GaAsMESFET中的分布效应

<正> 一、引言功率放大器最好采用宽栅 FET。然而,栅宽方向上电场的非均匀性限制了栅的宽度。在这个条件下,MESFET 可视为一个分布器件,即为一个有源传输线,其中源-栅-漏线路联接如图1所示。比较 MESFET(栅宽度窄)的分立和集总模型看出,由于射频电阻引起的损耗以及驻波引起的失配损耗,宽栅分布模型将引入额外的传导损耗,这两者是传输线的特性。FuKuta 等采用粗糙模型曾研究过这个问题,其中仅考虑无源元件而忽略了器件的跨导。Kohn 和 Landauer 在考虑分布器件效应时研究过这个问题,但忽略了耦合线电,这些     

GaAsMESFET的电容模型

我们提出GaAsMESFET小信号电容的一种新的分析模型。由于考虑了非均匀掺杂分布的影响,故此模型可以用于外延生长的FET以及离子注入的FET。我们还考虑了背栅、覆盖层、导电沟道的速度饱和以及栅下漏一侧沟道中可能形成的耿畴。模型解释了GaAs微波FET的栅-源和栅-漏电容的电压依赖关系,而且与实验结果符合很好。这个分析模型很适于GaAs微波FET和集成电路的计算机辅助设计。     

GaAsMESFET漏极雪崩击穿

采用双载流子模型的二维(2D)数字计算模拟了GaAsMESFET的雪崩击穿。模拟中包括了由碰撞电离而产生的电子-空穴对,而且还采用了GaAs表面耗尽层的简单模型。本文论证了栅偏置与击穿电压的关系,说明了表面耗尽层、漏到栅间距和漏接触下n~+层对击穿电压的影响,现已弄清表面耗尽层对栅偏置与击穿电压关系有明显的影响。根据半绝缘衬底的电导率调制解释了击穿机理。     

GaAsMESFET 的低频优值

本文通过对 GaAsMESFET 直流特性的理论分析,提出一个能起衡量 GaAsMESFET 微波特性作用的低频优值。并借助电子计算机,计算了各种栅长下的低频优值,以及它们与栅偏压的函数关系,确定出低频优值与沟道参数的关系,明确了提高低频优值的途径,最后论证了低频优值与微波特性(特别是噪声系数)的相关性。     

GaAsMESFET小讯号等效电路参数提取

讨论了一种提取ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ小讯号等效电路参数的方法，本方法可直接决定外部和本征小讯号参数。所得到的等效电路的Ｓ参数计算值与测量值基本吻合。     

GaAsMESFET和DHEMT的中子辐射效应研究

本文介绍了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数Ｎ＿Ｄ、Ｎ＿ｓ、Ｖ＿ｓ，μ和电参数Ｉ＿ＤＳ、ｇ＿ｍ、Ｖ＿ｐ、Ｇ等。     

双栅GaAsMESFET串联电阻的测量方法

本文在单栅GaAsMESFET串联电阻测量方法的基础之上,对双栅GaAsMESFET的串联电阻进行了分析,推导出双栅GaAsMESFET串联电阻的数学解析式,并给出了测量串联电阻的方法,用它对实际器件做了测量。     

大功率GaAsMESFET非线性模型的选择

对Curtic准静态、Materka、Statz以及修正Curtic－Rodriguez四种非线性模型进行比较，通过分析各种模型DC、CV、RF特性，发现修正的Curtic-Rodriguez模型精度最好，适用的偏置范围最宽，是大功率MESFET非线性模型的理想选择。     

GaAsMESFET在抗辐射领域的应用

详细论述了多种辐照源辐射ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件和电路产生的ＳＥＵ（单粒子翻转 ）效应，辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子不等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生ＳＥＵ的过程和机制。研究表明：１）在低温生长ＧａＡｓ阻支的ＭＥＳＦＥＴ电路，有较强的抗ＳＥＵ能力；２）在ＭＥＳＦＥＴ中，产生ＳＥＵ的原因在于辐射导致了漏极收集电荷的增加，而且，电荷惧增强机制扔三种：ａ）背沟道导通机制，ｂ）双极增益机制；ｃ０     

离子注入平面型双栅GaAsMESFET

<正> 一、引言对于低噪声和功率应用的微波 FET 来说,已经公认 GaAs 是一种优良的半导体材料。由于它具有高的电子迁移率、高的电子峰值漂移速度以及适宜的半绝缘衬底,它理想地适于 MESFET。已应用具有一对合金欧姆接触和亚微米长度的肖特基势垒栅,以使截止频率达50～80GHz。至今,GaAs MESFET 的研究致力于扩展高频极限,降低噪声系数以及提高增益和功率。对于完成这些目标,单栅结构是很适合的。然而,另一种变型,即双栅结构具有某些超过单栅结构的优点。由于双栅 FET 在第一栅和漏电极之间有一个第     

X波段GaAsMESFET单片功率放大器

本文利用MESFET的小信号S参数,结合大信号下S参数的一些特点,根据由计算机分析得到的S参数随器件模型中一些元件值变化的趋势,适当修正了小信号器件模型,在此基础上,设计与分析了X波段单片单级功率放大器。有源器件总栅宽为360μm,栅长为1μm。放大器在9.53GHz下获得1dB压缩功率为55mW,线性增益为6.0dB。电路芯片面积为1.8×1.8mm~2。     

栅非对称配置的GaAsMESFET击穿电压的研究

本文分析了栅非对称配置的GaAsMESFET的栅-源击穿电压和栅-漏击穿电压,给出了二者关系的简单数学表达式,由此发现了栅-漏击穿电压与器件夹断性能的关系,从实验上证明理论分析是正确的,对器件制造有一定的指导意义.     

GaAsMESFET准二维动态大信号模型

本文运用电荷控制分析方法,提出了GaAs MESFET以电荷源为基本组成元件的大信号非线性动态模型.该模型在解决了电荷不守恒问题以及DC与RF电流不一致性问题的同时,结合器件的温度特性与自升温效应,实现了GaAs MESFET的准二维大信号动态分析.     

X波段GaAsMESFET功率放大器的设计

给出了根据给定的电路拓扑结构和ＦＥＴ的Ｓ参数，借用Ｓｍｉｔｈ圆图设计思想进行放大器设计的机辅设计方法，并用该方法设计了Ｘ波段ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率放大器。实验调试结果表明运用该方法能很好地满足设计指标且简单有效。     

离子注入条件对GaAsMESFET性能的影响

本文计算了注入条件对GaAsMESFET的影响,并报道了最终可得到的器件性能。将Si、Se和Be离子注入GaAs中,就其分布的大量研究结果引进GaAsMEsFET枝术的综合工艺和器件模型中。研究了注入能量对跨导的影响,注入分布和杂质对低栅偏置跨导的影响和退火期间杂质扩散,包封层厚度和栅槽深度对阈值电压均匀性的影响,以及采用Si_3N_4和SiO_2包封注入,受撞原子对阈值电压的影响。     

GaAsMESFET源-漏烧毁的机理

本文提出了一种 GaAsMFSFET 源-漏烧毁的机理。由于局部过高的晶格温度,在缓冲层和衬底层中热激活的载流子引起了器件的失效。研究了器件的几何结构和温度对烧毁功率的影响。