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1.
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
关键词:
xSi1-x磁性薄膜')" href="#">MnxSi1-x磁性薄膜
分子束外延
XRD
XANES 相似文献
2.
利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO 薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试. 结合ICP法测得的薄膜中的Mg组成量,经数值拟合,导出表征薄膜厚度与薄膜生长条件、薄膜折射率与薄膜中的Mg组成量之间关系的曲线,为MBE法在Sapphire衬底上生长Zn1-xMgxO 薄膜时控制薄膜厚度以及在制作Zn1-xMgxO 薄膜的波导时控制薄膜的折射率提供了理论依据.
关键词:
ZnMgO薄膜
偏振光椭圆率测量仪
折射率
分子束外延(MBE) 相似文献
3.
通过X射线衍射、磁测量及正电子湮没谱等手段研究了Tb2AlFe16-xMnx(x=1—8)化合物的结构和磁性.X射线衍射研究结果表明Tb2AlFe16-xMnx化合物具有六角相的Th2Ni17型结构.室温下的正电子湮没实验研究表明,Mn对Fe的替代导致化合物中的铁磁相互作用减弱,并且化合物中存在着较强烈的磁弹耦合效应.磁测量研究结果表明,Mn的替代导致Tb2AlFe16-xMnx化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降.
关键词:
2AlFe16-xMnx化合物')" href="#">Tb2AlFe16-xMnx化合物
磁弹耦合效应
居里温度 相似文献
4.
利用X 射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%, 36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn关键词:
磁控溅射
XRD
XAFS
xGe1-x稀磁半导体薄膜')" href="#">MnxGe1-x稀磁半导体薄膜 相似文献
5.
6.
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/In x Ga1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有In x Ga1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/In x Ga1-x关键词:
纳米线异质结构
xGa1-xAs')" href="#">InxGa1-xAs
组分渐变缓冲层
金属有机化学气相沉淀法 相似文献
7.
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长单晶Zn1-xMgxO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)研究了膜厚、Mg含量、退火温度及氧气氛等制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌和光学性质的影响.实验结果表明,Mg含量x≤0.15时, Zn关键词:
1-xMgxO薄膜')" href="#">Zn1-xMgxO薄膜
制备工艺
结构
光学性质 相似文献
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利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织
关键词:
2Cu3O7-x镀膜导体')" href="#">YBa2Cu3O7-x镀膜导体
2缓冲层')" href="#">CeO2缓冲层
厚度依赖性
外延生长 相似文献
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Thin films of amorphous Se100−xSbx (x=5,10 and 20 at%) system are deposited on a silicon substrate at room temperature (300 K) by thermal evaporation technique. The optical constant such as refractive index (n) has been determined by a method based on the envelope curves of the optical transmission spectrum at normal incidence by a Swanpoel method. The oscillator energy (Eo), dispersion energy (Ed) and other parameters have been determined by the Wemple–DiDomenico method. The absorption coefficient (α) has been determined from the reflectivity and transmitivity spectrum in the range 300–2500 nm. The optical-absorption data indicate that the absorption mechanism is a non-direct transition. We found that the optical band gap, Egopt, decreases from 1.66±0.01 to 1.35±0.01 eV with increase Sb content. 相似文献
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14.
本文基于第一性原理中的Heyd-Scuseria-Ernzerh方法研究了单层In1-xGaxN的电子结构和光学性质.计算得到单层In1-xGaxN的能带结构和态密度(DOS),发现随着掺杂比例的变化,体系带隙的变化范围是1.8~3.8 eV,表明通过Ga的掺杂可以实现体系带隙值的调节.并且还研究了单层In1-xGaxN的介电函数,折射率和吸收系数等光学性质,结果表明随着Ga掺杂浓度的增加,介电函数谱的主峰和吸收谱发生了显著的蓝移.此外,基于能带结构和态密度图谱,对单层In1-xGaxN的光学性质进行分析,预测这种材料独特的光学性质在纳米电子学和光学器件中会有广泛的应用. 相似文献
15.
Kongping WuShulin Gu Kun TangJiandong Ye Shunming ZhuMengran Zhou Yourui HuangMingxiang Xu Rong ZhangYoudou Zheng 《Journal of magnetism and magnetic materials》2012,324(8):1649-1654
The influences of Mn doping on the structural quality of the ZnxMn1−xO:N alloy films have been investigated by XRD. Chemical compositions of the samples (Zn and Mn content) and their valence states were determined by X-ray photoelectron spectrometry (XPS). Hall effect measurements versus temperature for ZnxMn1−xO:N samples have been designed and studied in detail. The ferromagnetic transitions happened at different TC should explain that the magnetic transition in field-cooled magnetization of Zn1−xMnxO:N films at low temperature is caused by the strong p-d exchange interactions besides magnetic transition at 46 K resulting from Mn oxide, and that the room temperature ferromagnetic signatures are attributed to the uncompensated spins at the surface of anti-ferromagnetic nano-crystal of Mn-related Zn(Mn)O. 相似文献
16.
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理全势能线性缀加平面波方法(FLAPW),分析了Bi2Te3-xSex体系中各原子自旋轨道耦合(SOI)的p1/2修正对体系性质的影响,并对Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物的电子特性进行系统的理论研究,首次计算出Bi2S
关键词:
2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物')" href="#">Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物
第一性原理
电子结构
自旋轨道耦合 相似文献