彩色电视荧光级氧化钇中稀土杂质的ICP－AES测定

本文采用国产ＷＰ－２Ｌ型平面光栅摄谱仪配置国产ＧＰ３．５Ｄ型ＩＣＰ光源进行了彩色电视荧光级氧化钇中１４个稀土杂质元素分析方法的研究。样品溶液以不去溶方式引入ＩＣＰ。当样品溶液中Ｙ２Ｏ３的浓度为２０ｍｇ／ｍｌ时，测定下限分别为铕、镱和０．０００２０％，镧、铈、钛、钆、镝、钬、铒和铥０．０００５０％，镨、钐和铽０．００１０％。相对标准偏差为３．２～９．８％。     

直流等离子体-中阶梯光栅光谱仪测定高纯氧化镧、氧化钇中稀土杂质

本文采用中阶梯光栅光谱仪,直流等离子体光谱法测定高纯(99.99%)氯化镧、氧化钇中稀土杂质元素,由于仪器具有很高的色散率,因而方法具有灵敏度高、干扰少的特点。     

ICP—AES测定Ta中杂质元素

本文研究了Ｔａ对Ａｌ、Ｃａ等十三种分析元素的干扰情况，列出了Ｔａ干扰其他分析元素的谱线，研究了操作条件变化时的非光谱干扰分布，对非光谱干扰采用优化操作条件的方法消除，并比较了校正光谱干扰的三种方法。     

ICP—AES直接测定钨产品中杂质元素

本文通过实验详细研究了钨产品中钨基体对杂质元素突出谱线的光谱干扰情况及基体效应，选择了基本步受钨基体干扰的待测元素的分析谱线并利用单纯型加速法优化ＩＣＰ操作条件，建立了一种快速分析钨产品杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ法，用本法测定了三氧化钨标准样ＢＹＧ１２０１－２，３，４号样）结果表明所建立的方法灵敏、快速和可靠。     

三乙基铟中杂质元素的ICP—AES测定

研究了基体铟对１５种杂质分析元素谱线的背景影响和光谱谱线干扰。采用基体匹配－电感耦合等离子体发射光谱法测定了三乙基铟中的１５种杂质元素。样品分析方法检出限大部分低于１μｇ／ｇ，相对标准偏差均小于２％。     

高纯Tb4O7中稀土杂质的ICP—MS法测定

本文报导了高纯氧化铽中Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｙ等１３种稀土杂质的电感耦合等离子体质谱测定方法。选择了仪器最佳操作参数，考察了质谱干扰和基体效应，选用Ｉ作内标可基本克服基体效应。方法检出限为０．０１３－０１１ｎｇ／ｍＬ，加标回收率为８７％－１０３％，重复精度（ｎ＝７）为２．２％－５．５％。方法快速、灵敏、准确。     

半导体硅原材料及辅助材料中杂质的ICP—AES测定

本文采用电感耦合等离子体发射光谱对半导体硅原材料及辅助材料中的杂质分析进行了研究。着重研究了提升量对信背比的影响和残留硅对杂质元素的干扰影响，最后采用ＩＣＰ－ＡＥＳ对化学法提纯前的原料（石英砂），拉制单晶用的辅助材料（硅粉）和拉制单晶过程中采用的石英坩埚中的杂质含量进行了分析。     

ICP—AES法测定高纯二氧化锆中痕量杂质

介绍了高纯二氧化锆中痕量杂质元素Ｆｅ，Ｎａ，Ｓｉ，Ｔｉ的ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法。样品以浓Ｈ２ＳＯ４及（ＮＨ４）２ＳＯ４溶解，采用空白背景校正法消除基体Ｚｒ的光谱干扰，以基体匹配法补偿基体效应。各元素平均回收率为９５％－１０６％，相对标准偏差为１．３％－３．０％。     

半导体硅原材料及辅助材料中杂质的ICP－AES测定

本文采用电感耦合等离子体发射光谱对半导体硅原材料及辅助材料中的杂质分析进行了研究。着重研究了提升量对信背比的影响和残留硅对杂质元素的干扰影响，最后采用ＩＣＰ－ＡＥＳ对化学法提纯前的原料（石英砂）、拉制单晶用的辅助材料（硅粉）和拉制单晶过程中采用的石英坩埚中的杂质含量进行了分析。     

PSO萃取色层分离原子发射光谱测定氧化钇中十四个稀土杂质

本将石油亚砜浸渍在一种特制的吸附树脂上,用ＰＳＯ为固定相的萃取色层法分离氧化钇中痕量稀土杂质,可以分析６－７Ｎ级的氧化钇样品,加入试验的回收率为６７－１２０％,相对标准偏左为±４－１９．４％。     

三乙基铟中杂质元素的ICP─AES测定

研究了基体铟对１５种杂质分析元素谱线的背景影响和光谱谱线干扰，采用基体匹配－电感耦合等离子体发射光谱法测定了三乙基铟中的１５种杂质元素。样品分析方法的检出限大部分低于１μｇ／ｇ，相对标准偏差均小于２％。     

ICP—AES法测定锌及其化合物中的杂质元素

采用样品溶解后直接测定及氢氧化钇共沉淀将锌与被测杂质元素分离后测定相结合，研究了锌及其化合物中Ａｇ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ａｓ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｉ等１５个杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法，相对标准偏差１．６－８．１％。