非晶硅太阳能电池

 能源是人类生存不可缺少的重要资源。随着世界人口爆涨,能量消耗急骤增长,人们为了求得生存和发展,都在竭尽全力开发现有的常规能源（煤、石油、天然气等）,同时也不断寻找新型能源。     

非晶硅电致发光机理及用电致发光谱研究太阳能电池本征层中的缺陷态能量分布

用弥散性输运控制的复合机理完善地解释了非晶硅p-i-n二极管电致发光谱的特征,从而澄清了许多年来对电致发光效率及峰值的误解．描述了用电致发光谱术研究非晶硅p-i-n太阳能电池本征层中局域态的实验方法．结果表明：采用H₂稀释方法制备的样品,其缺陷态能量分布呈单一窄峰;而用纯硅烷制备的样品其缺陷态能量分布较宽,且呈双峰． 关键词：     

有机太阳能电池的工作原理及应用前景展望

有机太阳能电池的制备工艺简单、能耗少、柔性可卷曲、制造成本较低,具有广阔的应用前景,因此对有机太阳能电池研究,一直是国际上的学术热点.本文从有机太阳能电池的结构、工作原理、应用前景展望等方面对有机太阳能电池进行了简要的介绍,希望对物理同仁、中学生了解前沿科技有所帮助.     

稳定的转换效率：非晶硅太阳电池的新课题

从１９７６年开始，非晶硅太阳电池有了惊人飞速的发展。但是至今它的严重的光致衰退一直妨碍着它的实际应用．本文首先回顾了非晶硅太阳电池的发展历史，提出了妨碍非晶硅电池发展的关键问题──稳定效率问题，介绍了提高稳定效率的措施，同时介绍了ＣｕｌｎＳｅ＿２／ＣｄＳ太阳电池等新型电池．     

新型薄膜电子材料——氢化非晶硅

 当今最重要的电子材料是半导体单晶硅,用它不但可制做各种二极管、三极管还可将成千上万个元件集成在一个小硅片上.从大型计算机到家用电器、儿童玩具,其核心部分都是用单晶硅做的集成电路.市场上需求多少半导体集成电路已经成为一个国家现代化水平的标志.单晶硅器件技术的发展一方面是不断提高单位芯片上的元件集成度,另一方面是向薄膜器件的新领域开拓.特别是在七十年代分子束外延技术出现以后,制做原子尺度的单晶薄膜已成现实.     

异质结及其技术在新型硅基太阳能电池中的应用

文章综述了异质结及其技术在新型硅基太阳能电池中的应用.从太阳能电池特性角度,点评了其在晶体硅、非晶硅薄膜太阳能电池及新结构太阳能电池应用中的研究热点和研究现状.在此基础上,讨论了其在不断与晶体硅、薄膜硅太阳能电池融合中的发展动态.     

异质结及其技术在新型硅基太阳能电池中的应用

文章综述了异质结及其技术在新型硅基太阳能电池中的应用.从太阳能电池特性角度,点评了其在晶体硅、非晶硅薄膜太阳能电池及新结构太阳能电池应用中的研究热点和研究现状.在此基础上,讨论了其在不断与晶体硅、薄膜硅太阳能电池融合中的发展动态.     

太阳能电池简析

探讨了其他能源无法比拟的太阳能电池的原理、表征参量、当今的几种太阳能电池、产业现状及其发电应用前景。     

电磁炉工作原理及使用

电磁炉是应用电磁感应原理进行加热工作的，是现代家庭烹饪食物的先进电子炊具、它使用起来非常方便，可用来进行煮、炸、煎、蒸、炒等各种烹调操作．特点是效率高、体积小、重量轻、噪音小、省电节能、不污染环境、安全卫生，烹饪时加热均匀，能较好地保持食物的色、香、味和营养素，是实现厨房现代化不可缺少的新型电子炊具．     

非晶硅半导体及其在传感技术中的应用

叙述了非晶硅半导体的结构、制备方法及特性，介绍了非晶硅在制作光电传感器、色敏传咸器、放射线（Ｘ射线等）传感器及应变传感器等方面的应用。并介绍了这些传感器的大致结构、输出特性及有关的应用．     

太阳能电池

 人类的生存和发展正面临着能源的挑战,开发新能源是一项迫切的任务。我国的可持续发展也离不开能源的保障。新的能源不但要能提供大的能量,而且还要顾及节约成本、保护环境等问题。开发和利用太阳能,优势是显而易见的。一般来说,利用太阳能可以从两个方面着手,一是将太阳能转变为热能;二是直接把它转变成电能。这里我们将谈谈后者。聊聊太阳能电池的过去、现在,并初步展示一下它的未来。从国外的一些发展情况,或许能获得某些借鉴。一、半导体的光伏效应太阳能电池的工作原理当表面蒸发一层透光金属薄膜的半导体薄片被光照射时,在它的另一侧和金属膜之间将产生一定的电压,这种现象称为光生伏特效应,简称光伏效应     

氢化非晶硅叠层薄膜对单晶硅表面钝化研究

采用等离子体增强化学气相沉积法生长的单层本征氢化非晶硅薄膜对单晶硅片进行钝化,结果表明增加氢稀释比有利于减少薄膜中的缺陷,增强钝化效果,过量的氢稀释比会导致非晶硅在硅片表面的外延晶化生长,降低钝化效果。退火导致非晶硅晶化程度增加,降低了钝化效果,同时退火提升了薄膜的质量,改变了H键合方式,增强了钝化效果。因此,单层氢化非晶硅只有在合适的氢稀释比和退火温度才可以获得最佳钝化效果。为了提高非晶硅薄膜对硅片的钝化效果,采用具有高低氢稀释比的叠层本征非晶硅薄膜对硅片进行钝化。因此将高氢稀释比沉积的非晶硅薄膜叠层生长于低氢稀释比的薄膜之上,避免非晶硅在硅片表面的外延生长。在退火过程中,高氢稀释比薄膜中的氢扩散到低氢稀释比薄膜中,有效地钝化了非晶硅中和单晶硅表面的悬挂键,改善了非晶硅/硅片的界面质量,叠层钝化后硅片的少子寿命为7.36 ms,隐含开路电压为732 mV。     

太阳能电池材料缺陷的理论与计算研究

缺陷调控是影响半导体太阳能电池光电转换效率的关键因素.缺陷与掺杂直接决定半导体中载流子的类型、浓度、传输以及光生载流子的非辐射复合.真实半导体中存在的缺陷种类繁多,浓度各异,使得缺陷,特别是单个点缺陷性质的实验表征非常困难,因而理论与计算在缺陷研究中起到了重要的作用.本文首先介绍了基于第一性原理的缺陷计算方法,然后以典型太阳能电池材料CdTe, Cu(In, Ga)Se2, Cu2ZnSnS(Se)4和CH3NH3PbI3为例,详细介绍了如何从理论计算角度认识和调控太阳能电池材料的缺陷性质.     

照相机的工作原理和眼睛

一架复杂的照相机可以用一个简单的示意图来表示(见图 ) ,它包括有机体、镜头和快门几个部分 .照相机工作时 :镜头把摄景物成像在胶片位置上 ,通过控制快门的开闭 ,胶片即被暴光而形成潜影 ,从而完成了一次拍照动作 .已暴光的胶片经过冲冼 ,便显现出被摄景物的影象 .所以照相机     

传真机的工作原理

本文简要介绍传真的基本过程，着重简要介绍送和接收的工作原理。     

非晶硅薄膜晶体管沟道中阈值电压及温度的分布

基于氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)沟道中陷阱态的双指数分布, 区分了带尾陷阱态和深能级陷阱态的特征温度.利用源端、漏端串联电阻及沟道电阻, 将源端和漏端特征长度与有源层接触长度、SiO₂/氢化非晶硅 (a-Si:H)界面陷阱态及a-Si:H薄膜内陷阱态联系起来. 由串联电阻上电流密度相等解出沟道势. 通过泊松方程和高斯定理 得出a-Si:H TFT沟道各点的阈值电压表达式, 结果表明 沟道中某一点的阈值电压随着该点与源端距离的增大而减小. 在此基础上, 研究了自加热效应引起沟道各点温度的变化, 结果显示a-Si:H TFT在自加热效应下, 从源端到漏端各点温度变化先增大后减小, 沟道中心的温度变化最大.     

氧化镍在倒置平面钙钛矿太阳能电池中的应用进展

近年来有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells,PSCs)因具有光电转换效率高、制备工艺简单等优点而受到广泛关注.空穴传输层(hole transport layer,HTL)的选择及其优化对器件的性能至关重要.氧化镍(NiOx)HTL具有化学稳定性好、空穴迁移率高、制备方法简单等特...     

新型太阳能电池——染料敏化太阳能电池研制进展

能源问题是当今世界各国共同面临的严重问题;寻求低污染、可持续使用绿色能源是世界各国科学家共同关注的问题.太阳能不仅是地球几十亿年来,推动自然界种种演化的基本动力,也是当今人类实现可持续发展最可靠的能源,但是长期以来人们仅仅靠太阳自然照射状态下,通过植物吸收、风云雨雪变化利用太阳能,物理学的发展,尤其是半导体材料的创造,开创了人类用科技手段进行太阳能发电的道路.