Y123体系化学压强效应的63,65Cu核四极共振研究

我们研究了室温下系列Sr掺杂的Y(Ba1-xSrx)2Cu3O7-δ陶瓷样品的63,65Cu核四极共振谱.在YBa2Cu3O7-δ(Y123)中Sr2+的替代会在体系中产生化学压强效应,这种化学压强导致了CuO2平面的Cu(2)核四极共振信号向高频移动,而CuOx链层的Cu(1)核四极共振信号向低频移动.随着Sr2+掺杂的增加,Cu(2)和Cu(1)的核四极共振峰的峰宽都明显地变宽,同时还观察到一个新的Cu核四极共振峰.最后,我们给出了化学压强对超导转变温度的抑制的一些讨论,认为它与CuOx链层氧原子的部分无序导致的载流子非均匀分布或局域化有关.     

高临界温度超导体在低温下的正常态性质

高临界温度超导体在低温下的正常态性质在超导转变温度以上，超导体处于正常态，这时电荷载流子运动伴随损耗，像通常正常金属那样存在一定的电阻．铜氧化合物高临界温度超导体（以下简称高温超导体）的正常态是二维性质的，载流子在铜氧平面内移动容易，而在二个铜氧面之...     

Y1—xPrxBa2Cu3O7—δ体系的内耗研究

本文系统地研究了Ｐｒ掺杂在Ｙ位对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体内耗的影响，随Ｐｒ对Ｙ的掺杂量增加，１１０Ｋ内耗峰逐渐减小，而８７Ｋ附近的内耗峰基本不变，因Ｐｒ的掺入主要引起电子结构的变化，１１０Ｋ附近内耗峰应的电子结构有关，而和ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的附近的９０超导转变无直接的联系。     

La2-xSrxCuO4体系正常态的低温反常输运与载流子的局域化

对La2-xSrxCuO4系列(x=0.06～0.20)样品的电阻率和霍尔系数等输运特性进行了系统研究.电阻率随温度变化的实验结果表明,对低掺杂样品,在正常态区域(T＞Tc),随Sr掺杂量的增加,各样品在低温区超导转变温度附近均发生了金属-绝缘体转变,且转变温度TMl随掺杂量的增加逐渐降低;对于最佳掺杂样品,其金属-绝缘体转变行为变得非常不明显,到x=0.18时完全消失.对正常态样品的霍尔系数而言,随温度的降低逐渐增大,且随Sr掺杂量的增加显示减小.表明载流子浓度随掺杂量的增加而增加.在低掺杂时,接近Tc的温区内霍尔系数RH迅速增大,随着掺杂量的增加Tc附近霍尔系数的增大变缓.霍尔系数在Tc附近的增大,表明低温区载流子浓度减少.电阻率和霍尔系数在低温区电输运的这种反常行为可从载流子的局域化角度给予初步解释.     

低频内耗测量时标准滞弹性固体的内耗行为

用三参量力学模型的恒应力和恒应变弛豫时间描述了标准滞弹性固体的内耗行为.在低频内耗测量时,振动系统的惯量不可避免地影响测量的内耗值,当材料的内耗较大和测量频率与振动系统的共振频率可以比较时,惯量对内耗测量的影响较大,这时惯量的影响不可忽略. 关键词：     

HgBa2CuO2正常态1/f噪声行为的研究

我们在１００－３００Ｋ温度范围测量了ＨａＢａ２ＣｕＯ２（Ｈｇ－１２１２）相块材样品和不同质量的Ｈｇ－１２１２相薄膜样品,发现Ｈｇ－１２１２相膜的噪声温行为显示较强的样品个性。     

内耗的热力学研究(Ⅱ)——代位合金在有序或无序态的内耗理论

本文是利用热力学线型内耗的理论来计算二元代位合金在各种有序状态时的内耗。首先,求出了在一个均匀应力作用下,样品中所产生的非平衡的有序无序的自由能,文中又介绍了原子对从优取向和短程有序的变化等两种内耗的机构。在这两种情况中,内耗都是正比于(1-S)的一次幂或二次幂的,这里S是长程有序程度。所以一定温度下在完全有序的状态时内耗不出现,而在完全无序状态时内耗最大。理论的结果是和诺维克的AgZn合金无序内耗的数据,以及亚特曼的β-黄铜有序内耗的数据完全符合的。并且还可以明了这些实验所测得的内耗峰是由于原子对从优取向所产生的,不是由于短程有序变化的原因。     

用Cu_2O合成Y－123超导体的研究

用Ｃｕ_２Ｏ合成Ｙ－１２３超导体的研究兰玉成中国科学院物理研究所车广灿，吴非，陈红，贾顺莲，董成，赵忠贤中国科学院物理所超导实验室，北京１０００８０１９９５年１１月２７日收到一、引言众所周知，在高Ｔｃ氧化物超导体中，［ＣＵ－Ｏ］ｐ层或［Ｃｕ－Ｏ］ｐ链?..     

铁在范性形变过程中的低频内耗

在改装了的拉力试验机上测量了纯铁在范性形变过程中的内耗。研究了拉伸速率(在0.73×10^-6-50×10^-6/秒范围内)、测量频率(在0.3—3.6/秒范围内)、应变退火及含碳量等对纯铁范性形变过程中内耗的影响。所得结果表明,在屈服平台上,范性形变过程中内耗基本不变,且其值随范性形变速率的增加和测量频率倒数的增加而线性增加。将实验结果与范性形变过程内耗的位错动力学模型所得出的定量关系式进行了对比,得到了满意的符合。求得了退火纯铁在屈服平台上的位错动力学指数为10 关键词：     

铝铜合金在范性形变过程中的低频内耗

在小型拉力试验机上测量了几种铝铜和铝镁合金试样在拉伸形变过程中的低频内耗,观测到在内耗-应变曲线上出现一系列的跳跃现象。研究了测量温度和一些冶金因素对于这种跳跃现象的影响。实验结果指出,出现这种现象的温度范围与铝铜合金中出现台阶状或锯齿状应力-应变曲线的温度范围相对应。这表明,这种现象与在范性形变过程中所进行的应变时效过程有关,是由于位错气团在形变过程中的更迭形成和解脱所引起。 关键词：     

马氏体相变过程中低频内耗的研究

本文测出了金镉(Au-Cd)合金在正反马氏体相变过程的低频内耗峰,内耗极大值与变温速率有线性关系,但比Fe-Mn等非热弹性马氏体相变内耗的速率依赖要小得多,稳定内耗峰(变温速率为零)在每一温度的内耗值与频率无关,是静滞型损耗。内耗峰高与马氏体晶粒尺寸有关。等温转变过程也出现一个内耗-时间峰。根据以上诸实验事实,我们认为,低频马氏体相变内耗是由那些在振动应力作用下可以运动的相界面所引起的。 关键词：     

内耗的热力学研究(Ⅰ)

甄纳等对线型内耗的计算曾作了一系列的研究。但是其所考虑的内容缺乏系统性。特别,当有着数个因素交互作用时,所得的结果是不够普遍的。本文试用一般的热力学不可逆的线型理论,应用了玻耳兹曼叠加原理,整理出一个较全面的有系统的普遍线型内耗理论。一般地,所得结果和普通的理论是相符合的,但是在交互作用问题上就有着差异。最近的内耗的研究上又逐步地进入反常内耗的研究。因此研究交互作用成为必要的了。可以指出,利用类似的理论和方法,有可能创造出反常效应及振幅效应的非线性的一般的内耗理论,为分析这些实验数据的工具。     

纯铁中运动畴壁引起的低频内耗

在匀速增加磁场的条件下测量了纯铁试样在退火和预应变时的低频内耗。结果表明,磁化过程中的动态内耗是一种与磁化场增加速率成正变关系,与测量频率成反变关系的粘弹性内耗。而稳态磁场下的内耗则与测量频率有正变关系。这与作者对镍的测量结果类似。结果还表明,预应变使这两种内耗减小,峰值移向高场。 关键词：     

La0.95K0.05MnO3的低频内耗研究

本文研究了样品La0.95K0.05MnO3的内耗、直流电阻、交流磁化率.发现在20～275K的温度范围内,在0.3T的磁场下有明显的磁阻(MR)效应,温度为259K时MR效应达到极大值26%.在直流电阻测量中发现267K时出现很尖锐的电阻峰;在220K附近出现"肩峰".内耗温度曲线在210K～250K的温度范围有一个很宽的内耗峰;在268K有一个很明显的内耗蜂同时伴随着模量软化,并且由Kissinger关系求出顺磁-铁磁转变的表观激活能Eap=0.53eV(请说明通过什么公式求出什么东西的活化能).     

用内耗方法研究铜的蠕变断裂过程

在文献[1]关于工业纯铝研究的基础上,研究了工业纯铜在不同条件下蠕变过程中晶界内耗峰的变化,蠕变条件分为三类:(a)较高温度、较低应力;(b)中等温度、中等应力;(c)较低温度、较高应力;使试样分别发生晶间型、混合型和穿晶型的断裂。由晶界内耗峰的变化可以推知:在较高温度、较低应力的蠕变过程中,晶界强度变化不大;在中等温度、中等应力的蠕变过程中,晶界强度有一定程度的提高;在较低温度、较高应力的蠕变过程中,晶界强度则有比较显著的提高。这说明,在蠕变过程中,晶界强度是变化着的,在不同的蠕变条件下,晶界强化的程度不同,最终导致了不同类型的蠕变断裂。这对于“等强温度”概念是一个修正和补充。 关键词：     

与位错和点缺陷的交互作用有关的低温内耗峰

系统研究了出现在经冷加工处理的Al-Mg固溶体中的低温内耗峰。当测量频率约为1Hz时,分别在-70℃(P_L2峰)和-50℃(P_L1峰)观察到了两个内耗峰。详细研究了镁(Mg)含量,冷加工量,冷加工模式,不同合金元素(Ga,Zn),退火等诸因素对这两个内耗峰的出现及特性的影响。得出了P_L2峰与位错和“Mg原子-双空位”对的交互作用有关以及P_L1峰与位错和“Mg原子-单空位”对的交互作用有关的结论。 关键词：     

内耗测量在钙钛矿结构Mn基氧化物研究中的应用

运用内耗测量技术系统地研究了空穴型和电子型掺杂锰氧化物的相分离行为。对于La0．67，Ca0．33MnO3样品，在铁磁金属区，内耗温度曲线Q^-1（T）上观察到与电子相分离有关的内耗峰。此外，我们在顺磁区观察到与磁团簇形成有关的内耗峰。磁测量的结果也证明了在顺磁区Griffiths相的存在。采用内耗、电阻和杨氏模量原位测量的方法研究了La5／8-yPryCa3／8MnO3（y=0．35）中电流对电荷有序相的影响。较大的电流破坏了电荷有序态，导致电阻率降低，同时杨氏模量也有相应的变化。通过分析表明，在La5／8-yPryCa3／8MnO3（y=0．35）中存在相分离行为，即电荷有序相和铁磁金属相共存。对于电子型掺杂的Sr0．8Ce0．2MnO3和Bi0.4Ca0．5MnO3样品，通过内耗实验同样给出了相分离的证据。在外加磁场下的内耗实验表明，Sr0．8Ce0．2MnO3顺磁区的内耗峰起源于非关联的磁团簇的形成。对于电荷有序体系Bi0.4Ca0．5MnO3由于电荷有序和电荷无序畴壁运动而导致的内耗峰被观测到。研究表明，对于空穴型和电子型掺杂锰氧化物，实验中观察到的相分离行为可能是由于MnO3八面体的Jahn-Teller畸变所导致。实验结果显示了内耗测量技术对研究强关联电子体系Mn基氧化物相分离行为是十分有效的工具。