掺氮热氧化硅工艺的研究

本文介绍一种在氮、氧混合气氛下对硅器件的高温氧化扩散工艺。它用于NPN或PNP晶体管以及双极型集成电路的制造,对减少热氧化诱生堆垛层错的密度和大小是行之有效的方法。     

比较逻辑的研究

本文引入几种比较运算,并讨论了它们的表示、有关性质及其在处理逻辑函数中的应用。此外,还提出了使用晶体管的比较逻辑门及通用比较逻辑门的设计。作者认为,由于比较运算揭示了电路中开关元件的作用实质,因此,充分利用晶体管功能的比较逻辑单元,可在数字集成电路的设计中得到应用。     

硅器件晶片的红外吸收研究

用红外吸收光谱法对硅器件晶片的金属杂质玷污问题,热氧化SiO2膜的质量状况和注氮SOI样品的结构进行分析,得到了有助于优选晶片及其与工艺有关的信息。检测方法是非破坏性的,适合硅材料与器件生产厂用于有关工艺的质量控制。     

硅中电离杂质的扩散问题

采用“电解水氧化显微法”,以大约270埃的精度检测了硼、磷杂质通过掩膜窗口在硅中扩散的纵向和横向的深度。讨论了杂质在硅中电离扩散的理论问题,在双扩散工艺的基础上,提出了新生表面层原子的氧化模型,同时给出了显微考证的实验照片。     

硅一体化薄膜微电极电化学传感器件的稳定性研究

研究讨论了硅一体化微机械结构型薄膜微电极电化学传感器件的稳定性及其相关的电化学问题．以电流型ＣＯ２薄膜微电极传感器件为例，通过改进器件构型设计，发展稳定的Ａｇ＋／Ａｇ参比电极取代常规的Ａｇ／ＡｇＣｌ电极，及在硅微机械加工工艺上作相应的变动，使器件中的电化学串音减至最小并得到有效的控制，器件长期稳定性和使用寿命有了大的改善     

磁场对晶体管特性参数的影响

本文用JT-1型晶体管特性图示仪和晶体管直流静态测试法,观测了磁场对晶体管特性参数的影响。结果表明:磁场对晶体管某些特性参数确有影响,但对于不同类型的晶体管,影响的程度不同。此外,文中推导出了集电极电流的变化量△I_c与磁场B之间的关系式。     

基于多β晶体管的三值全功能触发器及其应用

本文在分析多β晶体管工作原理的基础上,提出了利用多β晶体管结合ECL构成三值开关,并以此为基础设计了三值D型锁存器和三值主从型D触发器．本文还设计了三值全功能触发器,并讨论了三值全功能触发器的逻辑功能及其激励函数,最后应用全功能触发器对时序电路的实例进行了设计,实例设计表明应用该触发器可以简化电路结构,提高电路的工作速度．     

基于多β 晶体管的高速电子模拟开关

本文在分析双极型模拟开关和多β 晶体管工作特性的基础上, 利用多β 晶体管工作在线性放大区、工 作速度高、射极输入射极输出结构等优点, 设计了基于多β 晶体管的高速电子模拟开关.计算机模拟表明, 该模拟开关不仅具有结构简单, 导通阻抗小, 而且速度极高.本文还通过多路复用器设计, 显示了该模拟开关的射极输入射极输出特性使有关电路设计变得简单容易.     

热氧化硅内表面薄层的显微观测

采用“磨角—干涉仪法”对热氧化硅的表面进行了显微观测,发现在si—sio2界面附近硅一侧的内表面存在着氧的扩散层,厚度在1,000—2,000埃之间。对于影响表面薄层的工艺因素作了实验性的检测。文中附有实验照片。     

硅——二氧化硅界面电气特性及其对器件性能的影响

在硅——二氧化硅之间有个过渡层,过渡层中存在着界面态和固定电荷,它们能影响晶体管和集成电路的性能。本文简单介绍了界面态和固定电荷的特性,以及它们如何影响器件性能的。同时也介绍了控制界面态密度和固定电荷密度的一些方法。这些方法能有效地提高半导体器件的性能。     

一类局部射影平坦的广义(α, β)-度量

作为著名Hilbert第四问题的正则性情况, 局部射影平坦Finsler度量的研究一直是Finsler几何中的重要问题. 文中主要讨论一类多项式类型的广义-度量, 并得到了此类度量是局部射影平坦度量的等价条件, 以及利用此等价条件构造了一些新的非闵可夫斯基的局部射影平坦的广义-度量     

对半导体杂质沉淀无损检测的若干结果

用XCD-H红外电视测微显微镜,通过无损检测来评价半导体材料与器件工艺的质量。本文仅对材料的完整性与芯片制造工艺导致杂质沉淀的问题进行讨论。     

冻融循环下导电混凝土压阻效应的稳定性研究

以碳纤维、石墨为导电相材料, 掺入粉煤灰和硅灰制备导电混凝土, 研究了粉煤灰、硅灰的掺量对导电混凝土抗冻融性能的影响, 定义了压阻效应稳定性的指标, 探究了压阻效应稳定性随冻融循环的变化规律, 建立了导电混凝土在冻融循环下的电阻率演化模型和压阻效应稳定性模型. 研究结果表明: 在导电混凝土中加入粉煤灰、硅灰可有效提高其抗冻融能力; 当粉煤灰、硅灰总掺量相同时, 较高掺量的粉煤灰可以提升导电混凝土压阻效应的稳定性.     

利用量纲分析法进行物理问题的定性推‘理

本文提出了定性推理的一种新方法-一量纲分祈法对物现问题的有关定性推理.文中介绍了它的工作机理和实现这种方法的LISP程序QDA及部分实例.并讨论了它的应用和局限性.     

热氧化硅内表面的结构与特性

对氧离子注入硅与热氧化硅样品内表面的氧分布进行了剖面观测,两者经过磨角的光学界面类同。用二次离子质谱（SIMS）分析,发现热氧化硅内表面的氧含量高达1020/cm3数量级。经过热氧化的硅与氧注入硅的表面都清楚地显示出一种电化学染色效应。最后,讨论了氧施主界面态问题。     

新颖的人造偏振片

作者设计并制作了偏振轴呈同心圆、放射形、；悬线形以及波浪形等几种新的特殊人造偏振片.文中讨论了这些人造偏振片的设计原理.实验证明,此类人造偏振片有可能在光学信息处理、光纤通讯及立体显示等近代光学技术中,被用作特殊的方向滤波器或区域滤波器以及编码器等     

酸处理多孔硅高效发光性能

在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous Silicon)样片，同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理。通过荧光分光光度计测试并比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱，结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。另外，本文还对多孔硅以及HNO3处理的多孔硅的发光稳定性作了对比研究和探讨。     

三输入高性能AND/XOR复合门电路设计

针对现有"与/异或"(AND/XOR)复合门级联设计电路存在功耗大、延时长等不足,提出一种基于晶体管级的三输入AND/XOR复合门电路结构.通过采用多轨结构、缩短传输路径以及混合CMOS逻辑设计方法,克服了原有电路中单一逻辑和单轨结构信号路径长的不足,进而提高了电路性能.在55nm的CMOS技术工艺和PTM多种工艺下,经过HSPICE模拟和Cadence提取版图的后仿真,显示所设计的电路具有正确的逻辑功能,相较于采用门电路级联而成的AND/XOR电路,本电路在不同负载、频率和PVT组合等情况下的延时、功耗和功耗延迟积(PDP)都得到了明显改善.     

基于阈算术代数系统的ECL触发器设计#br# #br# 基于阈算术代数系统的ECL触发器设计

针对ECL触发器设计中存在电路结构复杂、设计过程繁琐等不足,在分析ECL电路特点和阈算术代数系统的基础上,设计出一种ECL算术运算单元电路,进而提出了基于阈算术代数系统的ECL触发器的设计方法,具体设计了ECL二值主从型D触发器、ECL三值D锁存器以及ECL三值T触发器置数单元.采用TSMC 0.18 μm工艺参数对所设计的电路进行HSPICE模拟,结果显示,所设计的电路具有正确的逻辑功能和良好的瞬态特性,验证了本方法的正确性.与以往的ECL触发器电路相比,本方法设计的ECL触发器电路结构有所简化,运用和图方法,使得设计更加简单、直观有效.特别是在较复杂电路设计时,本方法更显优势,电路结构更为简单,所用晶体管数量更少.     

基于阈算术代数系统的ECL触发器设计

针对ECL触发器设计中存在电路结构复杂、设计过程繁琐等不足,在分析ECL电路特点和阈算术代数系统的基础上,设计出一种ECL算术运算单元电路,进而提出了基于阈算术代数系统的ECL触发器的设计方法,具体设计了ECL二值主从型D触发器、ECL三值D锁存器以及ECL三值T触发器置数单元.采用TSMC 0.18μm工艺参数对所设计的电路进行HSPICE模拟,结果显示,所设计的电路具有正确的逻辑功能和良好的瞬态特性,验证了本方法的正确性.与以往的ECL触发器电路相比,本方法设计的ECL触发器电路结构有所简化,运用和图方法,使得设计更加简单、直观有效.特别是在较复杂电路设计时,本方法更显优势,电路结构更为简单,所用晶体管数量更少.