由一道电学实验题引发的思考

在探究电流跟电阻关系的实验中,必须控制导体两端的电压不变。当定值电阻的阻值变大或变小时,滑动变阻器的阻值应如何变化？滑动变阻器阻值的变化与定值电阻阻值的变化有什么定量关系？     

中专物理(下册)期末测试练习题

一、选择题（每题3分，计用分）选择题均为单选题，多造或选错不得分．请将正确答案的序号填在〔）中．1．两个点电荷的电量ql：qZ一1：4，距离为厂时，al对a。的作用力为F，v。对小的作用力为F'，F'与F的关系是（）AF'一4F；B．F'一ZF；C．F'一16F；D．F'一F．2．如图1所示，A、B分别表示两段导体中的电流和导体两端电压的关系，这两段导体的电阻有〔A．RA＞RB；B．RA＜RB；C．RA＝RB；D．无法比较．3．如图2所示，电路中当K由断开到闭合后，安培计的示数将（电压U不变）［〕AA；变大，A。变小；B．AI、AZ都变小；C．A…     

双伏单安法测电阻

用伏安法测量电阻 ,最大的不足是伏特表、安培表的内电阻对待测电阻的测量值有着较大的影响 .文献 [1 ]～ [4]对伏安法进行了改进 .受其启发 ,本文给出双伏单安法测电阻 .双伏单安法测电阻的电路见图 1 ,用伏特图 1　双伏单安法测电阻表 V,V′和安培表 A来完成对待测电阻 Rx两端电压及通过的电流强度的测量 .闭合开关K′,K,调节 RS′,使各电表的指针偏转均在正常工作范围 ,并调节 RS,使伏特表 V的示数 U0 等于 V′的示数 U0 ′的一半 (此后不得调动 RS) ,这时有Rx =RS∥ RV (1 )待测电阻 Rx 两端电压 Ux0 满足Ux0 =U0 =U0 ′/ 2 …     

物理(下册)期中测试样卷

一、填空题 1.在匀强电场中,相邻两等势面之间的距离为2cm,电势差为8V,此电场的场强大小是____. 2.图示电路中,R为:“l0Ω,2A”的滑线变阻器,若滑动片置于变阻器的中点,电源电压U=6V,则两安培计的示数分别为A1是____A,A2是_____A.     

滑动变阻器“口”形电路规律的巧用

如图1所示电路，滑动触头P把变阻器R分为aP和bP两部分电阻并联，形如“口”字，故称为“口”形电路，可知：当触头P在变阻器端点时，并联电路的总电阻最小(为零)；当触头P在变阻器的中点时，并联电路的总电阻最大(为R／4)，或者说，当一个定值电阻被等分时，     

物理奥林匹克竞赛实验专题

第 6期试题解答分析 :滑线变阻器标尺不准 ,意味着滑动端所在位置的标尺读数不代表滑动端两边电阻之比 .实验中一旦找到合适位置 ,就不应再移动滑动端 .为此 ,采用非平衡电桥法 .电路如图 1所示 .先将变阻器滑动端置于中间附近 ,闭合 K1,调节电阻箱 ,使得电键 K2开合都不影响电压表的读数 ,这时电桥达到平衡 .记录电阻箱的电阻 R1.断开 K1,调换电压表和电阻箱的位置 .再闭合 K1,反复接通、断开K2 ,调节电阻箱 ,直至电压表读数不变 .记录这时电阻箱的读数 R2 .利用复称法公式求出电压图 1　电路图表内阻 RV.设滑线变阻器滑动端两侧的电阻…     

正确测定RLC串联电路暂态过程的临界阻尼电阻

用示波器观察RLC串联电路电容C上电压暂态过程的线路如图1所示.对于不同的电阻R充电时电容器C上的电压uC和时间Z的波形如图2所示.其中1为欠阻尼状态（R2＜4L／C），ⅡE为过阻尼状态（R＞4L／C），Ⅲ为临界阻尼状态（R2=4L／C）.临界阻尼状态是欠阻尼状态与过阻尼状态之间的过渡状态.对应于临界阻尼状态的电阻R为临界阻尼电阻，理论值图1图2实验测定临界阻尼电阻的一般方法是改变电阻箱的阻值R从小变大，使电路从1状态逐渐进入Ⅲ状态.当欠阻尼振荡的振幅衰减到示波器荧光屏不能分辨时，相应的电阻为临界阻尼电阻.用此方法确定的临界…     

对最大输出功率的说明

1 问题的提出 电源电动势为E,内阻为r,外电路为一滑动变阻器R外. 试分析:外电阻为多大时,电源输出功率最大?     

结论恰恰相反——再谈旧电池对欧姆表测量结果的影响

1 问题的提出 用欧姆表测量电阻,电池用久了,电动势减小,内电阻变大,测量出现较大的误差,这是个不争的事实.但是,误差是变大还是变小? 影响结果的原因是什么呢?     

分压器电路的性质综述

如图1所示电路，滑动变阻器R与负载RL(纯电阻)构成分压器，RL两端的电压(分压器的输出电压)Ux与变阻器并联在支路中的电阻Rx有关，调节R的大小，Ux随之变化，即若Rx增大，则R并增大，Ux增大．     

例谈电流表应该内接还是外接

在利用伏安法测电阻的实验中,若不知道被测电阻的大约值,一般采用试触法.如图1所示,连接电路时,只空出电压表的一个接头S,将S分别与a,b接触,观察电压表和电流表的示数变化情况.若电压表示数有显著变化,说明电流表的分压作用比较强,应选用外接法;若电流表示数有显著变化,说明电压表的分流作用比较强,应选用电流表内接法.     

高中电学实验滑动变阻器选择释疑

根据安全、准确、科学方便的实验原则,结合笔者在长期实验教学中的实践经验,利用数学工具,用定量的方式,分别阐述了在高中物理伏安法测电阻、测定电源的电动势和内阻、半偏法测电阻实验中,不同规格滑动变阻器的选择原则.     

用直流电流演示远距离送电

1.要用的东西: (1)手摇断续器一个(没有现成的可自制); (2)干电池三筒(旧电池得多一些); (3)滑动变阻器二个; (4)变压器二个(升、降各一个电压2-110伏特即可); (5)小灯泡一个。手摇断续器和干电池组合一起代替发电站以断续电流代替交流电。变阻器代替高压线。小灯泡代替用电户。 2.整个装置如图: 3.使用方法:为了使同学看得清楚,可以把这套装置,除掉发电站部分外,固定在小黑板上挂起。先不把变压器连在线路内,摇断续器并调节变阻器逐渐增大电阻,看到小电灯的光逐渐减弱甚至于不发光。以说明电能的损失。然后把变压器连入线路内(如图),其他不变,则灯泡仍然发光,再调节变阻器增加电阻(代表高压线比原来长了)灯光     

一道电学题的错误及讨论

某出版社出版的高二物理辅导书上有这样一道题目:如图1所示电路,三个完全相同的电压表接在电路中,当(V)3的示数为5 V,(V)2示数为4 V时,(V)1的示数为A.9 V B.5 VC.1 V D.无法判断此题流传甚广,书中往往用节点电流法给予解答.     

电流表故障原因的分析与排除

1　故障现象现象a:电路连接准确,合上电键,将滑动变阻器的滑动片从最大阻值处向最小阻值处移动,电流表示数不连续变化,只出现零(表针不动)或稍移滑片示数满偏值(表针迅速偏转到头).现象b:电路连接无误,合上电键,电流表指针在零和满偏值之间大幅度摆动.2　分　析电流表表头的满偏电流属于微安级,是通过并联一分流电阻来扩大量程的.在一般实验电路中的电流最小为毫安级,因此若无此分流电阻,电表指针就会打到满偏.分流电阻的两端是通过两只焊片与表头两端由接线柱上的上下两只紧固螺母与接线柱夹在一起的,紧固螺母容易松动,从而造成分流电阻与…     

论纯电阻电路的电源输出功率与电阻的关系——解读电源输出功率随电阻变化的曲线

【例1】如图1所示，电源电动势E=4V，内阻r=4Ω，R’为滑动变阻器，其电阻的最大值为3Ω，则电源的最大输出功率是多少．     

电场中等势线描画实验

实验电路如下图所示:ε为稳压电源,R为滑动变阻器,V是直流伏特表,该表的示数看作是等势点(线)的电势值(设电极B接地,则B点的电势U_B=0)同,G是灵敏电流表.当     

物理知识在医疗器械中的应用

随着近代物理学和计算机科学的迅速发展,人们对生命现象的认识逐步深入,物理学的基础和方法在医学研究和实践中也越来越广泛。本文精选一组与医疗器械有关的问题加以说明。图1电子血压仪测量血压的电子血压仪有一个压力传感器,薄金属片P固定有4个电阻R1、R2、R3、R4,图1是它的侧面图,这4个电阻连接成图2b的电路。图2开始时,金属片中央O点未加任何压力,欲使电压表无示数,A、B两点等势,达到电桥平衡,则4个电阻应满足R1R4=R2R3。当O点加上压力F后发生形变,金属片发生形变,由于4个电阻固定在金属片上(图2a),所以R1、R4被拉长,R2、R3被拉…     

几个有关电磁学习题求解的技巧

 一、巧用守恒定律求解电磁学习题求解常用的守恒定律--电荷守恒、动量守恒、能量守恒等。[例1]如图1示,三只完全相同的电压表连接在图中,已知（?）的示数为3V,（?）的示数为5V,则（?）的示数为_<sub><sub>V。[解析]由电荷守恒定律可得,流进A点的电荷数等于流出A点的电荷数,即流进A点的电流强度等于流出A点电流强度。设B点为高电势点、C点为低电势点、电压表内阻为R,因（?）示数为3V,则流入电流I2=3／R,（?）示数为5V,则流出电流I3=5／R,设（?）示数为U1,则通过的电流为I1=U1／R,由电荷守恒定律得I1+I2=I3,代入得U1／R+3／R=5／R,得U1=2V。[例2]如图2,电阻为R的矩形导线框abcd,边长ab=l,ad=h,质量为m,自某一高度自由落下,通过一均匀磁场,磁场方向垂直纸面向里,磁场区域的宽度为h,线框恰好以恒定速度通过磁场,线框中产生的焦耳热是_相似文献   

牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管P型接触影响的研究术

本文通过在硅衬底发光二极管（LED）薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2：O2=4：1的气氛中、400℃-750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Nj覆盖层之后制备Pt／p-GaN欧姆接触层．实验结果表明：退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜P型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低P型层中Mg受主的激活温度．经牺牲Ni退火后,P型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1．5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6．1×10^-5Ω·cm。．