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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 56 毫秒
1.
提出了一种新型的超低噪声参考电压源.该参考电压源采用基于CMOS阈值电压的偏置电压源结构,具有极低的输出噪声.使用数字校准的方法,将输出电压与精准带隙电压源电压进行比较和校正,提高输出电压的精度.整体电路使用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺设计并物理实现,集成于高性能射频接收器芯片中.仿真结果表明,该低噪声参考电压源的输出噪声在1 kHz时为62 nV/Hz(1)/(2)、在1 MHz时为12.3 nV/Hz(1)/(2).测试结果表明,该低噪声电压源的输出电压值参照带隙基准源,误差为±10 mV.  相似文献   

2.
介绍了一种应用于高速高精度流水线模数转换器的输出电压可调参考电压源.该参考电压源由电压产生电路和驱动电路组成,具有良好的灵活性,输出的差分参考电压的幅度差和共模电平可以通过输入基准电压和输出共模电压加以调整与控制,可以输出精度高,稳定性好的参考电压,已成功应用于14-bit 100 MS/s的流水线型模数转换器.该参考电压源采用SMIC 0.18μm 1P6M CMOS工艺实现,版图面积为511μm×440μm,功耗为36 mW.测试结果显示,在25.1 MHz的输入频率下,应用该参考电压源的14-bit 100 MS/s流水线ADC的信噪失真比为70.2 dB,无杂散动态范围为86.2 dB.  相似文献   

3.
基于华润上华0.5 μm混合信号标准CMOS工艺设计了一种适用于人体局域网(human body area network,BAN)前置处理电路的高性能参考电压源.通过采用正温度系数电阻与负温度系数电阻的温度互补技术,参考电压源获得非常低的温漂特性;通过采用前调整器技术,有效地提高了参考电压源输出电压的电源抑制比.仿真结果显示,在室温及4V电源电压条件下,参考电压源获得了1.3123 V的输出参考电压;当温度在-20-120℃变化时,参考电压源输出电压的温度系数仅为6.0 ppm/℃;当电源电压从3.5V变化到6V时,参考电压源的输出电压在1.312 325-1.312 365 V变化,其变化量仅为40 μV;参考电压源在1 kHz,10 kHz,100 kHz及1 MHz频率处分别获得-98.9 dB,-97.1 dB,-81.7 dB及-57.4 dB的电源抑制比.  相似文献   

4.
刘曼 《江西科学》2002,20(4):240-244
电路的一般分析方法有许多,如支路法、节点法、网孔法和回路法等。本文介绍一种利用基本电路原理-叠加定理,对有电流源与电压源串联的情况下,电路中各条支路的电流、电压、功率等参数的分析计算的方法。  相似文献   

5.
梁焰  吴玉广 《科技资讯》2007,(30):68-69
在A/D和D/A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中,都需要高精度、高稳定性的基准电压源,并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能.电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式,其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点,因而得到了广泛的应用.本文设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源,并在SMIC0.25μmCMOS工艺条件下对电路进行了模拟和仿真.  相似文献   

6.
设计实际的电流控制电压源和电压控制电压源,利用实际的电流控制电压源或电压控制电压源与实际独立电源,实现与理想电压源和理想电流源外部性质相同的电压源和电流源及电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源。  相似文献   

7.
一种新型的电压源换流器   总被引:5,自引:1,他引:4  
为了改善轻型直流输电网络的波形质量,目前电压源换流器使用较多的高频开关器件,导致成本增高,损耗加大,限制了其实际应用.提出了一种Buck型电压源换流器(BVSC),该BVSC由一组双Buck变换器和一个工频逆变桥组成,仅用2个高频开关,即可取得较好的输出波形.为了进一步解决大功率应用时的高频开关的局限性,还提出了一种新型的双频控制Buck型电压源换流器(DBVSC),DBVSC在BVSC的基础上附加了一个双Buck变换器,使原BVSC工作在高频,仅处理谐波功率,而附加的BVSC工作在低频,处理基波功率.DBVSC既可以改善换流器输出电流波形质量,又可以减小系统损耗,提高功率等级,特别适合于大功率应用.推导了基于单周控制思想的控制方程,运用简单的控制电路实现要求,通过仿真研究,证实了理论分析的正确性.  相似文献   

8.
设计了一种基于CMOS工艺的带隙基准电压源。该基准电压源采用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流,采用共源共栅电流源作为负载,具有结构简单、低温漂、高电源抑制比特性。仿真结果表明,在VDD=5 V时,该电路具有6.5×10-6V/℃的温度特性和52 dB的电源抑制比。经流片测试,其性能良好,已应用到光通信用跨阻放大器中。  相似文献   

9.
提出一种新型基准电压源,通过低阈值源跟随电路和新颖的启动电路实现输出的低压高精度.低阈值源跟随电路通过降低运放的输出阻抗减少系统增益,减少运放失调对输出电压精度的影响,同时低阈值耗尽型管的采用,降低了电源电压和基准电压间的压差,使得该结构可工作于低压系统中;启动电路通过实时监测基准输出电压,加速启动速度的同时消除输出电压过冲现象.该基准电压源已应用于一款线性稳压电源(Low dropout voltage regulator,LDO)中,并基于标准0.35μm CMOS工艺用Cadence的Spectre工具进行仿真验证.仿真结果表明:输出电压启动过程平缓无上冲,基准电压稳定输出为1.215 V@VCC≥1.5 V,静态电流为9 uA@6 V;在-40℃~100℃下,温度系数为26 ppm/℃,电源电压抑制比为85 dB@1 kHz;在电源电压为3 V~6 V下,线性调整率为4.57 ppm/V.  相似文献   

10.
本文根据带隙基准电压源的温度补偿的原理,设计了一个具有药剂一阶温度补偿的电路,并在此基础上提出了一种二阶温度补偿的方法,设计出一个低温度系数的基准电压源,对此进行Hspice仿真,结果表明其温度系数小于5ppm/℃。  相似文献   

11.
高频负倍压电路的设计与分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
应用了高频逆变和对电容并联充电、串联放电的电压举升技术,设计的高频负倍压电路能轻易地完成由正到负DC-DC升压变换,该电路具有结构简易廉价,纹波小,效率高,功率密度高等优点,具有较大的实用价值。  相似文献   

12.
介绍了Multisim 2001的功能及特点,并通过实际电路介绍了该软件中虚拟逻辑转换器、逻辑分析仪、字信号发生器在数字电路中的应用.  相似文献   

13.
一种采用带隙结构的高精度电流基准电路设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种标准CMOS工艺下的电流基准电路。电路利用带隙结构实现,使得输出电流具有良好的温度系数及电源抑制能力。在2.5V~5.5V电源电压、-40℃~125℃温度范围内,输出电流精度可达±2.6%。  相似文献   

14.
本文设计了一种低电压、低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压源。该电路基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。SPICE仿真显示,在1V的电源电压下,输出基准电压为609mV,温度系数为72ppm/℃,静态工作电流仅为1.23μA。在1-5V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74dB。该电路为全CMOS电路,不需要用到寄生PNP三极管,具有良好的CMOS工艺兼容性。  相似文献   

15.
提出了一种新的CMOS高精度带隙可编程基准电路,设计了高精度运放电路和可编程基准电流源电路结构。整个电路采用的是0.18μm标准的CMOS工艺,仿真结果表明,温度在-40~120℃范围内时,基准电压变化为3.2mV。该电路已成功应用于14位高速DAC中,所设计的DAC转换器的输出电流范围为8~32mA。在应用中可根据实际需求,通过调节改变输出电流大小。  相似文献   

16.
本文叙述了可调直流基准电压的电路原理及直接读出其输出电压值的方法。  相似文献   

17.
一种失调电压补偿电容比例型带隙基准源设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了一种全新的电容比例型带隙基准源,用电容比例取代了通常的电阻比例,有效地减小了电路设计误差以及电路的功耗,理论失调电压可获补偿.电路采用Cadence Spectre软件仿真,Charter 0.35μm CMOS工艺库实现.仿真结果表明,该电路具有极低的电路功耗(8μW),其直流电源抑制比PSRR达到50 dB,温度系数为3×10-5V/℃.  相似文献   

18.
设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺。实现了一阶温度补偿,具有良好的电源抑制比。测试结果表明,在1.5 V电源电压下,电源抑制比为47 dB,在0~80℃的温度范围内,输出电压变化率为0.269%,功耗为0.22 mW,芯片核面积为0.057 mm2。  相似文献   

19.
一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用0.5μm标准的CMOS数字工艺,设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源.其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区,可使电路使用非低压制造工艺,在1.5 V的低电源电压下工作.该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的特点.模拟结果表明,其电源抑制比可达到88 db,在-40~140℃的范围内温度系数可达到1.9×10-5/℃,电路总功耗为37.627 5 μW.  相似文献   

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