H9^＋团簇的体心立方结构与能量的理论计算

此文利用单电子在中心氢原子核与周围每个氢原子核之间形成单电子键的共振模型来划分通道，将改进的排列通道量子力学方法推广应用于Ｈ９＋的体心立方结构与能量的理论计算。结果发现，当中心与周围顶角问距Ｒ０＝１．９０ａ０时，总能量有一极小值－４．３０８ｈ．ａ．ｕ，表明Ｈ９＝的体心立方结构是稳定存在的。此外，Ｈ９团簇电离时体积要发生膨胀，大约膨胀到原来的１．５倍。     

用单中心球对称波函数计算H9^—团簇体心立方结构的能量曲线

选用类Ｎｅ原子解析波函数，在单中心球模型近似下，计算了Ｈ－９团簇体心立方结构的能量曲线。结果表明当中心Ｈ原子核到顶角Ｈ原子核之间的距离Ｒ＝１．６３ａ０时，体系能量有一极小值－５．３７８４ｈ．ａ．ｕ．。这表明Ｈ－９的体心立方结构是可能稳定存在的。计算结果与过去用ＭＡＣＱＭ法算得的结果基本相符，表明提出的物理模型与计算方法是合理的。     

H^＋13团簇的正二十面体中心结构与能量的理论计算

本文利用单电子在两氢原子核间的电子瞬时共振形成单电子键的物理模型来划分通道，将改进的排列通道量子力学方法推广应用于Ｈ＾＋１３的正二十面体中心结构与能量的理论计算。结果发现，当中心与周围顶角间距Ｒ０＝２．００ａ０时，总能量有一极小值－６．７０４ｈ．ａ．ｕ．表明Ｈ＾＋１３的正二十面体中心结构是稳定存在的，与实验一致。此外，Ｈ１３团簇电离时体积要发生膨胀，大约膨胀到原来的１．５倍。     

Ⅳ族FCC晶体基态结构和电子性质第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,计算了Ⅳ族元素晶体的面心立方结构和电子性质.结果表明:Ⅳ族元素晶体的面心立方结构均可存在,面心立方结构Ge晶体的结合能最大,结构最稳定;面心立方结构C、Si、Ge和Sn的晶格常数分别为0.3509nm、0.4322nm、0.4225nm、0.4903nm,不随原子序数的增加而单调增加,是由面心立方锗晶体比面心立方硅晶体中电子云交叠小,产生的排斥较弱所导致的;面心立方结构C晶体是间接能隙为6.5e V的宽禁带半导体,面心立方结构Si晶体的导带和价带存在较小的交叠而呈现出半金属性,面心立方结构Ge和Sn的电子结构相似均表现为金属性,Ⅳ族元素面心立方结构晶体的电学性质由宽禁带半导体向金属转变.     

fcc金属层错能的EAM法计算

采用嵌入原子法(EAM)计算了Cu，Ag，Au，Ni，Al，Rh，Ir，Pd，Pt和Pb等10种面心立方(fcc)金属的层错能，除Rh和Ir两种金属外，其他金属的计算结果和实验结果基本一致. 关键词： 面心立方金属 层错能 EAM     

手征介质构成的面心立方光子晶体光子带结构计算

提出通过磁场分量计算手征介质组成的光子晶体光子带结构的平面波法．计算表明：手征介质“球形原子”在介电体中排列所组成的面心立方光子晶体和介电体“球形原子”在手征介质中排列所组成的面心立方光子晶体的光子带结构，均存在截止频率，在该频率以下无传播模存在．并与由电场分量计算的结果作了比较，讨论了出现差异的原因 关键词：     

H7正八面体中心结构的能量计算

根据电子瞬时配对的平均效果形成未饱和共价健的物理模型来划分通道，采用改进和推广了的排列通道量子力学方法，本文计算了Ｈ７正八面体中心结构的能量曲线。当中心原子到正八面体顶角原子之间的距离Ｒ等于１．５２ａ０时，体系有一能量极小值－３．９１６ａ．ｕ．。     

由球形原子构成的多种周期性介电结构的光子能带计算

采用矢量平面波方法计算了由球形空气原子构成的体心立方结构和六角密堆结构的光子能带，两种结构下都看到了贯通整个布里渊区的禁带。本文预言周期性介电结构的最大折射率调制度和最大禁带宽度对应于同样的原子体积分数，而且这个最佳的原子体积分数是结构无关的。文中还计算了由各向异性介电小球构成的面心立方结构的光子能带并看到了禁带，这与各向同性介电小球构成的面心立方结构很不相同。     

用紧束缚理论研究压力对固体能带结构的影响

应用紧束缚理论,计算了体心立方结构1s能带和2s能带,讨论了外界压力对能带结构的影响.研究结果表明,压力使固体的晶格常数发生变化,导致体心立方晶格的1s和2s能带的宽度以及两带之间的禁带宽度发生变化.利用所得结果,具体计算了外界压力对锂金属能带结构的影响,在晶格常数附近,随着压力的增大,锂金属的1s和2s能带将变宽,两带之间禁带宽度将变小,理论计算结果与实验观察结果在数量级上是一致的.     

用Bergman方法计算复合介质的电势分布

从第一性原理出发,利用Bergman表示理论,推导出二元复合材料系统中电势表达式,并通过数值计算求出体心四方、体心立方、面心立方等几种周期性结构复合材料中的电势分布- 关键词：     

Co1-xMnx合金电子结构和磁性的理论研究

Ｃｏ１－ ｘ Ｍｎｘ 合金的磁性强烈地依赖于其结构以及Ｍｎ 的相对含量．从第一性原理出发,用线性缀加平面波（ＬＡＰＷ） 方法,分别计算了ｘ ＝ ０００ ,０２５ ,０５０ ,０７５ ,１００ 的情况下,面心立方（ｆｃｃ） 和体心立方（ｂｃｃ） 结构的Ｃｏ１－ ｘ Ｍｎ ｘ 合金的电子结构和基态磁性．随ｘ 的增大,ｆｃｃ 结构的Ｃｏ１－ ｘＭｎ ｘ 合金的磁性从铁磁性和亚铁磁性变为反铁磁性;ｂｃｃ 结构Ｃｏ１－ ｘ Ｍｎｘ 合金从铁磁性减弱到亚铁磁性．较好地解释了有关Ｃｏ１ － ｘ Ｍｎ ｘ 合金的结构和磁性关联的实验结果     

H4^＋团簇离子两种结构的能量曲线计算

此文认为在一定的条件下,Ｈ４＾＋团簇可能由一个氢核与三个氢原子相互作用而形成对称性较高的平面正三角形中心结构或正四面体结构。用ＭＡＣＱＭ方法,本文计算了这两种构型的能量曲线。结果表明：平面正三角形中心结构在中心原子核与顶角原子核间距离为２．１９ａ０时,体系出现能量极小值－１．６４８４ａ．ｕ．;正四面体结构在核间距为１．９２ａ０时,体系有一能量极小值－１．７７７７ａ．ｕ．。这说明Ｈ４＾＋的这两种结构     

合成氨钌催化剂的晶体和形貌敏感性（英文）

哈伯-博施法合成氨反应是高温高压的耗能过程,因此降低该过程的能量消耗及开发温和条件下合成氨反应催化剂具有重要意义.金属钌是合成氨反应中最有前途的催化剂之一,一直备受广泛关注.确定金属钌催化剂的结构敏感性并提高其比质量活性是多相催化中亟待解决的重要问题.氮气(N_2)活化是合成氨反应中的关键步骤.本文通过第一性原理理论计算和微观动力学模拟方法系统研究了具有六方密排和面心立方晶体结构的钌催化剂上N_2活化过程和N_2解离反应速率.理论计算研究表明,在六方密排Ru形貌中,{2130}晶面具有最高的N_2解离活性,其次是{0001}台阶面,它们比六方密排Ru其他表面上N_2解离反应速率高3个数量级以上;在面心立方Ru形貌中,{211}和{311}表面上N_2解离活性最高.这些结果都表明台阶面/台阶位对氮气活化至关重要.虽然六方密排Ru {2130}晶面具有最低的N_2解离能垒,然而由于面心立方Ru上可以暴露更高密度的活性位点,使得面心立方Ru比六方密排Ru具有更高的N_2转化速率.本研究深入理解了N_2解离过程中,金属Ru催化剂形貌和晶相结构敏感性,这为设计和优化高活性的合成氨Ru催化剂提供了理论基础.     

第一原理对铝的静态结构和相变的计算

 在密度泛函理论（DFT）和广义梯度近似（GGA）下,用缀加平面波加局域轨道（APW+lo）方法对铝的晶格常数、体弹模量以及在静态高压下的固态相变进行了计算。计算得出面心立方晶格结构（fcc）向六角密堆积结构（hcp）和体心立方结构（bcc）的相变分别发生在220 GPa和330 GPa,hcp向体心结构bcc的相变发生在380 GPa。计算结果和实验数据以及其它理论计算符合较好。     

H7^—正八面体中心结构能量曲线的MACQM计算

采用改进了的排列通道量子力学（ｍｏｄｉｆｉｅｄａｒａｎｇｅｍｅｎｔｃｈａｎｎｅｌｑｕａｎｔｕｍｍｅｃｈａｎ－ｉｃｓ，简称ＭＡＣＱＭ）方法，计算了Ｈ－７正八面体中心结构的能量曲线。当中心原子核到顶角原子核的间距Ｒ为１．５０ａ０时，体系能量有一极小值－４．０３５２ａ．ｕ．。这表明Ｈ－７的正八面体中心结构是可能稳定存在的。     

1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。     

f.c.c./f.c.c.LUCS的电子结构

在只计入最近邻间相互作用的紧束缚近似下,计算了由两种面心立方金属组成的多层超薄共格结构(LUCS)的电子能谱和态密度。 关键词：     

面心立方金属铈的高压电子结构研究

本文简要介绍了我们开发的基于密度泛函理论和动力学平均场理论（DFT+DMFT）的全自洽的的计算程序,并运用该程序研究了面心立方金属铈的等结构相变. 动力学平均场采用的是目前公认的最为准确和高效的连续时间蒙特卡罗方法作为杂质求解器. 我们首先分别计算了 和 相的电子态密度,该结果可以正确的描述两个相的电子结构特征. 然后计算了不同温度下的相变前后的电子结构,从中可以得到电子结构在不同温度下的相变过程,与之前的实验结果一致. 这一工作为以后进一步的金属铈的等结构相变研究打下了基础.     

立方密积结构的教具制作和演示

介绍一种简单实用的立方密积形成面心立方结构的教具制作和演示．     

用赝势方法研究铅的结构相变

 本文用赝势方法计算了铅的面心立方结构和金刚石结构的晶体总能，讨论了两种结构在高压下的稳定性。