Bi2Sr2CaCu2Ox单晶的磁性质研究

测量了单晶 Bi_2Sr_2CaCu_2O_x 的磁化强度随磁场和温度的关系.发现样品除在 TT_c 还有较弱的抗磁性:|X_n|～10~(-7)cm~3/g.|X_n|随温降低或外场增加而增加,在外场平行于 b 和 c 轴时 X_n 也是不同的:测量前用纯 N_z 气处理过的样品或在纯He 气中长时间测量过的样品 T_c 较高,转变较剧烈,且后一种情况下 T_c 是随测量时间增加而增高的.所以认为 Bi 系高温超导体的 T_c 与样品的氧含量有关.初步讨论了上述性质的机制.     

Bi2Sr2Ca2Cu3Ox超导体的低温内耗和相变的研究

用倒扭摆和DSC研究了Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x 超导体在温度100K 至300K 范围内的内耗和相变.发现有五个内耗峰分别在110K、130K、180K、190K 和210K 附近.除190K 峰外,都伴随有切变模量软化.其中180K 和210K 内耗峰明显与 DSC 的放热峰对应.认为这些内耗峰与晶格不稳、晶格参数发生跳变有关,是由类相变过程中应力感生相界面运动所引起.     

Bi2Sr2CaCu2O8＋Y单晶生长机制及缺陷的观察

在采用熔体生长加电极方法生长 Bi_2Sr_2CaCuO_(8+δ)单晶的基础上,利用 X 光衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+y) 单晶进行了结构观察。结果表明:Bi 系2212相单晶属螺旋位错生长机制;观察到在晶体中除存在着大量位错外,还存在微裂缝;往往以一种迭层形态存在,中间夹在少量杂质,对其晶体生长机制及缺陷形成的原因进行了讨论。     

无光刻法制备Bi2Sr2CaCu2O8＋x单晶内禀结

我们发展了一种简易的、无光刻法制备Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋ｘ单晶内禀结的新型工艺，制备过程简单，重复性好，成功率高，结面积在２０μｍ×２０μｍ～８０μｍ×８０μｍ之间．同时，我们测量了内禀结的直流Ｉ～Ｖ特性，得到了具有多路电阻分支的内禀约瑟夫逊直流Ｉ～Ｖ特性曲线     

Bi2Sr2CaCu2O8中输运特性研究新发现

Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８中输运特性研究新发现高温超导（ＨＴＳ）的研究热潮，从１９８６年ＩＢＭ苏黎世实验室发现Ｔｃ＝３５Ｋ的镧钡铜氧化物超导体起，至今已持续１２年．世界各国数以千计的科学家参与了这一科学竞赛，目的是：（１）寻找更高Ｔｃ的新材料；（２）...     

BiSrCaCu2OY高Tc超导体在240K附近的位移相变

用电子顺磁共振(EPR)技术研究了 BiSrCaCu_20_y 高 T_c 超导体的电子顺磁行为,实验上发现样品在0.27T 附近的 EPR 信号的谱形、平均朗德因子可值、线宽以及积分信号强度在240K 附近均显示出反常的行为.不同温度下样品的 X 光衍射分析表明在80—300K 温区里没有观察到明显的结构相变,比较 Fe~(3+)离子注入的 SrTiO_3样品的 EPR 研究结果,我们认为240K 附近观察到的顺磁反常是由于样品在240K 附近发生一位移相变所引起的.     

Bi2Sr2CaCu2O8单晶的穿透深度研究

从Bi2Sr2CaCu2O8(Bi-2212)单晶临界温度下的可逆磁化强度数据中,考虑高温超导混合态涡旋线涨落对磁化强度的影响,得到穿透深度λab(T,H)的温度和磁场依赖关系.发现在温度远低于Tc时λab与温度存在T2关系.λab随磁场的增加而增加,且绝对零度下的穿透深度λab(0,H)随磁场H的变化符合经验式λab(0,H)=λ0[1+(H/H0)β] ,这里λ0、H0和β为常数.     

反常输运性质Bi2Sr2CaCu2O8单晶的生长

使用自助熔剂融化法成功的制备了Bi2Sr2CaCu2O8超导单晶。在对所得单晶进行输运性质的研究时,我们发现一种反常扔物理特征：在超导涨落区观察到反常的电阻峰,从Bi2Sr2CaCu2O8单晶的颗粒超导电性方面我们给出了合理的解释。     

Bi—Sr—Ca—Cu—O的两种2212相的研究

本文对定向凝固法生长 Bi-Sr-Ca-Cu-O 的2212相超导单晶进行 X 射线衍射分析,发现在晶体的 c 轴方向有两种周期,分别是30.80(?) 和15.40(?),分属于两种2212相,2212-30相和2212-15相.根据衍射分析结果,讨论了可能的结构特征.     

YBa2Cu3O7—δ掺Co样品的中子衍射研究

对磁性金属钴掺杂的ＹＢａ２（Ｃｕ１－ｙＣｏｙ）３Ｏ７－δ超导体进行了中子衍射研究。研究表明：钴原子择优占据Ｃｕ（１）晶位；随着钴一的增加，单胞中平均氧含量增加；晶胞的晶格常数α增大，ｂ减小，至ｙ＝０．０３８时，ａ＝ｂ，而ｃ是先增大再减小。     

Shapiro Steps in Flux-Trapped Surface Intrinsic Junctions of Bi2Sr2CaCu2O8＋δ

Microwave-field responses of the surface intrinsic Josephson junctions (IJJs) of Bi2Sr2CaCu2O8 δ superconductors are investigated. The IJJs are fabricated using an in situ low-temperature cleavage technique, which leads to the well-characterized surface CuO2 double layers and surface junctions. For the surface junctions in the largejunction limit, usually no Shapiro steps appear when a microwave field is applied. It is found that when the junctions are in a flux-trapped state, which is produced by a pulsed current and in which the critical current is significantly suppressed, clear Shapiro steps can be observed. These results are important for the study of the microwave-field properties of vortex-carrying IJJs and may find their use in device applications.     

Bi2Sr2CaCu2Oy超导单晶的研究进展

近两年来对氧化物高临界温度超导体的研究巳取得了很大的进展．本文总结了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ超导单晶的研究成果，从若干方面对这种单晶材料的性质作了全面的阐述，例如电子结构、磁性质、输运性质、二维涨落性质等；对一些关键性的实验作了深入的讨论，并指出了一些还需要进一步研究的问题．     

中子辐照对GdBa2Cu3O7-单畴超导性能的影响

研究了中子辐照对GdBa2Cu3O7-±单畴超导性能的影响，使用的辐照剂量为1015 n/cm2．通过高分辨电镜观察发现中子辐照产生球形的缺陷和小的点缺陷，这些球形缺陷的尺寸在4?7 nm，与高温超导相干长度相当，并且在退火过程中稳定存在，而小的点缺陷在退火过程中消失．磁测量结果显示中子辐照使样品的超导电性严重退化，临界电流密度下降并且鱼尾峰效应几乎消失．然而对辐照的样品退火处理后，其超导电性明显改善，临界电流密度显著提高并超过了未经辐照的样品，鱼尾峰也向高场移动．这些结果表明中子辐照和退火处理使GdBa2Cu3O7-±单畴样品中引入了有效的磁通钉扎中心(即球型的缺陷)从而导致其临界电流密度大幅提高．     

低通量慢中子辐照对高Tc超导体正常态电阻的影响及其机理探讨

研究了低通量(～10⁸n/cm²)慢中子对Y系、Bi系及其掺杂高T_c超导体(HTSC)正常态电阻的影响及其机理。实验结果表明,HTSC在低通量慢中子辐照后,正常态电阻R不仅不遵从随辐照通量φ_n按指数增加的规律,而且还会较大幅度地减小。 关键词：