LSI SandForce新技术助超极本制造商提高性能

2012年8月1日,LSI公司宣布,推出SandForce SF-2200/2100客户端闪存存储处理器(FSP)的一系列增强特性,用以满足超极本产品严格的功耗要求,并发挥闪存技术的出色性能优势。LSI闪存存储处理器可智能化地管理固态硬盘(SSD)中的闪存存储器,为快速发展的超极本细分市场提供性能和用电效率优势。最新的LSI SandForce电源管理优化技术使SSD制造商开发的驱动器能够延长电池工作时间,缩     

LSI推出可加速数据中心性能的DataBoltTM技术

LSI公司日前宣布推出DataBoltTM带宽优化技术,该技术为LSI@12Gb／sSAS解决方案提供独特的性能加速功能,使用户能够利用现有的6Gb／s驱动器设备实现12Gb／s的速度优势。云和企业数据中心对数据的爆炸性增长要求存储接口具备更高的性能,用以加强关键应用的数据快速存取能力。     

提高LSI性能的五大技术——相互竞争的几项技术的特点与利弊概述

美国《电子学》杂志刊登了以目前提高大规模集成电路性能五项技术和各公司的计划情况。五项技术分别是:短沟道 MOS(英特尔公司称之为“HMOS”)。Ⅴ型槽双扩散MOS(VMOS):平面双扩散 MOS(DMOS 或 SAMOS),兰宝石——硅(SOS),集成注入逻辑(1~2L)。本文列举了各项技术的特点及其利弊。后而各篇论文就 HMOS、VMOS、1~2L(略)分别加以论述。     

ATM技术及其对LSI的需求

异步转换模式（ATM）被誉为是实现B－ISDN的核心技术而倍受注目。本文将讨论VLSI趋势及应用VLSI技术来实现一个用于B—ISDN的ATM交换节点系统。阐述与在QOS控制、虚拟信道处理、有用参数控制和OAM下ATM转换有关的VLSI实现的概念。最后，讨论对VLSI原需求及VLSI发展所带来的未来ATM转换系统的美好展望。     

直拉硅单晶热处理及其对太阳电池性能的影响

研究了直拉头尾料P型硅单晶片在360～1 300℃范围热处理前后氧碳含量、电阻率和少子扩散长度的变化规律及其对所制成太阳电池性能的影响。已证实在最佳的热处理条件下样品含氧量减少,少子扩散长度和电池效率达到最大,比未作热处理的单晶电池效率提高0.5～2倍,为利用这类单晶提供了有效方法。对此现象用热施主与深中心相互作用的模型作了初步解释。     

高速化LSI布线技术

日本已研制成能解决因高集成度而引起信号延迟的电极布线技术。过去的 LSI 靠发展微细加工技术获得高集成度,使栅布线以及扩散层越来越薄,增大了杂质扩散层的电阻,使信号馈送时间延迟,限制了高速化的进展。新技术是用气相生长法在器件上有选择性     

LSI器件的分析技术

1 概要在LSI器件中,为了达到高可靠性水平和保证高质量,必须在深入了解器件原有的特性的同时,还要正确认识器件目前所处的环境状态,以及要预测器件在什么样的环境中使用和采取什么方法来保证其可靠性等未来情况。这就是说,正确了解器件的构成材料和制造工艺的现状是很重要的.随着器件朝着微细化、极薄型化的方向迅速发展,采用正确的分析技术以及根据产品相应的分析数据迅速作出反馈,不断改进工艺,是保证器件可靠性的重要手段。     

LSI SandForce新技术助超级本制造商加速性能

LSI公司日前宣布推出SandForce SF-2200／2100客户端闪存存储处理器（FSP）的一系列增强特性,用以满足超级本产品严格的功耗要求并发挥闪存技术的出色性能优势。     

表面活性剂对硅单晶片表面吸附颗粒的作用

提出了新抛光硅片镜面吸附动力学过程;深入研究表面活性剂的性质和作用,利用表面活性剂特性,有效地控制硅片表面颗粒处于易清洗的物理吸附状态。     

区熔硅单晶掺杂技术概述

区熔硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了较高的要求.随着电力电子器件快速发展,市场需求急剧增加,为了深入的研究并应用掺杂技术,对几种掺杂工艺进行了分析和探讨.     

300mm硅单晶的生长技术

讨论了 30 0 mm硅单晶的工艺控制 ,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提 ,热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷     

300mm硅单晶的生长技术

讨论了300mm硅单晶的工艺控制,分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提,热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷。     

碳化硅单晶切割技术研究

碳化硅单晶材料是第三代宽禁带半导体材料的代表,对电子产业的发展起到强有力的支撑。晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的加工技术下才能发挥实际效能。本文介绍了切割工艺,通过工艺实验及对实验结果的分析,确定了切割工艺参数。     

超高速HEMT LSI制作技术

介绍了用于高性能VLSI的HEMT技术现状,重点是亚微米尺寸的器件结构和HEMT LSI在超型计算机系统中的应用。制作了1.1k门总线驱动器大规模集成逻辑电路以验证室温下高速并行处理系统中(工作在10.92GFLOPS)高速数据传输。为了实现液氮温度下高时钟速率工作,还制作了最大时钟频率为1.6GHz的低温3.3k门随机数发生器大规模集成逻辑电路。采用亚微米栅和先进的材料技术,亚纳秒存取操作的HEMT64k位静态RAM和亚百皮秒逻辑延时的10k门大规模集成逻辑电路即将实现。     

超LSI时代的清洗技术

介绍亚微米工艺中清洗技术的重要性，清洗技术的现状、问题及其发展趋势以及清洗设备、片子表面洁净度测量装置的一般走势。     

下世纪初LSI技术发展动向

详细探讨了未来１５年半导体市场及半导体核心技术的发展动向。在器件尺寸小型化方面，着重需要解决１００ｎｍ的技术课题。     

下世纪初LSI技术发展动向

详细探讨了未来１５年半导体市场及半导体核心技术的发展动向。在器件尺寸小型化方面，着重需要解决１００ｎｍ的技术课题。