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1.
采用Sol-Gel方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Mg2Y8-x-y(SiO4)6O2:Eu,Bi(x,y≥0),利用XRD、IR、TG-DTA三种手段研究了发光体的形成过程。室温(293K)和液氮温度(77K)的荧光光谱表明Eu3+和Bi3+在这种基质中分别发射红光和蓝光,每mol基质中其最佳掺杂浓度分别为0.14mol和0.03mol,并且其发光都存在温度猝灭。Eu3+的激光感生荧光光谱中存在两条5D0-7F0跃迁线,表明Eu3+同时进入4f格位和6h格位。在Eu3+、Bi3+共掺杂的发光体中,观察到了Bi3+→E3+的部分能量传递。 相似文献
2.
本介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其中x=0.7,Tc0达到92.5K。在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到10^3A/cm^2量级。 相似文献
3.
本用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O12是g=-2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12j Eg=1.6eV其价带顶有不量空穴的半导体, 相似文献
4.
Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05的真空紫外光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
利用高温固相法合成了Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05(x=0.6mol%)荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的X2型Y2SiO5相,空间群为B2/b。真空紫外光谱表明:随着Gd^3+含的增加,在192nm附近,出现了Gd^3+的激发峰,且此峰的强度随着Gd^3+含量的增加而增在;同时位于150 ̄185nm之间的基质吸收带的强度也增大;而位于200 ̄300nm之间的Eu的电荷迁移 相似文献
5.
对于La0.2Ba0.8-xCax(O,CO3)其中x=0.0、0.2、0.4、0.6氧化物在973K及甲烷氧化偶联(OCM)条件下,无Ca^2+的样品可用表面BaCO3和(LaO)2CO3的Raman谱及810cm^-1附近的O2^2-特征峰来表征;含Ca^2+的样品,则表现了混合碳酸盐(Ca,Ba)CO3的特征,还有位于1135cm^-1(w)和810cm^-1(w)的O2^-、O2^2-瞬时 相似文献
6.
Dy^3^+在Ca3La3(BO3)5中的光致发光 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了Ca3La3(BO3)5中Dy^3^+的光致发光,Ce^3^+或Bi^3^+对Dy^3^+发光的敏化作用,Dy^3^+自身浓度猝灭和CE^3^+→Dy^3^+能量传递的机理。 相似文献
7.
用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
8.
MAl2O4:Eu^2+,RE^3+,长余辉发光性质的研究 总被引:49,自引:1,他引:48
研究鳞石英结构碱土铝酸盐MAl2O4:Eu^2+,RE^+(M=Mg,Ca,Sr,Ba:RE=Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Ym,Yb,Lu)的荧光及长余辉发光性质。其发光由Eu^2+的4f-5d跃迁产生。RE^3+作为辅助激离子,提供合适的陷阱能级。即使用RE^3+的特性波长激发,在MAl2O4:Eu^3+的发光中也观察不到RE^3 相似文献
9.
在分子束条件下测量了He(2^3S)+N2O(X)→N2O^+(A^2Σ^+)+He(^1So)+e^-反应的Penning电离光学光谱,求得了N2O^+(A^2Σ^+)态的初生态相对振动布居。以He(2^3S)+N2(X)→N^+2(B^2Σ^+u)+He(^1So)+e^-为参考反应,测量了He(2^3S)+BN2O^+(A^2Σ^+)+He(^1So)+e^-反应的速率常数KN2O^+(A) 相似文献
10.
本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致. 相似文献
11.
利用高温固相法合成了 Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05(x=0.6mol%)荧光体。结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的X2型Y2SiO5相,空间群为B2/b。真空紫外光谱表明:随着Gd3+含量的增加,在192um附近,出现了Gd+的激发峰,且此峰的强度随着Gd3+含量的增加而增大;同时位于150~185nm之间的基质吸收带的强度也增大;而位于200~300nm之间的Eu的电行迁移带的强度却随着Gd3+含量的增加而降低。 相似文献
12.
本采用H2O的二个^1A1态的双值多体项展式(DMBE)势能函数,用Ehrenfest模型方法研究了反应(1)O(^1D)+H2→OH和(2)O(^1D)+H2→OH(A^2∑^+)+H的非绝热碰撞动力学过程。讨论了电子非绝热跃迁对反应(1)的影响及H2振动能对反应(2)的促进作用。并求得反应(1)的室温速度常数为0.944×10^-^1^0cm^3.molecule^-^1.s^-^1。 相似文献
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15.
采用尿素溶胶法合成(Y0.95Eu0.05)2O3纳米粉,用超临界干燥技术制备了n-(Y0.95Eu0.05)2O3/SiO2气凝胶介孔组装体。结果表明,当Y^3+:Eu^3+=20:1,均相反应时间为4h,且经680℃、4h灼烧热处理后得到的n-(Y0.95Eu0.05)2O3中,光致发光强度最大(发光峰位于612nm),以Si与2Y摩尔比为1:7的n-(Y0.95Eu0.05)2O3/SiO2气凝胶介孔组装体,经同样条件热616nm)。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。 相似文献
16.
在pH7.0混合磷酸盐介质中,SO3^2-使I3^-与CTMAB生成离子缔合物CTMA^+,I3^-而褪色,从而建立了测定SO3^2-的新间接紫外光度法,测定波长为365nm,SO3^2-浓度在0-25μg/25mL内服从比耳定律,表观摩耳吸光系数为ε=6.04×10^4L·mol^-1·cm^-1,可用于食品中微量SO3^2-的测定,其结果满意。 相似文献
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铁酸盐的水热氧化晶化法制备及其生成条件研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了空气氧化M^2+(M=Mn、Fe、Co、Ni)和Fe^2+的碱性悬浮液制备铁酸盐MFe2O4的条件,考察了原料配比、pH值、氧化温度、氧化时间对生成MFe2O4的影响。利用XRD及SEM检测氧化过程中沉淀物的形态和结构表明,在343 ̄358K和R=2OH^-/(M^2+Fe^2+)=1.0、M^2/Fe^2+=0.5(摩尔比)下用300mL/h的空气氧化Mx/3Fe1-x/3(OH)2悬浮液 相似文献
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Sol—Gel法和微波辐射法合成亚纳米级Zn2SiO4:Mn^2+,Er^3+高效绿色 … 总被引:5,自引:0,他引:5
用Sol-Gel法和微小法合成了亚纳米级Zn2SiO4:Mn^2+,Er^3+高效绿色荧光体,考究了Mn^2+单掺和Er^3+敏化的荧光体的发光,探讨了掺杂浓度对发光性质的影响,发交Er^3+可有效敏化Mn^2+的发光。SEM表明Zn2SiO4:Mn^2+,Er^3+的粒度约为150~350nm。 相似文献
19.
测量了Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8单晶样品ab平面内电阻率ρab和多晶样品电阻率ρ.热电势S随温度T的变化关系(单晶:x的范围从0到0.15;多晶:x的范围从0到0.4).在单晶和多晶样品中,都系统地观察到类似于YBa2Cu4O8,YBa2Cu3O7-y体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象.详细地讨论了上述实验结果,并与角分辨率光电子能谱实验(ARPES),电子拉曼实验结果进行比较,得出Bi2212相欠掺杂区域的电子相图. 相似文献