIMO,4/5G均衡优化以及现网资源动态调整等具体提升举措,并通过现网实施验证了其有效性。     

飞机表面清洗剂配方研制过程中的快速试验方法探讨

前言 　　飞机是高技术高价值产品.清洗飞机时应充分考虑清洗剂对飞机安全性的影响,同时还要考虑清洗剂的综合性能[1].国外许多有关飞机表面清洗剂的材料标准如MIL-C-43616C[2].MlL-C-87936A[3].MIL-C-8557OB[4]等对飞机表面使用的清洗剂规定了严格的技术要求,包括清洗剂的清洗能力、Ph值、对飞机表面金属材料的影响(全浸腐蚀,缝隙腐蚀、氢脆等)、对飞机表面非金属材料(油漆层、胶粘剂、有机玻璃等)的影响、稳定性(硬水稳定性、低温稳定性、加速贮存稳定性)等多项技术指标.……     

多层VPN技术在企业网中的应用与研究

在企业网应用中，随着业务种类的多样化，如办公自动化和VoIP等新业务的开展，对原有网络结构和应用模式提出了新的挑战。针对企业VPN应用模式作了深入研究，结合以往经验，从企业应用的业务角度分析了MPLS BGP／、VPN在企业网上组网的可行性及相关问题，提出了多层VPN组网的模式，采用比较分析的方法论证了两网隔离、MPLSBGP／VPN、IPSec三种VPN组网模式在特定网络环境下的优缺点。     

SiC/nc-Si多层薄膜的光致可见发光谱的紧束缚理论

用Vogl提出的sp3s紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅（SiC/nc-Si）多层薄膜的能带结构与其光致发光谱的关系，并设计出SiC/nc-Si多层薄膜最佳结构为{Si}1{SiC}8，即碳化硅层的厚度是纳米硅层厚度的8倍时的超晶格结构蓝光发射的效率最高. 在等离子体增强化学气相沉积系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积含氢非晶SiCx∶H(a-SiCx∶H)和非晶Si∶H (a-Si∶H) 薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备出了晶化纳米SiC/nc-Si(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜. 利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx∶H/nc-Si∶H多层薄膜的结构特性,表明制得的超晶格结构稍微偏离设计，它的结构为{Si}1{SiC}5. 最后对晶化样品的光致发光谱进行研究，详细分析了各个光致发光峰的物理本质.