共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
Si1—xGex/Si脊形波导X型分支器的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
采用分子束外延方法制作低损耗Si1-xGe/Si异质结脊形光波导,在X型交叉波导上实现了Si1-xGex/Si光分支器的功能,设计中采用了SiGe大截面脊形波导的单模条件和交波导传输特性分析的结果。X型光分支器的实现为进下Si1-xGex/Si光开关和光电调制器积累了经验。 相似文献
3.
1.55μmSi1—xGex光波导在Si1—xGex/Si多量子阱探测器集成的优… 总被引:2,自引:1,他引:1
对1。55μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGex/Si多量子阱红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)对Si1-xGex光波导,Ge含量x=0.05,脊宽,高和腐蚀深度分别为8,3和2.6μm,2)对SI1-xGex/Si多量子阱红外探测器,Ge含量x=0.5,探测器由厚度为550nm,23个周期的6nmSi0.5GE0.5+18nmSi组成,长度约2mm。 相似文献
4.
GexSi1—x/Si应变超晶格雪崩光电探测器的分析与优化设计 总被引:1,自引:1,他引:0
对GexSi1-x/Si应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计,优化结构为:i-Si雪崩区厚是1.8~2μm;p-Si区的掺杂浓度是10^18cm^-3厚为17nm超晶格总厚为340nm,它可探测1.3~1.6μm的红外光。 相似文献
5.
6.
SiGe/Si应变层超晶格的结构和光散射特性 总被引:1,自引:1,他引:0
SiGe/Si应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下,原子互扩散导致异质界面展宽;同时,由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明,利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。(1)我们首先把界面陡峭超晶格中折叠纵声学(FLA)声子的色散关系和散射强度的理论计算推广到界面展宽的情形。然后,我们分析了测量得到的在不同温度下退火的超晶格样品的FLA声子散射谱。通过测量谱和计算结果的比较,得到了不同退火温度下异质界面的展宽或扩散长度。我们也从理论上证实并且在实验上观察到:LFA声子在超晶格布里渊区边界的能带分裂随异质界面的展宽而减小。(2)我们定量地分析了SiGe/Si超晶格中光学声子的散射谱随退火温度的变化。考虑到原子互扩散引起的合金组份变化以及应变弛豫两大因素,我们发现,对上述合金型SiGe/Si超晶格,在800℃下退火10分钟,超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽是非常严重的。相比之下,晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关。对较低温度(400℃)下生长的超晶格,晶格弛豫量并不大,仅为16%。这一结果也得到了X-射线衍射谱的支持。(3)我们讨论了与SiGe/Si应变层超晶格的结 相似文献
7.
对1.55μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGex/Si多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)对Si1-xGex光波导,Ge含量x=0.05,脊宽、高和腐蚀深度分别为8、3和2.6μm;2)对Si1-xGex/Si多量子阱红外探测器,Ge含量x=0.5,探测器由厚度为550nm、23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成,长度约2mm。结果表明,这种结构器件的内量子效率可达88%。 相似文献
8.
9.
本文计算了应变Si1-xGex层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度.首次用解析的方法研究了它们与Ge组份x和温度T的依赖关系.我们发现,随Ge组份x的增加,由于Si1-xGex层中应力的影响,导带和价带有效态密度随之快速减少,而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加.而且,温度T越低,导带和价带有效态密度随Ge组份x的增加而减少得越快,而本征载流子浓度上升得越快.同时,我们还发现,具有大Ge组份x的应变Si1-xGex层,其用Si的相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积与温度T的依赖关系弱,而具有小Ge组份x的应变Si1-xGex层,上述归一化参数与温度T的依赖关系强,这和目前仅有的文献[8]中它们于温度依赖关系的定性研究结果相一致.本文得到的定量结果对探索应变SiGe层的物理性质、对应变SiGe层基器件的设计、模拟及对低温SiGe器件物理的理解有重要意义. 相似文献
10.
Si/Ge应变层超晶格的椭偏光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Si/Ge应变超晶格除了具有明显的E1和E2带间跃迁外,还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰,其能量分别位于2.3~3.0eV和3.3~4.0eV范围内 相似文献
11.
本计算了应变Si1-xGex层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。首次用解析的方法研究了它们与Ge组份x和温度T的依赖关系。我们发现,随Ge组份x的增加,由于Si1-xGex层中应力的影响,导带和价带有效态密度随之快速减少,而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加。而且,温度T越低,导带和价带有效态密度随Ge组份x的增加而减少得越快,而本征载流子浓度上升得越快。同时,我们还发现,具有大Ge组 相似文献
12.
提出一种简便可行的GexSi1-x异质结无间向耦合光开关(BOA型-Bifurcatin OpticalActive)。该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关学调制查理;采用异质结超注原理分析了开关的电学性质,并根据曲单模脊形波导理论和上述,设计了利用双模干涉机制工作的Ge0.05Si0.95/Si异质结BOA型光开并的结构参数和电学参数。 相似文献
13.
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16),超晶格结构,用X射线衍射和低温光致发光(PL)对其结构,应变分布以及光学性能进行了研究,结果表明,2K温度下,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格的光致发光中主发光峰对应于ZnSe阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中,当超晶 相似文献
14.
本文通过Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体超晶格ZnSe/Zn1-xMnxSe的光致发光谱的测量,对其应力效应进行了讨论。样品的组分x=0.2,0.3,0.4,测量温度为T=11 ̄300K。结果表明:由于应力效应,ZnSe/Zn1-xMnxSe超晶格中的激子能量随x值增加而发生红移。在相同组分下,不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化,从而影响超晶格中激子能量。实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度 相似文献
15.
16.
17.
18.
19.
硅基波导与GeSi/Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
用分子束外延法将GeSi/Si超晶格结构生长在n^+/n Si材料上,先后用反应离子刻蚀法形成探测器波志和硅脊波导,经适当工艺实现硅波导与PIN探测器之间的光电集成,5V偏压下PIN控制器的最小暗电流为0.8μA,最大光响应电流为2.7μA,最大总量子效率为14%,工作波长为λ=1.3μm。 相似文献
20.
硅—二氧化硅超晶格:探索硅基发光材料的一条新途径 总被引:4,自引:0,他引:4
理论上认为,由于Si/SiO2超晶格中硅层(阱层)的电子和空穴都受到极强的量子限制效应,硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙,从而发光效率大大提高.实验上,在非晶Si/SiO2超晶格中观察到在可见光波段的室温光致发光和明显的量子限制效应现象.晶体Si/SiO2超晶格研究也取得了初步的结果. 相似文献