YBa2Cu3O7—δ外延薄膜中磁通运动的研究

我们用 Hall 效应和磁场下展宽的电阻-温度(R-T)曲线研究了 YBa_2Cu_3O_(7-δ)外延生长薄膜中的磁通运动规律.从展宽的 R-T 曲线中,得到了磁通蠕动激活能与磁场之间满足的指数关系;而从 Hall 系数 R_H 的测量中,发现了与 R-T 展宽相对应的 Hall 系数反常变化.对整个 R-T 和 R_H-T 曲线的变化,我们借用磁通玻璃模型来进行描述,从不同的角度,揭示了磁通运动的规律.     

YBa2Cu3O7—δ体系CuO2平面外的元素替代效应

制备了123单相的 Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-ε),YBa_(2-x)M_xCu_3O_(7-ε)(M=Sr,Ca)和 YBa_2Cu_(3-x)Co_xO_(7-δ)的系列样品,并测量了 T_c 及载流子浓度 nH.综和其他实验结果如 XAFS、中子衍射、XPS 和 Raman 谱等,总结得到:CuO_2平面外的元素替代使得晶格中 O(4)原子偏离其在 YBa_2Cu_3O_7中的最佳位置,导致部分空穴局域于 Ba 位或 CuO 链,因而降低体系中可动空穴的浓度.在这种情况下体系 T_c 的压制主要源自可动空穴浓度 PH 的减少.对加压情况下的退局域化作用作了讨论.     

YBa2Cu3O7—δ超导体的声子—激子联合超导机理模型

本文从声子-激子联合机理模型出发,用推广的 Numbu-Eliashberg 强耦合超导微观理论计算了 YB_2Cu_3O_(6.9)超导体的临界温度 T_c 和氧同位素应 T_c～M_0~(-α_0)的位移系数α_0,结果与实验符合较好.     

YBa2Cu3O7—δ掺Co样品的中子衍射研究

对磁性金属钴掺杂的ＹＢａ２（Ｃｕ１－ｙＣｏｙ）３Ｏ７－δ超导体进行了中子衍射研究。研究表明：钴原子择优占据Ｃｕ（１）晶位；随着钴一的增加，单胞中平均氧含量增加；晶胞的晶格常数α增大，ｂ减小，至ｙ＝０．０３８时，ａ＝ｂ，而ｃ是先增大再减小。     

YBa2Cu3O7—δ中的元素替代效应

高临界温度氧化物超导体的发现,对超导电性研究领域、凝聚态物理、以至整个物理学和其它相关学科、高新技术的发展,已经并正在继续产生着深远的影响。高温超导体中元素替代研究有着其特殊的意义。例如,通过元素替代,已发现了多种结构类型的几十种新的高温氧化物超导     

YBa2Cu3—xZnxO7—hδ（X=0.0~0.5）体系的正电子寿命谱研究

利用正电子湮没谱方法,对Zn替代的YBa2Cu3-xZnxO7-δ(x=0.0～0.5)体系进行了系统研究,给出了正电子寿命参数随Zn替代含量x的变化.证明CuO2面载流子的不均匀分布乃是Zn替代引起超导电性退化的主要原因.讨论了Zn替代引起Y-123体系电子结构的变化特征并给出了初步的解释.     

超薄超导YBa2Cu3O7薄膜的外延生长和电阻温度关系

利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术，我们在ＳｉＴｉＯ３衬底上成功地外延生长了超薄超导ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７薄膜样品．样品ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度分别为２．４ｎｍ至１０．８ｎｍ（二至九个原胞）．四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变．超导零电阻温度分别为１６Ｋ至８１Ｋ．超薄超导薄膜样品显示当ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度达到和超过四个原胞层厚（９．６ｎｍ）时，厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显．实验观察到ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同．这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响．超薄ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件．     

Ag与YBa2Cu3O7-δ超导薄膜接触电阻的研究

本文系统研究了Ag/YBCO薄膜退火后Ag膜微观形貌与相应接触电阻率以及它们之间的关系,得到了在最佳退火温度(475℃左右)退火后ρc为6×10-8Ω*cm2(77K),并对接触电阻率随不同退火温度的变化进行了解释.此外,对于Ag与YBCO薄膜和Ag与YBCO块材之间的接触电阻率随退火温度的变化规律进行了比较并解释了其差异的原因.