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从求解异质结双极晶体管基区的二维电流连续性方程出发,推导出了基区少数载流子浓度的解析解,由此获得了基区各处复合电流的解析表达式。基于该模型完成了算法研究和软件编制,计算出了器件所能达到理论电流增益。 相似文献
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建立了带有不掺杂隔离层的突变异质结双极晶体管(HBT)模型,在热场发射-扩散(TFD)理论的基础上,又考虑了空间电荷区中的复合效应。对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,不掺杂隔离层虽可有效地降低导带边的势垒尖峰,提高发射结的注入效率,但也会增大空间电荷区中的复合电流。因此,在实际器件的设计和制作中,应适当选择不掺杂隔离层的厚度,以获得较好的器件特性。还给出了计算突变异质结界面处电子准费米能级不连续的公式。 相似文献
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针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110wA,电流增益截止频率达到176GI-Iz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用. 相似文献
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本建立了包括空间电荷区复合电流在内的缓变异质结双极晶体管(HBT)的分析模型,对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,缓变发射结中可有效地消除导带边的势垒尖峰,但也会大大增加空间电荷区中的复合,导致小电流情况下电流增益的明显下降,发射结界面附近的不掺杂隔离层会进一步增大空间电荷区内的复合,加剧电流增益的下降,因此在器件的设计和制作过程中,应精确控制组分缓变区和不掺杂隔离层的厚度,以减小空间 相似文献
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设计电路时,每当需要很高的输入阻抗、高工作频率和相对较低的噪声时,结型场效应晶体管便成为最佳选择。本文描述了一个简单的测试仪,它能够测量结型场效应晶体管的两价目主要参数。 相似文献
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磁位计又称罗哥夫斯基线圈(RogowskiCoil),是测量冲击大电流常用的一种工具。本文主要讨论了用于测量标准雷电波的磁位计的数学模型、时域和频域特性、参数配合等问题,对于正确设计磁位计和选择测量线路的参数有一定指导意义。 相似文献
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回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献
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随着现代电子工业的迅猛发展,高可靠己成为现代武器系统、军用电子设备、航天航空工程和高性能电子整机的基本要求,电子整机、设备和系统要求能够在各种条件下工作,这就对半导体器件提出了具有耐环境变化的高可靠性和高稳定性的要求.半导体器件的电特性参数大多是温度敏感参数,环境温度的高低温变化将引起半导体器件电性能的剧烈变化,这直接影响了电子整机、设备和系统的性能,甚至使它们丧失工作能力. 相似文献
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八十年代以来,微波半导体技术的迅速发展,应用领域不断扩大,为适应微波、毫米波半导体技术的发展,近年来已出现不少新结构、新器件,如异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁移李晶体管(HEMT)、双极反型沟道场效应晶体管(BiCFET)调制掺杂场效应晶体管(MOFET)、谐振隧道晶体管(RTT)、负阻效应晶体管(NBERFET)、毫米波混合隧道雪崩渡越时间(MITATT)二极管、超导器件及量子器件等。本文主要叙述异质结双板晶体管的最新进展及其应用。 相似文献
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着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应,导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式,很好地解释了实验结果。 相似文献
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随着微波半导体技术的发展,近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展,包括AlGaAs/GaAs,InP/InGaAs,GeSi等开发现状和性能参数达到的水平。 相似文献
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阐述了InP/InGaAs异质结双极晶体管的最新发展动态,重点讨论了HBT的结构与性能以及HBT IC的高速性能与可靠性问题。 相似文献