聚多巴胺-氧化石墨烯修饰玻碳电极测定痕量Cu(Ⅱ)

采用吸附自聚法制备聚多巴胺-氧化石墨烯复合材料修饰玻碳电极(PDA-GO/GCE),并研究了该修饰电极的电化学性能。结果表明,在0.1mol/L的HAc-NaAc缓冲溶液中,最优实验条件下,于-0.9V电位富集10min,溶出峰电流与Cu(Ⅱ)的浓度在0.1~1.0μg/L和1.0~30.0μg/L范围内呈良好线性关系,线性相关系数为0.991和0.995,检出限为0.02μg/L。采用标准加入法对水样中Cu(Ⅱ)进行测定,回收率达91.3%~96.9%,测量结果和电感耦合等离子体质谱法一致。PDA-GO/GCE具有良好选择性、稳定性和重现性,且制备简单、灵敏度高,可用于自来水和湖水中痕量Cu(Ⅱ)的检测。     

镍纳米粒子-离子液体修饰碳糊电极的制备及其对多巴胺的测定

制备了镍纳米粒子-离子液体修饰电极,在0.1 mol/L磷酸缓冲溶液(pH 6.0)中研究了多巴胺(DA)在修饰电极上的电化学行为.与裸电极相比,DA在该修饰电极上的氧化还原电位明显降低,氧化还原反应的峰电流明显增大,DA的峰电流与其浓度在2.0×10~(-8) ～1.0×10~(-4) mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为6.5×10~(-9) mol/L.该修饰电极对抗坏血酸具有明显的抗干扰能力.     

聚吡咯／多壁碳纳米管修饰电极对多巴胺的测定

制备了聚吡咯/多壁碳纳米管(PPy/MWNT)复合膜修饰电极。研究了神经递质多巴胺(DA)在该修饰电极上的电化学行为。实验表明,PPy/MWNT复合膜修饰电极对DA的电催化作用优于PPy修饰电极。在pH=4.10的0.2mol/L醋酸-醋酸钠缓冲溶液中,DA在该修饰电极上的CV曲线于0.31V和0.28V处出现一对灵敏的氧化还原峰,峰电位差△Ep比裸玻碳电极降低58mV,比PPy修饰电极降低28mV,峰电流显著增加。氧化峰电流ipa与DA浓度在1.0×10-4~7.8×10-8mol/L范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为ip(μA)=0.2512 1.2300C(×10-5mol/L),相关系数r=0.9992,检出限为3.9×10-8mol/L。常见物质对DA的检测无干扰,DA注射液样品检测回收率为94%~104%。     

聚对氨基苯磺酸/氧化石墨烯修饰电极同时测定多巴胺和抗坏血酸

用循环伏安法制备了聚对氨基苯磺酸/氧化石墨烯修饰玻碳电极(PABSA/GO/GCE),研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在该修饰电极上的电化学行为,并建立了同时测定多巴胺和抗坏血酸电化学分析新方法,相对于裸玻碳电极,该电极测定DA和AA的峰电流明显增加。实验结果表明:在实验条件下,DA测定的线性范围为0.50～300μmol/L;检出限为5.0μmol/L。AA测定的线性范围是0.10～2.4 mmol/L,检出限为0.50μmol/L。     

基于MnO_2纳米线-还原石墨烯复合修饰电极的多巴胺电化学检测

通过电化学还原法制备MnO_2纳米线/还原石墨烯复合修饰电极(MnO_2-RGO/GCE),用于多巴胺(DA)的检测。采用扫描电镜和X-射线粉末衍射对不同的修饰电极微观形貌进行了表征,优化了电化学还原条件和测定DA实验条件。此外,还研究DA在裸电极及RGO或MnO_2-RGO修饰电极上的循环伏安响应。MnO_2-RGO/GCE复合修饰电极实现AA、DA和UA氧化峰的有效分离,AA-DA和DA-UA的氧化峰电位差分别为268和128 m V。检测DA的线性范围为0.06~1.0μmol/L和1.0~80μmol/L,检出限为1.0 nmol/L(S/N=3)。制备的MnO_2-RGO/GCE成功用于人血清样品的多巴胺含量分析。     

纳米铜修饰电极对多巴胺和抗坏血酸的同时测定

用电沉积方法制备了纳米铜修饰电极并将其用于混合溶液中多巴胺(DA)和抗坏血酸的同时测定。在优化的实验条件下,修饰电极对多巴胺和抗坏血酸具有良好的电催化响应,多巴胺的峰电流与浓度在8.0×10-7mol/L~1.0×10-4mol/L范围内成很好的线性关系,抗坏血酸的氧化峰电流与其浓度在8.0×10-6mol/L~1.0×10-3mol/L的范围成良好的线性关系。该修饰电极制备简单、稳定性好,用于样品检测,效果良好。     

氯霉素在过氧化聚多巴胺修饰电极上的电化学行为及测定

利用多巴胺(DA)的自聚反应在玻碳电极(GCE)表面形成聚多巴胺(PDA)膜,将聚多巴胺修饰电极浸入碱溶液中进行电化学处理,制得过氧化聚多巴胺修饰电极(OPDA/GCE)。通过方波伏安法直接测定氯霉素在OPDA/GCE上的电化学响应信号,得到待测溶液中氯霉素的浓度。对多巴胺的自聚时间、氯霉素在修饰电极上的电化学性质、测试条件、溶解氧的影响及去除方法等进行考察。结果表明,氯霉素在OPDA/GCE上的还原峰电流与其浓度在3.0×10-6~1.1×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为7.8×10-7mol/L,牛奶和蜂蜜样品的加标回收率分别为83.4%~94.1%和91.5%~108.6%。该修饰电极制备方法简便易行、成本低、便于批量制备,用其检测氯霉素操作简单、选择性好。     

聚L-白氨酸修饰电极伏安法测定痕量多巴胺的研究

用循环伏安法制备了聚L-白氨酸修饰玻碳电极,研究了多巴胺在聚L-白氨酸修饰玻碳电极上的电化学行为,建立了循环伏安法测定痕量多巴胺的新方法。实验结果表明,在pH 6.0的磷酸盐缓冲溶液中,多巴胺在聚L-白氨酸修饰玻碳电极上产生一对灵敏的氧化还原峰,峰电位分别为Epa=0.281V,Epc=0.170 V(相对Ag/AgCl电极)。峰电流与多巴胺的浓度在5.0×10-8~5.0×10-4mol/L的范围内有线性关系,检出限为5.0×10-9mol/L。对1.0×10-5mol/L多巴胺溶液平行测定9次,其相对标准偏差为4.0%。已用于针剂中多巴胺的测定。     

聚磺基水杨酸/碳纳米管修饰电极在抗坏血酸共存时测定多巴胺

研究了聚磺基水杨酸/多壁碳纳米管修饰玻碳电极的制备及多巴胺在此修饰电极上的电化学行为, 讨论了修饰条件、扫速、溶液 pH 以及抗坏血酸的干扰对多巴胺在这种复合物电极上响应的影响. 在 pH 7.4 磷酸盐缓冲溶液中, 在1.0×10-3 mol/L 抗坏血酸共存的条件下, 多巴胺氧化峰电流与其浓度在 5×10-7～10-4 mol/L 范围内分段呈线性关系, 检出限为 1.0×10-7 mol/L. 结果表明: 聚磺基水杨酸/多壁碳纳米管修饰电极结合了多壁碳纳米管灵敏度高和聚磺基水杨酸选择性好的优点, 可用于抗坏血酸共存条件下多巴胺的测定.     

羧基化碳纳米管共价层层自组装膜的构建及对多巴胺的电化学检测

本文以乙二胺为连接剂共价层层自组装(LBL)羧基化的多壁碳纳米管(CMWNTs),并用于多巴胺(DA)的电化学检测。层层自组装过程利用扫描电子显微镜(SEM)和傅里叶变换红外(FT-IR)光谱进行表征。与裸电极相比,修饰电极在较低的电势下对DA表现出优异的电催化特性。修饰层的厚度可通过组装层数进行有效控制,通过电化学实验优化选择组装5层羧基化多壁碳纳米管修饰电极。在0.1mol/L pH=7.0的磷酸盐缓冲液(PBS)中氧化峰电流与DA浓度在6~370μmol/L范围内呈线性关系,检测限(S/N=3)为0.532μmol/L。