Bi系高Tc超导材料的核四极共振（NQR）研究

用标准固相反应法，我们制备了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｂｉ２ＣａＣｕ２Ｏｙ纯相样品，在液氮温度下测量了Ｃｕ－ＮＱＲ和Ｂ－ＮＱＲ静态谱，发现ＮＱＲ谱都为大宽包，Ｃｕ－ＮＱＲ谱线位置反映铜原子所处的氧环境，Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃｕ２Ｏｙ的ＮＱＲ谱宽反映其调制结构，Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｙＮＱＲ谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大，Ｂｉ－ＮＱＲ谱很难观察。     

Pb、La掺杂Bi2201相高质量单晶的生长和表征

自助熔法从富Ｂｉ２Ｏ３ 的Ｂｉ１ ．８ ＋ ｘＰｂ０ ．２Ｓｒ１ ．６５Ｌａ０ ．３５ＣｕＯｙ（ｘ＝ ０ ．１ ,０ ．２,０ ．３ ,０．４ ,０ ．５） 熔体中生长出了高质量的Ｐｂ、Ｌａ 掺杂的Ｂｉ２２０１ 相大单晶,最大尺寸达８ ×４ ×０ ．０５ｍｍ３ ．在生长单晶时不同程度过量的Ｂｉ２Ｏ３ 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定．通过单晶的（００ｌ） ＸＲａｙ 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为４ ×１ ．６ ×０ ．０３ｍｍ３ 的高质量单晶做了结构表征．由试验发现从富Ｂｉ２Ｏ３ 的熔体中生长高质量Ｂｉ２２０１ 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

掺Ba的Bi—sr—Cu—O的单晶Raman散射研究

利用Ｒａｍａｎ散射研究了Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＢａｘＣｕＯｙ（ｘ＝０，０．２，０．４）单晶样品的声子振动性质。实验结果表明，在Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＢａｘＣｕＯｙ体的Ｒａｍａｎ谱中主要出现以下几个频率的特征振动模，即１９６，３００，４６０，６２５和６６０ｃｍ＾－１；而频率为１９６，３００，６２５，６６０ｃｍ＾－１的特征峰的强度随着Ｂａ掺杂量的增加而增加。在早期的工作中，我们曾经研究过Ｂａ的掺杂对Ｂｉ２２０１相     

Bi2201体系中Raman散射、微结构和输运性质研究

利用Ｘ－光衍射,电子衍射,Ｒａｍａｎ散射和电阻率等手段对多晶样品Ｂｉ１．８Ｐｂ０．２Ｓｒ２Ｃｕ１－ｘＦｅｘＯｙ,Ｂｉ１．８Ｐｂ０．２Ｓｒ１．６＋ｘＬａ０．４－ｘＣｕ１－ｘＦｅｘＯｙ的结构和性能进行了研究。结果表明：Ｂｉ２２０１体系的调制特征与客外氧的多少无关,６２５ｃｍ＾－１附近的Ｒａｍａｎ峰受‘电荷转移’效应和调制结构变化的显著影响,晶体的微结构变化强烈影响体系的超电性和输运性质。     

R＿（1－x）Pr＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－δ）超导T＿c平台的离子尺寸效应

系统地研究了Ｒ＿（１－ｘ）Ｐｒ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导Ｔ＿ｃ与Ｐｒ替代浓度ｘ的关系。发现在离子半径ｒ＿ｉ≤ｒ＿ｉ（Ｄｙ）时，在低Ｐｒ浓度范围内存在一个超导Ｔ＿ｃ平台，并且平台宽度表明一个Ｒ￣（３＋）离子尺寸效应。我们认为，Ｔ＿ｃ平台宽度的离子尺寸效应可能起源于Ｐｒ４ｆ电子局域态的改变。提出一个临界Ｒ￣（３＋）离子半径ｒ＿（ｉｃ），ｒ＿ｉ＞ｒ＿（ｉｃ）时ＲＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导电性消失     

对Bi-2212超导体中的Raman谱指认

本文对Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｑδ（ｘ＝０￣０．５）系列样吕以及在真空下不同温度退火的Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２ＣａＣＵ２Ｏδ样品进行了Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ谱实验研究。测量表明,随着退火温度的升高,ａ,ｂ,ｃ轴晶格常数增加,与Ｏ（１）ＣｕＢｇ模式相关的２９４ｃｍ＾－１的峰强减少,峰位红移。研究结果进一步表明,４６４ｃｍ＾－１和６３０ｃｍ＾－１峰分别与Ｏ（３）ＢｉＡ１ｇ和Ｏ（２）ＳｒＡ１ｇ     

用不同母体制备Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy超导块材

采用不同的母体材料，在分别淬火的非晶中间相基础上合成了Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ高Ｔｃ超导陶瓷，报道了这些材料的制备、Ｘ射线衍射及电阻率结果。我们用共生长和结构中离子成分的变化对结果进行了讨论。通过对材料结构和性质的分析得出ＳｒＣａＣｕＯ３是最适合２２１２成相的母体。而ＳｒＣｕＯ２是产生２２２３相的最好母体，在４０Ｋ零场中推断的颗粒内临界电流密度Ｊｃ达１０＾６Ａ／ｃｍ＾２。     

新型（Pb,Cd）—1222相化合物的制备,结构和电学性质

本成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ‘０．７Ｃｅ０．３）２Ｃｕ２Ｏｚ，Ｒ＝Ｒ’＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以有（Ｒ，Ｒ‘）＝（Ｌａ，Ｅｕ），Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）。     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。     

T1系1223相超导体的不可逆线

研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ超导体的不可逆场Ｈ（Ｔ），并与Ｙ系Ｂｉ系和Ｔｌ１２１２相超导体作了比较。实验表明，在７７Ｋ下Ｔｌ１２２３相的不可逆场高达５Ｔ。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Ｂｉ系超导体和Ｔｌ１２１２相导体强得多，并对此作了讨论，由磁滞回线估计的磁化电密度Ｊｃ在７７Ｋ和２Ｔ磁场下大于１４＾４／ｃｍ＾２。     

X射线衍射研究Bi_2Sr_（2－y）M_yCuO_（6＋δ）（M＝La，Pr）

作者报道了用Ｘ射线衍射法对Ｂｉ２Ｓｒ２－ｙＭｙＣｕＯ６＋δ（Ｍ＝Ｌａ，Ｐｒ，０．０≤ｙ≤１．０）系列单晶样品进行结构研究的结果．根据晶体结构的不同性质，我们将掺杂区分为三个区域．第一个区域的掺闭量在０．０≤ｙ≤０．１０之间，在此区域中晶体的平均结构为单斜结构，其调制波矢具有两个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋γ１ｃ．第二个掺杂区的掺镧量在０．１０＜ｙ≤０．６０之间，晶体的平均结构由单斜转变为正交结构，调制波矢具有单个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋ｃ．第三掺杂区的掺镧量在０．６０＜ｙ≤１．０之间，晶体的平均结构转变为另一单斜结构，在这一区域有两类调制结构共存．第一类调制结构与第一、第二掺杂区的调制结构类似；第二类调制结构的调制调幅沿α轴方向极化，调制波矢β分量约为第一类调制结构的二分之一．对于Ｂｉ２（Ｓｒ１．２Ｌａ０．８）ＣｕＯ６＋δ单晶，其第二类调制波矢为ｑ２＝０．１２２ｂ＋０．４３ｃ．     

三个不同温区下影响Bi_2Sr_2CaCu_2O_y单晶抗磁转变宽度因素的研究(英文)

本文研究了三个不同退火温区下（低于４５０℃、４５０～７００℃和高于７００℃）影响Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ单晶抗磁转变宽度的因素．发现普遍被接受的在７００℃以下退火温区的分界线并不明确．ΔＴｃ的变化强烈依赖于退火条件，即使在２５０℃的较低退火温度下，Ｔｃ和ΔＴｃ也可以通过快速淬火而得到显著改善．然而在７００℃以上、不同条件下退火均得到较宽的ΔＴｃ与已有的报道是一致的，这可能是Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ单晶的本征行为．以上结果可以用额外氧的含量和位置、阳离子迁移引起的结构调整来解释．     

超导体Bi_(1.8)Pb_(0.2)Sr_(2- x)La_xCuO_(6+δ)的电阻率和热电势研究(英文)

本文对名义组份为Ｂｉ１ ．８Ｐｂ０ ．２Ｓｒ２ － ｘＬａｘＣｕＯｙ 系列样品的电阻率和热电势特性进行了实验研究．测量表明，Ｐｂ 掺杂可以进一步提高超导转变温度Ｔｃ ；随着Ｌａ 含量的增加，Ｔｃ 按照典型的抛物线型规律变化；Ｌａ 掺杂极大地影响超导体正常态的输运特性．我们的分析指出，热电势在正常态所表现出的规律与高温超导机制密切相关，而且电阻率正常态输运特性的变化可用Ｌａ 掺杂造成ＣｕＯ６ 八面体顶点氧发生位移来解释．     

高T_c氧化物体系的相关系和晶体结构

本文综述了Ｒ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ体系，Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ体系，Ｔ１－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ ＃系，Ｔ１－Ｓｒ－Ｃａ－Ｒ－Ｃｕ－Ｏ体系以及Ｐｂ－Ｓｒ－Ｒ（Ｃａ）Ｃｕ－Ｏ体系超导相的相关系和晶体结构，并讨论了超导相的结构特点和它们之间的相互关系．     

新块材超导体Pr_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-δ)(0.4≤x≤0.6)的高压合成与超导电性

采用高温高压合成方法，合成出了Ｐｒ１－ｘＣａｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（０４≤ｘ≤０６）系列块材超导体，在缺氧的Ｐｒ０．５Ｃａ０．５Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ四方１２３结构样品中得到了Ｔｃ为９８Ｋ．实验结果表明Ｐｒ在１２３结构中的价态为大于３＋的混合价态，因而空穴填充和杂化导致的载流子局域化是Ｐｒ抑制１２３相超导电性的关键因素．     

CuSO4·5H2O在用KBr压片法制样时所发生的固相反应的研究

用Ｘ射线衍射法和ＦＴ－ＩＲ法研究了ＣｕＳＯ４·５Ｈ２Ｏ在用ＫＢｒ压片法制样过程中所发生的固相反应．主要产物为：Ｋ２Ｃｕ（ＳＯ４）２·６Ｈ２Ｏ和ＣｕＢｒ２。     

Bi系银衬底厚膜的制备及其传输电流性质

采用物理沉积法制了名义组分为Ｂｉ１．８Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的银夹板厚膜成相的影响表现为热处理过程中银夹板阻止了厚膜中的物质尤其是Ｐｂ的挥发，使厚膜处于低氧压状态，加速了８０Ｋ相向１１０Ｋ相的转化，测量了银衬底厚膜在外加磁场平行和垂直于厚膜表面的传输临界电流密度Ｊｃ与磁场Ｈ的关系。典型数据为Ｊｃ＝２．３１×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，０Ｔ），３．６×１０＾２Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，１Ｔ）     

新型（Pb，Cd）－1222相化合物的制备、结构和电学性质

本文成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ＇０．７Ｃｅ０．３）２。Ｃｕ２Ｏｘ，Ｒ＝Ｒ＇＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以及（Ｒ，Ｒ’）＝（Ｌａ，Ｅｕ），（Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｅｕ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）．Ｘ－射线衍射和电子衍射表明它们属于四方晶系，其结构与（Ｐｂ，ＣＵ）－１２２２相结构相似．其中（Ｒ＇，Ｒ＇）＝（Ｅｕ，Ｇｄ）的样品在氧气中成相得到２３Ｋ的超导转变临界温度．     

Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15—xNaxO8＋y超导电性研究

本介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其中ｘ＝０．７，Ｔｃ０达到９２．５Ｋ。在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０＾３Ａ／ｃｍ＾２量级。