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本文采用国产WP-2L型平面光栅摄谱仪配置国产GP3.5D型ICP光源进行了彩色电视荧光级氧化钇中14个稀土杂质元素分析方法的研究。样品溶液以不去溶方式引入ICP。当样品溶液中Y2O3的浓度为20mg/ml时,测定下限分别为铕、镱和0.00020%,镧、铈、钛、钆、镝、钬、铒和铥0.00050%,镨、钐和铽0.0010%。相对标准偏差为3.2~9.8%。 相似文献
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张俊芬 《光谱学与光谱分析》1992,(3)
本文采用中阶梯光栅光谱仪,直流等离子体光谱法测定高纯(99.99%)氯化镧、氧化钇中稀土杂质元素,由于仪器具有很高的色散率,因而方法具有灵敏度高、干扰少的特点。 相似文献
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ICP—AES测定Ta中杂质元素 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了Ta对Al、Ca等十三种分析元素的干扰情况,列出了Ta干扰其他分析元素的谱线,研究了操作条件变化时的非光谱干扰分布,对非光谱干扰采用优化操作条件的方法消除,并比较了校正光谱干扰的三种方法。 相似文献
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ICP—AES直接测定钨产品中杂质元素 总被引:10,自引:0,他引:10
本文通过实验详细研究了钨产品中钨基体对杂质元素突出谱线的光谱干扰情况及基体效应,选择了基本步受钨基体干扰的待测元素的分析谱线并利用单纯型加速法优化ICP操作条件,建立了一种快速分析钨产品杂质元素的ICP-AES法,用本法测定了三氧化钨标准样BYG1201-2,3,4号样)结果表明所建立的方法灵敏、快速和可靠。 相似文献
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三乙基铟中杂质元素的ICP—AES测定 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了基体铟对15种杂质分析元素谱线的背景影响和光谱谱线干扰。采用基体匹配-电感耦合等离子体发射光谱法测定了三乙基铟中的15种杂质元素。样品分析方法检出限大部分低于1μg/g,相对标准偏差均小于2%。 相似文献
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半导体硅原材料及辅助材料中杂质的ICP—AES测定 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用电感耦合等离子体发射光谱对半导体硅原材料及辅助材料中的杂质分析进行了研究。着重研究了提升量对信背比的影响和残留硅对杂质元素的干扰影响,最后采用ICP-AES对化学法提纯前的原料(石英砂),拉制单晶用的辅助材料(硅粉)和拉制单晶过程中采用的石英坩埚中的杂质含量进行了分析。 相似文献
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高纯Tb4O7中稀土杂质的ICP—MS法测定 总被引:2,自引:0,他引:2
本文报导了高纯氧化铽中La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Y等13种稀土杂质的电感耦合等离子体质谱测定方法。选择了仪器最佳操作参数,考察了质谱干扰和基体效应,选用I作内标可基本克服基体效应。方法检出限为0.013-011ng/mL,加标回收率为87%-103%,重复精度(n=7)为2.2%-5.5%。方法快速、灵敏、准确。 相似文献
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介绍了高纯二氧化锆中痕量杂质元素Fe,Na,Si,Ti的ICP-AES测定方法。样品以浓H2SO4及(NH4)2SO4溶解,采用空白背景校正法消除基体Zr的光谱干扰,以基体匹配法补偿基体效应。各元素平均回收率为95%-106%,相对标准偏差为1.3%-3.0%。 相似文献
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PSO萃取色层分离原子发射光谱测定氧化钇中十四个稀土杂质 总被引:3,自引:0,他引:3
本将石油亚砜浸渍在一种特制的吸附树脂上,用PSO为固定相的萃取色层法分离氧化钇中痕量稀土杂质,可以分析6-7N级的氧化钇样品,加入试验的回收率为67-120%,相对标准偏左为±4-19.4%。 相似文献
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本文采用电感耦合等离子体发射光谱对半导体硅原材料及辅助材料中的杂质分析进行了研究。着重研究了提升量对信背比的影响和残留硅对杂质元素的干扰影响,最后采用ICP-AES对化学法提纯前的原料(石英砂)、拉制单晶用的辅助材料(硅粉)和拉制单晶过程中采用的石英坩埚中的杂质含量进行了分析。 相似文献
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ICP—AES法测定锌及其化合物中的杂质元素 总被引:3,自引:0,他引:3
采用样品溶解后直接测定及氢氧化钇共沉淀将锌与被测杂质元素分离后测定相结合,研究了锌及其化合物中Ag,Co,Al,Ni,Fe,Cu,Cd,Cr,Mn,In,As,Pb,Sn,Sb,Bi等15个杂质元素的ICP-AES测定方法,相对标准偏差1.6-8.1%。 相似文献
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