两种耐高温紫外正型光刻胶成膜树脂的制备及性能

分别通过N-(p-羟基苯基)甲基丙烯酰胺与N-苯基马来酰亚胺、N-苯基甲基丙烯酰胺与N-(p-羟基苯基)马来酰亚胺的共聚合,制备了两种聚合物树脂聚N-(p-羟基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺(poly(HPMA-co-PMI))和聚N-苯基甲基丙烯酰胺共N-(p-羟基苯基)马来酰亚胺(poly(MPA-co-HPMI)).结果表明,这两种聚合物都是按1∶1的摩尔比交替共聚的,它们都具有良好的溶解性、成膜性和亲水性,并且它们的玻璃化温度Tg都在280℃以上.将它们分别与感光剂2,1,5-磺酰氯的衍生物、助剂二苯甲酮等复配成两种紫外正型光刻胶,初步光刻实验表明,其最大分辨率都可以达到1μm,并且都可以耐270℃的高温.     

光刻与光刻胶的研究与发展

本文介绍用于超大规模集成电路的光刻技术及其光刻胶,包括化学增值型光刻胶和无显影气相光刻胶等的研究进展和发展趋势.     

多光子光刻用的杯[4]芳烃分子玻璃正性光刻胶

分子玻璃材料和多光子光刻技术分别是近年来光刻胶和光刻技术领域的研究热点.本文对分子玻璃正性光刻胶在多光子光刻中的应用进行了探索,设计合成了叔丁氧基羰基保护的杯[4]芳烃衍生物分子玻璃材料,将其作为主体材料与光生酸剂三氟甲磺酸三苯锍鎓盐进行复配,制备了分子玻璃正性光刻胶,探讨并优化了光刻胶的成分配比及其在紫外光曝光下的显影工艺.利用780nm波长飞秒激光对所制备的分子玻璃正性光刻胶进行了多光子光刻特性的评价,实验得到了最低线宽180nm的线条和复杂的二维微结构图形,结果表明杯[4]芳烃衍生物分子玻璃正性光刻胶有望应用于多光子光刻技术.     

一种248 nm光刻胶成膜树脂的合成及相关性能研究

通过自由基共聚合,制备了前驱体共聚物聚对特丁氧酰氧基苯乙烯-共-N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯,该共聚物可以通过热解而部分脱除酚羟基上的保护基,得到目标共聚物聚对羟基苯乙烯-共-N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯-共-对特丁氧酰氧基苯乙烯.通过对具有合适分子量的目标共聚物的有机溶剂溶解性、热性能、成膜性、抗干蚀刻能力和在248 nm处光学吸收(为0.212 μm^-1)性能进行研究,表明该聚合物能满足248 nm光刻胶成膜树脂的要求;此外,目标共聚物还具有酸致脱保性能.具有合适分子量和脱保率的目标共聚物,通过对其酸解留膜率的测试,推测其可能满足248 nm光刻胶的曝光显影工艺过程.     

极紫外(EUV)光刻胶树脂及合成方法进展

极紫外光刻(EUVL)是实现22 nm及以下节点集成电路制造最为高效的工艺技术.本文介绍了 EUV光刻胶树脂的结构特点及其对光刻性能的影响,并着重整理了近年来化学增幅型和非化学增幅型EUV光刻胶树脂的合成方法.最后,对EUV光刻胶树脂的结构设计进行了分析与展望.     

一种新型深紫外正型光致抗蚀剂材料的研究

通过松香酸和丙烯酸的Diels-Alder反应得到了一种二酸——丙烯海松酸.丙烯海松酸有大的脂环结构和良好的成膜性,在固体膜层中,它可以和二乙烯基醚,如1,3-二乙烯氧基乙氧基苯,在加热条件下(80℃以上)发生反应,产物在稀碱水中难溶.这样形成的产物在光产酸剂产生的强酸催化下,在温度高于100℃时,可以迅速分解,从而变成稀碱水易溶.因此,用此二酸、二乙烯基醚和产酸剂可组成一种正型的光致抗蚀剂,当用254 nm的低压汞灯曝光时,其感度在30 mJ/cm²以下.     

高分辨率Ⅰ-line正性光刻胶的制备及应用性能研究

利用两种不同重均分子量的改性酚醛树脂(PF)与一种三个酯化度的四羟基二苯甲酮-重氮萘醌磺酸酯光敏剂(PAC)按比例配制,加入适量助剂优化感光性能,制备出一种应用于电子触屏加工领域的Ⅰ-line正性光刻胶,其具有刻蚀精度高、工艺性能优良、单位成本较低等优势特点.     

基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备

利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,.首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距.实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20 μm,阵列间距为30 μm,光刻角度为20°.最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的“Ⅹ”型三维微阵列结构.     

248 nm深紫外光刻胶用成膜树脂的研究进展

综述了用于248 nm化学增幅型深紫外光刻胶的不同种类和结构的成膜树脂,以及所使用单体的研发进展,包括聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物、聚对羟基苯乙烯及其衍生物、N取代的马来酰亚胺衍生物,以及其他聚合物等,对不同结构成膜树脂的曝光条件、对光刻胶性能的影响进行了介绍。     

聚羟基苯乙烯在光致抗蚀剂中的应用及其合成

主要综述了聚羟基苯乙烯用作深紫外光致抗蚀剂主体成膜树脂的发展历程、应用现状以及一些最新的研究进展,并简要介绍了聚羟基苯乙烯的单体衍生物及其聚合物的制备方法.     

193 nm深紫外光刻胶用成膜树脂的研究进展

本文综述了用于193 nm深紫外光刻胶的主体成膜树脂的种类及常用合成单体的研究进展,包括聚(甲基)丙烯酸酯体系、环烯烃-马来酸酐共聚物(COMA)体系、乙烯醚-马来酸酐共聚物(VEMA)体系、降冰片烯加成聚合物体系、环化聚合物体系、有机-无机杂化树脂体系以及光致产酸剂(PAG)接枝聚合物主链型等,并分析了目前关于曝光、分辨率和抗蚀刻性能方面存在的问题及未来的发展方向。     

含POSS光刻胶材料研究进展

光致抗蚀剂又称光刻胶,是微电子加工过程中的关键材料。多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）是一种具有规则的笼型结构的聚合物增强材料,由POSS改性的聚合物实现了有机-无机纳米杂化,POSS刚性结构的引入阻碍了聚合物分子的运动,可以显著提高聚合物的玻璃化转变温度（T_g）,降低聚合物的介电常数,提高聚合物的力学性能,也提高了含POSS光致抗蚀剂的耐蚀刻性。基于这些优点,含POSS的光刻胶材料得到广泛关注。本文对含POSS光刻胶的研究进展作了简要介绍。     

水溶性光致抗蚀剂研究进展

本文按传统光化学反应型和化学增幅型两种类型对近10年水溶性光致抗蚀剂的发展状况做了分类总结,并重点介绍了成像反应原理和各体系的优缺点.     

X射线光刻胶的研究

合成了甲基丙烯酸缩水甘油酯与甲基丙烯酸氯乙酯和甲基丙烯酸氯乙酯与甲基丙烯酸甲酯共聚物,并研究了该共聚物的分子量分布、结构和热稳定性能。研究了甲基丙烯酸缩水甘油酯与甲基丙烯酸氯乙酯正性X射线光刻胶。该光刻胶具有热稳定性和高分辨率性。最低线幅宽度为0.1μm。     

新型玻璃刻蚀用光刻胶的研制

采用环氧树脂改性超支化聚酯制备了玻璃刻蚀用的光刻胶掩膜,研究了该感光树脂的感光活性、耐刻蚀性,以及加入HCI、HNO_3后刻蚀对玻璃刻蚀的影响。结果表明,所得感光树脂对玻璃有较好的附着力,厚度为40～50μm的胶膜在ω(HF)为40％的溶液中抗浮胶时间超过6 min,光刻胶初始曝光时间T_0为2．7 s,反差值γ_(gel)为2．8;混合刻蚀剂对载玻片玻璃的刻蚀速度≥35μm/min;以该光刻胶为单层掩膜,可得到线宽50μm的清晰刻蚀图样,玻璃的刻蚀深度超过38μm。