金属超微粒子-半导体薄膜的光学瞬态响应

利用飞秒脉冲激光和泵浦 探测技术测量了金属超微粒子 半导体复合薄膜Ａｇ-ＢａＯ的瞬态光学透过率随延迟时间的变化曲线，观察到了薄膜对光的吸收漂白现象，并在不到２ｐｓ时间内恢复．该现象是薄膜中金属超微粒子内费密能级附近电子被飞秒激光脉冲激发，产生非平衡电子而经历瞬态弛豫造成的．弛豫主要包括非平衡电子越过超微粒子和周围介质的界面位垒进入周围介质，以及非平衡电子同晶格和界面的散射两种过程．超微粒子粒径的差别会引起非平衡电子弛豫时间的差别 关键词：     

金属超微粒子-介质复合薄膜(Ag-BaO)的光吸收特性

测量了真空热蒸发沉积法制备的贵金属Ａｇ超微粒子－介质（ＢａＯ）复合薄膜近紫外到可见的吸收光谱。这种薄膜的透射电镜显微像表明，Ａｇ在介质中形成了较均匀的超微粒子，粒径为１５ｎｍ。观察到吸收谱在４１０ｎｍ处有明显的等离子激元共振吸收峰，这是电偶极振荡的吸收。与以往文献的结果做了比较，讨论了吸收光谱对金属微粒尺寸的依赖关系。     

超微粒子的多重孪晶结构

超微粒子（粒子半径几十一几千Ａ）具有和通常物质不同的许多重要性质．从晶体学角度看，最有趣的例子之一是具有五次对称性的多重孪晶粒子，而这在通常晶体学中是没有的．本文介绍多重孪昌粒子的结构及有关实验事实．     

超微粒子物理

本文总结了近期来超微粒子技术和物理的发展概况．描述了量子尺寸效应对超微粒子体系的物理特性的影响，并简明地叙述了超微粒子的制造技术、超微粒子结构、晶格动力学的特点以及超微粒子的各种物理特性．     

CdS半导体超微粒子的光学性质

本文研究了水溶胶中的CdS半导体超微粒子和有机溶胶中的粒子表面被有机分子化学修饰的CdS超微粒子的光学性质.我们观察到,当粒子尺寸小于5nm时,CdS超微粒子表现出明显的尺寸量子化效应,并指出CdS超微粒子的表面修饰,增强了它们的发光强度,显著地影响了它们的光学性质。     

表面修饰的TiO2半导体超微粒子的光学性质

本文研究了表面修饰的TiO2半导体超微粒子的光学性质,指出TiO2半导体超微粒子表面与其表面修饰的有机分子之间的强化学健作用,明显地改变了半导体超微粒子的光学性质,在其带隙间形成了新的表面态能级(2.22eV).     

BiI3层状半导体超微粒子的光学性质

本文研究了BiI3半导体溶胶的光学性质.进一步证实,在BiI3胶体样品中,真实的BiI3半导体微晶粒予的吸收被强的I3-离子吸收掩盖了.通过测量激发光谱,确定了BiI3微晶的吸收位置.用光谱数据计算得到的尺寸分布与电镜结果和理论分析符合得很好.得到的结果表明,BiI3胶体中的BiI3微晶与体材料相比。存在着显著的量子尺寸效应.     

稀释磁性半导体Zn1—xFexSe薄膜的光学特性

用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn_(1-x)Fe_xSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能隙E_g随着Fe~(2+)成分x增加而线性减小,用线性回归法拟合得其关系.E_g=2.722-2.2x(eV).     

镶嵌于基质中的金属超微粒子特性研究(Ⅰ)——超微粒子的量子阱点模型

提出超微粒子(UFP)的量子阱点模型。模型假定UFP的主要特性由其非定域电子(简称电子)决定,电子被束缚在三维有限深势阱内。电子的行为由二部分组成:单电子的和集体化的。电子能谱主要由单电子行为决定。模型反映了UFP的一些重要特性,例如块体材料逸出功,UFP原子半径和第一电离能,而忽略UFP更精细的结构。这种近似被证明是合理的。一系列有用的公式和预言被导出。(1)主要的UFP特性,量子尺寸效应和电子能谱的壳层结构。(2)UFP的逸出功和费密能级公式,这对于其他模型是困难的。导出的UFP逸出功随尺寸变化的公式 关键词：     

SnO2纳米粒子膜的性质和结构研究

用胶体化学法制得的ＳｎＯ２的水溶胶在其与空气的界面上能自发形成一层固态膜，将陈化不同时间的界面膜转移出来，采用紫外－可见光谱、Ｘ光电子能谱、椭圆偏振、ＴＥＭ以及ＡＦＭ等手段进行了表征。结果发现：界面膜有一个从无到有、达到稳定的过程，稳定时膜厚约为２０ｎｍ；采取垂直方式转移出来的膜质量较好，致密、粒子分布均匀、团聚程度小；膜中ＳｎＯ２纳米粒子是非化学计量比的，存在大量氧空位，随膜在空气中放置时间的增     

射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性

采用射频（RF）反应磁控溅射法在n-Si(001)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的（002）衍射峰，表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。     

非晶半导体薄膜最新进展

介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展太平和制膜技术、制膜设备的研究现状。     

半导体薄膜在航天器上的应用

本文简述了在控制航天器表面充电状态中,若干种半导体薄膜的应用,讨论了应用平面磁控反应溅射方法制备氧化铟和氧化铟锡薄膜的工艺,对其透光性与制备时的气氛条件及膜厚的关系也作了说明。     

非破坏性研究半导体材料特性参数

测量了元素和化合物半导体单晶材料的常温、低温下的表面光电压,推导了有关计算公式,计算得出材料的少子扩散长度、深能级和表面能级位置,禁带宽度和化合物组分;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级的关系,计算了深能级浓度和参数;计算结果与其他方法的测量实验值基本一致. 关键词：     

Ag-BaO薄膜在电场作用下的可见——近红外波段光学吸收特性

对超额Ba激活的Ag-BaO复合薄膜在外加垂直表面电场作用下的光学吸收特性进行了测量.结果显示,薄膜在可见—近红外光波段存在两个吸收峰,其中近红外光区的吸收峰强度随垂直表面电场的作用而降低.理论分析表明,可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag超微粒子的表面等离激元共振吸收;近红外光区的次吸收峰则由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起,杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关.在外加垂直表面电场作用下,BaO基质中的杂质发生电离,并导致杂质能级上束缚电子浓度减小,表现为薄膜在与杂质 关键词： 光吸收 金属超微粒子半导体复合薄膜 表面等离激元 杂质能级     

PbS半导体超微粒子的量子尺寸效应和光学性质

本文研究了PbS半导体超微粒子的量子尺寸效应和光学性质以及它们周围介电环境对其光学性质的影响,发现表面修饰有效地减少粒子表面缺陷,增加它们的发光强度。利用紧束缚模型,讨论了实验结果。     

热处理对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响

通过射频磁控溅射在氧化硅片表面沉积ZnO/Au薄膜,并通过不同的热处理方式对薄膜进行退火。为了研究退火对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响,采用X射线衍射分析（XRD）、光学显微镜、场发射扫面电镜（FESEM）和压电力分析仪对薄膜退火前后的材料特性进行了分析。研究发现,热处理能够改善ZnO/Au薄膜的结晶质量。特别是在氮气保护氛围下慢速退火后,薄膜结晶质量有明显改善。但是,热处理导致了薄膜的压电系数d33和d31降低。分析认为,热处理过程中Au原子在ZnO中的易迁移特性破坏了ZnO/Au薄膜的压电性能。     

热处理对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响

通过射频磁控溅射在氧化硅片表面沉积ZnO/Au薄膜,并通过不同的热处理方式对薄膜进行退火。为了研究退火对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响,采用X射线衍射分析（XRD）、光学显微镜、场发射扫面电镜（FESEM）和压电力分析仪对薄膜退火前后的材料特性进行了分析。研究发现,热处理能够改善ZnO/Au薄膜的结晶质量。特别是在氮气保护氛围下慢速退火后,薄膜结晶质量有明显改善。但是,热处理导致了薄膜的压电系数d33和d31降低。分析认为,热处理过程中Au原子在ZnO中的易迁移特性破坏了ZnO/Au薄膜的压电性能。     

非晶态硒化镉薄膜瞬态光电特性

本文报道用真空热蒸发法淀积的非晶态硒化镉薄膜作光敏介质制备超快光电导探测器。用对撞脉冲锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲序列对探测器的响应时间进行检测,结果表明a-CdSe薄膜对皮秒(10^-12秒)级的超短光脉冲作用具有良好的瞬态响应光电特性,探讨a-CdSe薄膜快速弛豫过程的内在机理。