共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
采用提拉法生长β-Zn3BPO7(简称ZBP)晶体.研究了生长工艺,用[210]方向的籽晶,获得了尺寸为35mm×20mm×10mm的单晶,该晶体无色透明,不开裂,呈现发育完好的{001}板面.通过设计特殊的温场以及在生长结束后采用适当的热条件有效地抑制了相变的发生.生长过程中靠近液面的温度梯度为30~60℃/cm,晶体转速为15~25r/min,提拉速度不大于1mm/h.ZBP晶体有宽的透光范围,它的紫外吸收边为240nm.ZBP晶体不潮解,其莫氏硬度为5Mohs. 相似文献
3.
采用高温溶液法生长了准同型相界(MPB)四元弛豫铁电单晶Pb(Sc1/2Nb1/2) O3-Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3,得到较大尺寸且具有规则外形的立方单晶.研究结果表明所生长的晶体为钙钛矿结构,立方晶粒平整的暴露面均为(001)面;晶体以层状方式生长,生长机制为搭桥生长;所生长晶体的矫顽场Ec~3.52kV/cm,三方四方相变温度Tr-t~104℃,居里温度Tc~149.5℃,压电常数d33~1089 pC/N,剩余极化强度Pr~25.4 μC/cm2;随着频率增加,晶体的相变弥散度减小. 相似文献
4.
5.
以La2O3和Fe2O3粉体为原料,在1400℃,烧结24 h制备出了LaFeO3多晶料棒,采用浮区法生长出LaFeO3单晶。晶体沿(100)晶向生长,晶体的(100)晶面单晶摇摆曲线的半高宽为26″,证实其单晶化程度很高;在298~773 K温度范围内测试了晶体热学性能,晶体比热变化范围为0.58~0.76 J/g.K,热扩散系数变化范围为3.47~0.85 mm2/s,热导率变化范围为13.10~4.21 W/(m.K);研究退火工艺对晶体近红外透过率的影响,在700℃,48h退火可以明显提高透过率达到65%。 相似文献
6.
7.
以碘化铵(NH4I)作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体.在50 ~60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体.采用XRD、综合热分析(TG/DTA)对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃(γ相→β相)和409℃(β相→α相).利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70;,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰.霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88cm2 ·V-1 ·s-1. 相似文献
8.
本文报道了坩埚下降法生长大尺寸白宝石单晶.我们使用大尺寸异型钼坩埚,高纯氧化铝原料,在中性气氛下,结晶区温度梯度为25~30℃/cm,生长速度为0.8~1.8mm/h,生长方向选C面[0001]取向,成功生长出直径80mm,高度90mm的完整透明的白宝石单晶,在300~5500nm范围内,其光学透过率均在80;以上.实验中采用高性能保温材料使生长过程所需加热功率由20kW下降到15kW,能耗降低达25;;采用双回路加热系统,提高温场稳定性,缩短晶体生长周期.晶体的主要缺陷为顶部(生长后期)出现有5~10mm淡黄色色带(经在氧化性气氛中退火后已消除)和底部有细丝状条纹. 相似文献
9.