α-FeO3-MgO复合氧化物的制备和气敏性能

用化学共沉淀法制备了α-Fe2O3-MgO复合金属氧化物纳米晶微粉。并对其相组成,电导和气敏性能作了研究。结果表明,镁铁摩尔比n(Mg^2 ):n(Fe^3 )=1:2,500℃下热处理4h可得纯相尖晶石型复合金属氧化物MgFe2O4;电导测量显示,该材料呈n型半导体导电行为,600℃下热处理4h所得纳米晶微粉制作的元素在227℃工作温度下对C2H5OH有较高灵敏度和良好的选择性。     

Ga2O3-NiO复合氧化物的溶胶-凝胶法制备和气敏性能

用溶胶-凝胶法制备了Ga2O3-NiO复合金属氧化物气敏材料,对其相组成、电导和气敏性能作了研究.结果表明:镍镓物质的量比n(Ni2＋) : n(Ga3＋)=0.7～0.9:2、800 ℃下热处理4 h,得到纯相尖晶石型复合金属氧化物NiGa2O4.缺陷GaNi×的反应(GaNi×→GaNi’＋h●),使NiGa2O4呈p型半导体. n(Ni2＋) : n(Ga3＋)=1:2凝胶粉在800 ℃下热处理4 h,所得纳米微粉制作的元件在313 ℃工作温度下对C2H5OH有较高灵敏度和良好的选择性.     

α-Fe_2O_3-MgO复合氧化物的制备和气敏性能

用化学共沉淀法制备了 α-Fe2 O3-Mg O复合金属氧化物纳米晶微粉 .并对其相组成 ,电导和气敏性能作了研究 .结果表明 ,镁铁摩尔比 n(Mg2 )∶ n(Fe3 ) =1∶ 2、5 0 0℃下热处理 4h可得纯相尖晶石型复合金属氧化物 Mg Fe2 O4;电导测量显示 ,该材料呈 n型半导体导电行为 . 60 0℃下热处理 4h所得纳米晶微粉制作的元件在 2 2 7℃工作温度下对 C2 H5OH有较高灵敏度和良好的选择性 .     

银掺杂对CdFe2 O4电导和气敏性能的影响

用溶胶-凝胶法制备了CdFe2O4及其掺银纳米粉,并对其制备条件、物相组成、微结构、电导和气敏性能作了系统研究.结果表明: 350℃下预烧2 h进一步除尽残存柠檬酸的凝胶粉于800℃下热处理2 h可得纯相掺银纳米粉Cd1-xAgxFe2O4(0 ≤x≤0.04); 电导测量显示,该材料呈表面电阻控制的n型半导体导电行为,由于AgCd×电离出的空穴h对材料中导带自由电子的湮灭,使得掺银固溶体的导电性远小于同温下的纯相CdFe2O4; Cd0.98Ag0.02Fe2O4纳米粉制作的元件在330℃下对45 μmol/L C2H5OH的灵敏度为相同浓度干扰气体Petrol的11倍多.有望开发为一类新型C2H5OH信息敏感材料.     

镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

用共沉淀法制备了Mg2+掺杂的In2O3纳米粉,研究了镁掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响.结果表明:MgO和In2O3间可形成有限固溶体In2-xMgxO3(0≤x≤0.40);MgIn×电离的空穴对材料导带电子的湮灭,使掺镁纳米粉的电导变得很小;n(Mg2+):n(In3+)=1:2共沉淀物于900℃下热处理4 h,用所得的纳米粉制作的传感器在320～370℃下,对45μmol/L C2H5OH的灵敏度达102.5,为相同浓度干扰气体Petrol的12倍多.     

掺镁YFeO3固溶体的电导和气敏性能研究

用化学共沉淀法制备了复合氧化物YFeO3镁掺杂固溶体Y1-xMgxFeO3气敏半导体材料,并对其相组成、电导和气敏性能进行了研究。结果表明：Mg2+在YFeO3的A位固溶范围为0糩]x糩0.8;电导测量显示,该p型固溶材料电导突变温度较纯相YFeO3低100℃以上;900℃下灼烧4h所得的Y0.94Mg0.06FeO3粉料制作的元件在257℃时对乙醇灵敏度最高,对4.5*mol/L乙醇的灵敏度高达44;选择性较好,4.5韒ol/LC2H5OH的灵敏度是45*mol/Lpetrol的4.0倍。     

新型导电陶瓷Sm_0.9St_0.1Al_0.5Mn_0.5O_(3-δ)的制备及其电性能研究

采用有机凝胶法结合固相烧结技术制备了Sm_0.9St_0.1Al_0.5Mn_0.5O_(3-δ)(SSAM9 155)新犁导电陶瓷.通过TG/DTA,FTIR, XRD,SEM和直流四引线法系统研究了凝胶前驱体的热分解及其相转化过程和烧结体的结构、相稳定性、微观形貌、电导率以及电输运机制.结果表明,凝胶前驱体在900℃焙烧5 h可以形成完全晶化的四方钙钛矿相纳米粉体;高温烧结制得的SSAM9155陶瓷的电导率取决于P型电导,电导率随温度的升高而增大,导电行为符合P型小极化子跳跃机制;随烧结温度的升高或保温时间的延长,SSAM9155陶瓷的电导率和相对密度都先增大后减小,1600℃烧结10 h制得的SSAM9155陶瓷具有最高的电导率和相对密度(98%),该样品在空气和氢气气氛中850℃时的电导率分别为8.21和1.26 S·cm~(-1),表观活化能分别为0.265和0.465 eV.具有较高电导率的Sr,Mn掺杂的SmAlO_3导电陶瓷有望成为一种新型的固体氧化物燃料电池(SOFC)阳极材料.     

新型导电陶瓷Sm0.9Sr0.1Al0.5Mn0.5O3-δ的制备及其电性能研究

采用有机凝胶法结合固相烧结技术制备了Sm0.9Sr0.1Al0.5Mn0.5O3－δ (SSAM9155)新型导电陶瓷. 通过TG/DTA, FTIR, XRD, SEM和直流四引线法系统研究了凝胶前驱体的热分解及其相转化过程和烧结体的结构、相稳定性、微观形貌、电导率以及电输运机制. 结果表明, 凝胶前驱体在900 ℃焙烧5 h可以形成完全晶化的四方钙钛矿相纳米粉体; 高温烧结制得的SSAM9155陶瓷的电导率取决于p型电导, 电导率随温度的升高而增大, 导电行为符合p型小极化子跳跃机制; 随烧结温度的升高或保温时间的延长, SSAM9155陶瓷的电导率和相对密度都先增大后减小, 1600 ℃烧结10 h制得的SSAM9155陶瓷具有最高的电导率和相对密度(98%), 该样品在空气和氢气气氛中850 ℃时的电导率分别为8.21和1.26 S•cm－1, 表观活化能分别为0.265和0.465 eV. 具有较高电导率的Sr, Mn掺杂的SmAlO3导电陶瓷有望成为一种新型的固体氧化物燃料电池(SOFC)阳极材料.     

CeO2/SnO2纳米材料的制备与气敏性能研究

本文应用溶胶-凝胶法制备了7种不同成分和煅烧温度的CeO2/SnO2材料,应用X射线衍射方法对其中的3种进行了结构表征和粒度分析,运用自组装的气敏性能设备检测了该7种不同成分的CeO2/SnO2材料的气敏性能,简要分析了其气敏机理。结果表明:掺杂CeO2有利于SnO2晶粒的细化;掺杂CeO2和La2O3可改变或提高SnO2气敏材料对某些气体的气敏性能;煅烧温度在600℃~800℃之间,掺杂2?O2的CeO2/SnO2气敏材料,随煅烧温度上升,气敏性能下降;煅烧温度600℃、掺杂5?O2的CeO2/SnO2气敏材料,对乙醇具有较高的灵敏度和选择性,具有开发应用价值;CeO2/SnO2气敏材料的气敏机理为表面电导控制型。     

Sb_xSn_(1-x)O_2固溶体系电学性能与导电机制研究

本文报道以均匀共沉淀法制得 Sbx Sn1 -x O2 体系半导体气敏材料 ,研究了固溶体组成与电导的变化规律 ,并对导电机制进行了讨论。结果表明 :x<0 .30时均可生成固溶体。微量 Sb(x=0 .0 4 )的掺入即能提高 Sn O2 电导一个数量级 ,在 x≤ 0 .0 4区间电导都呈上升趋势 ,其后一直到固溶范围内随着 X增加 ,电导反而缓慢下降。根据体系中存在的 Sb°Sn和 Sb′Sn两种缺陷 ,讨论了其电导变化和导电机制。认为平衡 Sb°Sn 2 e′=Sb′Sn对上述导电机制起决定作用。XPS分析对 Sb5 、Sb3 的含量进行了确认 ,交流阻抗谱的测试结果从另一角度对电导行为加以证实。     

铒铁钴系复合氧化物的制备及其导电性

采用Sol-Gel法制备了ErFe1-xCoxO3-δ稀土复合氧化物纳米晶,用SEM观察了其微粒的大小及形貌,用XRD进行了物相及烧成温度分析,用四探针测试仪及导电仪等测试了其不同温度下的导电性,讨论了不同的铁钴元素比例对导电性的影响,其比例为1∶4、温度为800℃时电导率为1.2Scm-1.     

α-Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响

用化学共沉淀法制备了α Fe2O3掺杂的In2O3纳米晶微粉,研究了α Fe2O3掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响. 结果表明, α Fe2O3和In2O3间可形成有限固溶体In2－xFexO3(0≤x≤0.40); Fe3＋对In2O3晶格中In3＋格位的部分取代,大大增强了阴阳离子间的结合力,导致材料中氧空位VO×数骤降、 自由电子的浓度变稀和电导下降. n(Fe3＋):n(In3＋)=5 :5的共沉淀粉于800 ℃下灼烧4 h所得的α Fe2O3掺杂In2O3传感器元件,对45 μmol•L－1 C2H5OH的灵敏度达54.0,为相同浓度干扰气体汽油的8倍多.     

磷酸钒锂正极材料的合成与性能研究

本文以LiOH·H2O,NH4VO3,NH4H2PO4和柠檬酸等为原料采用流变相法成功地合成了磷酸钒锂化合物。利用XRD,TEM等手段对目标产物的结构和形貌进行了表征,结果表明:在800℃煅烧的样品具有单一纯相的单斜晶体结构。晶体颗粒分布在200~500nm范围,而且在颗粒表面包覆了一层碳,有利于材料的导电率的改善。对该材料的电化学性质进行了测试,实验发现:800℃煅烧的样品在0.1C和1C倍率电流条件下,首次放电比容量分别高达122.8和107mAh·g-1,经过30次循环后容量衰减很少。交流阻抗谱证实了800℃煅烧的样品具有较高的电导率。本文对800℃煅烧的样品具有较好电化学性能的原因进行了初步讨论。     

(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(0.00≤x≤0.10)的合成、表征与电性能

采用溶胶-凝胶法合成(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00、0.02、0.05、0.10)氧化物,通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能.结果表明:所有样品均为单一萤石立方结构;少量MoO3的加入提高了材料的致密性,降低了材料的总电阻、晶界电阻和晶界电阻在总电阻中所占比例,提高了材料的电导率.1200 ℃烧结样品24 h,测试温度700℃时,(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=O.00)总电导率和晶界电导率分别为0.05和O.19 S·m-1,掺Mo材料(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2(x=0.02)的总电导率和晶界电导率分别为2.42和3.96 S·m-1.     

高温固相法合成R_(2-x)(MoO_4)_3∶xEu~(3+)(R=Y,Gd)红色荧光粉的研究

采用高温固相法合成R2-x(MoO4)3∶xEu3+(R=Y,Gd)系列红色荧光粉.研究了煅烧温度、助熔剂的含量和Eu3+的掺杂量对样品发光性能的影响,并对样品的物相组成、激发和发射光谱进行分析.结果表明,样品Gd0.6(MoO4)3∶1.4Eu3+在800℃左右煅烧时呈单斜晶结构,当煅烧温度提高到950℃左右,呈正交斜晶结构;样品Y0.2(MoO4)3∶1.8Eu3+在800℃左右煅烧时已经完全形成了正交结构,当煅烧温度升高到1000℃左右时,其正交结构得到保持,没有发生相变.其中,助熔剂NH4Cl的含量占样品总量的3%,煅烧温度为1000℃,保温3h得到的样品Gd0.6(MoO4)3∶1.4Eu3+和Y0.2(MoO4)3∶1.8Eu3+的发光性能达到最佳.另外,由激发和发射光谱分析表明,该荧光粉可以被近紫外光(395nm)和蓝光(465nm)有效激发,发射峰值位于612nm的红光,对应于Eu3+离子的5 D0→7 F2跃迁,是一种可应用在紫外光和蓝光芯片激发产生白光LED的红色荧光粉.     

Calibration of conductance cells at various temperatures

Precise conductance measurements on aqueous potassium chloride solutions at 0, 10, 18, and 25°C have been made under various conditions over a concentration range 10^?4?2 mole-dm^?3, yielding the conductance equations $$\begin{gathered} 25^\circ C:\Lambda = 149.873 - 95.01\sqrt c + 38.48c log c + 183.1c - 176.4c^{3/2} \hfill \\ 18^\circ C:\Lambda = 129.497 - 80.38\sqrt c + 32.87c log c + 154.3c - 143.0c^{3/2} \hfill \\ 10^\circ C:\Lambda = 107.359 - 64.98\sqrt c + 27.07c log c + 125.4c - 110.3c^{3/2} \hfill \\ 0^\circ C:\Lambda = 81.700 - 47.80\sqrt c + 20.60c log c + 93.8c - 79.3c^{3/2} \hfill \\ \end{gathered} $$ which are proposed for calibration of conductance cells.     

(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ (0.00≤x≤0.10)的合成、表征与电性能

采用溶胶-凝胶法合成(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00、0.02、0.05、0.10)氧化物, 通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)等手段对氧化物进行结构表征, 交流阻抗谱测试电性能. 结果表明: 所有样品均为单一萤石立方结构; 少量MoO3的加入提高了材料的致密性, 降低了材料的总电阻、晶界电阻和晶界电阻在总电阻中所占比例, 提高了材料的电导率. 1200 ℃烧结样品24 h, 测试温度700 ℃时, (Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00)总电导率和晶界电导率分别为0.05和0.19 S·m-1, 掺Mo材料(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.02)的总电导率和晶界电导率分别为2.42 和3.96 S·m-1.     

铁-锆交联蒙脱土的制备和结构表征

我们首次合成了铁锆复合柱交联蒙脱土, 并用XRD, 比表面及孔径测定和Mossbauer谱学等方法进行了表征。结果表明, 铁锆交联蒙脱土比表面增大为原土的三倍以上, 其层间距可达0.88nm(d001=1.84nm)。热稳定性明显高于单一Fe柱交联蒙脱土。在500℃加热后层间距保持0.63nm~0.71nm。但由于铁柱的坍塌造成微孔减少, 比表面明显下降。Mossbauer谱研究表明, 500℃焙烧单一铁柱转变为α-Fe~2O~3, 而Fe-Zr-PILC中铁仍以超顺磁Fe^3^+存在, 单一铁柱的铁组分在400℃可还原为金属铁, 而铁锆混合柱交联蒙脱土中由于铁与锆之间存在较强的相互作用, 450℃氢气气氛中铁组分仍不能还原为金属铁。