La2 NiO4+δ体系相分离现象的低频内耗研究

La2 NiO4 δ体系额外氧δ =0 .0 71,0 .110 ,0 .135 ,0 .14 0样品中存在着一个间隙氧弛豫运动引起的低频内耗峰 ,其内耗峰峰位置随额外氧的增多向高温移动 .而额外氧处于其间位置δ =0 .0 87样品中则出现了两个弛豫型内耗峰 ,分析认为它们源于体系相分离后形成的不同一维有序结构中间隙氧的跳跃 .此外 ,额外氧δ=0 .0 38样品中也观察到两个弛豫型内耗峰 ,其中低温峰性质与上相同 ,而高温内耗峰则可能对应于体系相分离后形成的低温四方相中氧原子的跳跃弛豫     

电化学增氧La2CuO4＋δ（0〈δ〈0.12）的研究：Ⅱ.化学相分离

在Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的电化学增氧过程中，额外氧含量δ与电量Ｑ之间存在直线关系：δ＝Ｑ／２，在室温附近至少存在两个相共存区。它们的δ分布范围分别为０．００６－０．０４７和０．０７５－０．１７。其中在较高掺杂浓度范围内的第二个两相区是本研究首次发现的，其存在不能用Ｅｍｅｒｙ理论来解释。     

La2-xNdxCuO4+δ(0.1≤x≤1.2)体系中滞弹性弛豫与相变内耗研究

通过对La_2-xNd_xCuO_4+δ(0.1≤x≤1.2)体系中滞弹性弛豫与相变内耗性能的研究发现,当0.1≤x≤1.0时,在250K左右存在一个与间隙氧有关的弛豫内耗峰,并且当0.1≤x≤0.4时,弛豫内耗峰峰高随着x值的增大而升高,此时体系为正交结构;当0.5≤x≤1.0时,体系在宏观上呈现四方结构,此时内耗峰峰高随着x< 关键词： 2-xNd_<i>xCuO_4+δ')" href="#">La_2-xNd_<i>xCuO_4+δ 间隙氧 弛豫内耗峰 相变内耗峰     

La0.95K0.05MnO3的低频内耗研究

本文研究了样品La0.95K0.05MnO3的内耗、直流电阻、交流磁化率.发现在20～275K的温度范围内,在0.3T的磁场下有明显的磁阻(MR)效应,温度为259K时MR效应达到极大值26%.在直流电阻测量中发现267K时出现很尖锐的电阻峰;在220K附近出现"肩峰".内耗温度曲线在210K～250K的温度范围有一个很宽的内耗峰;在268K有一个很明显的内耗蜂同时伴随着模量软化,并且由Kissinger关系求出顺磁-铁磁转变的表观激活能Eap=0.53eV(请说明通过什么公式求出什么东西的活化能).     

高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究

采用全自动多功能内耗测试仪（ＭＦＩＦＡ），对高Ｔｃ氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的低频内耗作了细致的研究。发现Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ在１６０Ｋ－４３０Ｋ温区有三个弛豫峰ｐ１、ｐ２、ｐ３，并由变频实验求出它们的驰豫激活能。在激活能分析基础上，我们认为：ｐ１、ｐ２峰源于氧空位的驰豫跃迁，ｐ３峰则源于氧间隙原子的驰豫跃迁。     

GdBaCo2O5+δ体系的滞弹性内耗研究

GdBaCo₂O_5+δ体系的低频内耗研究表明：体系中存在一个由额外氧运动引起的弛豫内耗峰；额外氧δ对这个弛豫内耗峰的大小、峰形及峰位有较大影响，反映了额外氧状态随δ而变化.当δ=0.005，体系中额外氧含量很少而接近零时，相应的内耗峰消失；δ达到一定数量后，出现弛豫内耗峰.由δ=0.278，0.407，0.421，0.515样品的弛豫内耗峰分析可得到体系随δ不同存在着三种不同的额外氧形态.此外，δ=0.421及0.515的样品在360K附近存在一个相变内耗峰，它对应着体系中的金属—绝缘体转变. 关键词： 2O_5+δ')" href="#">GdBaCo₂O_5+δ 额外氧 内耗峰     

GdBaCo2O5+δ体系的滞弹性内耗研究

GdBaCo2O5+δ体系的低频内耗研究表明:体系中存在一个由额外氧运动引起的弛豫内耗峰;额外氧δ对这个弛豫内耗峰的大小、峰形及峰位有较大影响,反映了额外氧状态随δ而变化.当δ=0.005,体系中额外氧含量很少而接近零时,相应的内耗峰消失;δ达到一定数量后,出现弛豫内耗峰.由δ=0.278,0.407,0.421,0.515样品的弛豫内耗峰分析可得到体系随δ不同存在着三种不同的额外氧形态.此外,δ=0.421及0.515的样品在360K附近存在一个相变内耗峰,它对应着体系中的金属-绝缘体转变.     

氧离子导体La1.95K0.05Mo2-xMnxO9-δ的内耗研究

本文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2-xMnxO9中氧离子的微观扩散机制.当测量频率为0.5 Hz时,在130℃和520℃附近分别观察到一弛豫内耗峰,而在280℃～300℃范围内有一相变峰存在.讨论了各个内耗峰的机理.     

Cu/La2NiO4电接触材料的制备及电弧烧蚀性能研究

解决铜基触点材料因易氧化而生成不导电物质导致触点失效的关键在于提高材料的导电性能,基于导电陶瓷La₂NiO₄因其具有导电性能,论文采用溶胶凝胶法制备获得了导电陶瓷La₂NiO₄粉体,用粉末冶金法制备出致密Cu/La₂NiO₄复合材料并进行微观形貌观察和物相分析。经过电弧烧蚀后,观察表面烧蚀形貌,探讨氧化层的微观组织,并进行温升测试。研究结果表明,电弧烧蚀后的Cu/La₂NiO₄复合材料表面有裂纹并且触点表面有多种侵蚀形貌特征并存,氧化层可能因接触力的作用而脱落以提高导电性能。本论文的研究工作表明,采用铜掺杂导电陶瓷La₂NiO₄的方法,可以有效提高电触点材料电弧烧蚀后的导电性。     

氧离子导体La1．95K0．05Mo2-xMn±O9-δ的内耗研究

本文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2-xMnxO9中氧离子的微观扩散机制.当测量频率为0.5 Hz时,在130℃和520℃附近分别观察到一弛豫内耗峰,而在280℃～300℃范围内有一相变峰存在.讨论了各个内耗峰的机理.     

La1-xAgxMnO3和La1-xNaxMnO3的对比研究

本文研究了La1-xNaxMnO3和La1-xAgxMnO3结构、磁性、电输运等.特别是研究了La0.8Na0.2MnO3的内耗特性.XRD研究发现La1-xNaxMnO3和La1-xAgxMnO3的结构均为R3C,但是不同的是对于La1-xAgxMnO3,当x>0.25时有Ag单质吸出.从磁化强度随温度的变化看出所有的样品都在室温或室温以上有顺磁到铁磁的转变,而且随着掺杂量的增加,居里温度也在增加.电输运研究发现对于La1-xNaxMnO3,x=0.15的电阻率最小,随掺杂量增大电阻率增大;x≥0.15的样品中存在电阻双峰.而对于La1-xAgxMnO3电阻率随掺杂量增加而减小;x<0.2的样品中存在电阻双峰.在La0.8Na0.2MnO3的内耗测量中发现了具有相变峰特征的内耗双峰.我们认为这种电阻双峰和内耗双峰来源于样品中存在A位空位,导致了样品中存在电子相和磁相的不均匀,即相分离.就是在样品存在着铁磁相和反铁磁相共存.     

La2CuO4掺锌样品的低温电阻率与热导率研究

对La2CuO4掺锌样品在不同降温速率下(330K保温30min后,分别以6Kh和02Ks的速率冷却至42K)电阻率(42—330K)和热导率(80—300K)随温度的变化关系进行了研究.实验结果表明,在不同降温速率下,热导率和电阻率都受到很大影响.快速降温过程使得130K以上的热导率减小,而热导率最小值出现在130K,且与降温速率无关.而低温下的热导率不受降温速率变化的影响.样品在高温区(T高于125K)电阻率随降温速率的增大而增大,低温区电阻率的非线性行为可用变程跳跃行为来描述.所有样品的热导率和电阻率在反铁磁相变温度都没有出现反常,这与能带理论框架下预期的结果和Anderson电荷自旋分离理论发生了矛盾,对此进行了讨论,并用极化子理论进行了自洽解释. 关键词： La2CuO4 热导率 电阻率     

Zn掺杂La2CuO4热电势和磁化率研究

测量了La2CuO4掺Zn样品在不同降温速率下(330K保温05h,然后分别以6Kh,02Ks的速度降到8K)的直流磁化率和热电势.实验结果表明,反铁磁温度TN不随降温速率变化而变化,其直流磁化率也未受很大影响.高温热电势弱的温度依赖关系表明为极化子气体的贡献.热电势在转折温度Tdrop之下的快速降低是由于二维反铁磁涨落的贡献.热电势在更低温度的拐点TS与载流子的局域化有关.降温速率变化时,Tdrop和TS都有明显的变化.Zn掺杂对Tdrop和TS没有明显影响,但导致了更强的载流子局域化.讨论了上述现象产生的物理图像 关键词： La2CuO4 直流磁化率 热电势     

氟锆酸盐光纤玻璃中的析晶和分相现象

氟化物光纤玻璃中的夹杂物,分相颗粒和微晶颗粒等缺陷,造成光纤的散射损失,影响了实际制备工作.本文利用大视场光学显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜和差热分析,研究了ZBLA氟化物玻璃中的分相和析晶现象,观察到了以成核生长机理进行的分相颗粒,析晶颗粒的成分是β-BaF_2·ZrF_4和α-BaF_2·2ZrF_4,通过DTA分析确定了这些相的析晶活化能.     

Phase transition in Cu2+-doped RbH2 PO4 as observed by EPR

The electron paramagnetic resonance (EPR) spectra of Cu²⁺-doped RbH₂ PO₄ at elevated temperatures indicate a phase transition at 358 K. The EPR-silent state at this temperature is attributed to a so-called polymeric phase transition. After the transition when the temperature is lowered to 293 K, the EPR signal does not appear; therefore, the transition is irreversible. This result seems to be in agreement with the other observations. The EPR spectra for the sample indicate the presence of two sites for Cu²⁺, and the values of EPR parameters are in accord with the literature on Cu²⁺-doped single crystals. Any other phase transitions could not to be observed at low temperatures down to 113 K.     

Percolative phase separation in La2CuO4+δ and La2−x Sr x CuO4

We report on the formation of conducting phases in slightly doped La₂CuO₄ samples by the existence of a percolative phase separation. Phase separation can be quenched by rapid cooling and can be restored by the application of a 3 T magnetic field. Magnetically polarizable quasiparticles are shown to be formed by hole doping which fuse to form percolative conducting and below 37 K superconducting phases.